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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會(huì)社申請的專利半導(dǎo)體封裝和制造半導(dǎo)體封裝的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111326430B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911051504.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝和制造半導(dǎo)體封裝的方法是由柳世鎮(zhèn);朱洪燮;韓元吉設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-10-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體封裝和制造半導(dǎo)體封裝的方法在說明書摘要公布了：在一種制造半導(dǎo)體封裝的方法中，在封裝基板上布置第一半導(dǎo)體器件。在從封裝基板的上表面暴露的至少一個(gè)接地基板焊盤上形成靜電放電結(jié)構(gòu)。在封裝基板上疊置與第一半導(dǎo)體器件間隔開的多個(gè)第二半導(dǎo)體器件，靜電放電結(jié)構(gòu)介于第一半導(dǎo)體器件和該多個(gè)第二半導(dǎo)體器件之間。在封裝基板上形成模制構(gòu)件以覆蓋第一半導(dǎo)體器件和該多個(gè)第二半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝和制造半導(dǎo)體封裝的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括：在封裝基板上布置第一半導(dǎo)體器件；在所述封裝基板的上表面上方且在從所述封裝基板的所述上表面暴露的接地基板焊盤上形成靜電放電結(jié)構(gòu)；在所述封裝基板上疊置與所述第一半導(dǎo)體器件間隔開的多個(gè)第二半導(dǎo)體器件，所述靜電放電結(jié)構(gòu)介于所述第一半導(dǎo)體器件和所述多個(gè)第二半導(dǎo)體器件之間；以及在所述封裝基板上形成模制構(gòu)件以覆蓋所述第一半導(dǎo)體器件和所述多個(gè)第二半導(dǎo)體器件。

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