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龍圖騰網恭喜湖北九峰山實驗室申請的專利一種基于應力光學效應的懸空調制器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117631333B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311725655.0，技術領域涉及：G02F1/01；該發明授權一種基于應力光學效應的懸空調制器及其制備方法是由應豪;胡昌宇;王紅莉;楊冰設計研發完成，并于2023-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于應力光學效應的懸空調制器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于應力光學效應的懸空調制器及其制備方法，屬于調制器技術領域。該懸空調制器包括SOI波導、覆蓋于所述SOI波導上的覆蓋層、沉積于所述覆蓋層上表面的下電極、設置于所述下電極上表面的壓電層、沉積于所述壓電層上表面中部的上電極，覆蓋于所述上電極上表面的保護層；所述SOI波導包括由下至上的硅襯底、埋藏氧化物層和波導層。所述硅襯底遠離所述埋藏氧化物層的一面開設有至少一個空氣槽。本發明通過壓電材料的逆壓電效應調控SOI波導及其表面覆蓋層的材料的折射率變化，并結合懸空空氣槽的結構，優化SOI波導內部應力分布，從而達到高效調控光的相位的效果。

本發明授權一種基于應力光學效應的懸空調制器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于應力光學效應的懸空調制器，其特征在于，包括SOI波導、覆蓋于所述SOI波導上的覆蓋層、沉積于所述覆蓋層上表面的下電極、設置于所述下電極上表面的壓電層、沉積于所述壓電層上表面中部的上電極，覆蓋于所述上電極上表面的保護層；所述SOI波導包括由下至上的硅襯底、埋藏氧化物層和波導層；所述波導層、所述下電極、所述壓電層和所述上電極構成微環結構或所述波導層、所述下電極、所述壓電層和所述上電極構成馬赫曾德爾結構；所述硅襯底遠離所述埋藏氧化物層的一面開設有至少一個空氣槽；沿所述硅襯底指向所述下電極的方向上，所述空氣槽的深度貫穿所述硅襯底和所述埋藏氧化物層；所述空氣槽的寬度為0.45~4μm，其深度與寬度的比為30~150:1；所述壓電層的材料為鋯鈦酸鉛、氧化鋅和氮化鋁中的至少一種；所述覆蓋層的厚度為0.5~1.0μm；所述上電極的寬度為1~20μm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區九龍湖街9號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。