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龍圖騰網恭喜中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利一種聲學諧振器及其制備方法、濾波器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116633304B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310732219.X，技術領域涉及：H03H9/02；該發明授權一種聲學諧振器及其制備方法、濾波器是由歐欣;鄭鵬程;張師斌;吳進波;張麗萍設計研發完成，并于2023-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種聲學諧振器及其制備方法、濾波器在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種聲學諧振器及其制備方法、濾波器。該聲學諧振器包括由下至上依次設置的支撐襯底、壓電薄膜層和叉指電極結構，支撐襯底內設有多邊形空腔；支撐襯底為{111}單晶硅襯底；多邊形空腔的周面包括硅110晶向；壓電薄膜層靠近多邊形空腔，且壓電薄膜層設有多個刻蝕通孔，多個刻蝕通孔與多邊形空腔連通。本申請提供的該聲學諧振器具有優異的電學和機械性能。

本發明授權一種聲學諧振器及其制備方法、濾波器在權利要求書中公布了：1.一種聲學諧振器，其特征在于，包括：支撐襯底，所述支撐襯底內設有多邊形空腔；所述支撐襯底為{111}單晶硅襯底；所述多邊形空腔的周面包括硅110晶向；所述多邊形空腔為對所述支撐襯底進行各向異性刻蝕得到；位于所述支撐襯底上的壓電薄膜層，所述壓電薄膜層靠近所述多邊形空腔，且所述壓電薄膜層設有多個刻蝕通孔，多個所述刻蝕通孔與所述多邊形空腔連通；通過調整所述刻蝕通孔的高度能夠調整所述聲學諧振器的電學特性；所述壓電薄膜層和所述多邊形空腔之間設置有硅薄膜層；所述硅薄膜層的厚度大于零，且小于或者等于1000納米；所述硅薄膜層的厚度由所述刻蝕通孔的刻蝕深度確定；所述硅薄膜層為{111}單晶硅；以及位于所述壓電薄膜層上的叉指電極結構；所述多邊形空腔的頂面和底面為{111}晶面；所述多邊形空腔的周面與所述多邊形空腔的底面存在預設夾角，所述預設夾角包括銳角。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海微系統與信息技術研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區長寧路865號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。