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龍圖騰網(wǎng)恭喜芯成半導(dǎo)體(開曼)有限公司申請的專利自旋軌道扭矩磁存儲(chǔ)器陣列及其制造獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113841248B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980092229.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B61/00；該發(fā)明授權(quán)自旋軌道扭矩磁存儲(chǔ)器陣列及其制造是由S·阿拉基設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-12-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本自旋軌道扭矩磁存儲(chǔ)器陣列及其制造在說明書摘要公布了：一種磁存儲(chǔ)器件300，包括在沿著第一方向延伸的第一導(dǎo)線102和沿著第二方向延伸的第二導(dǎo)線314的網(wǎng)格交叉處的自旋軌道扭矩磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SOT?MRAM器件104和寫入電路，所述寫入電路包括第一晶體管116和第二晶體管118，第一晶體管被耦合到每個(gè)對應(yīng)第一導(dǎo)線以在第一方向上沿著第一導(dǎo)線施加第一寫入電流120，第二晶體管118用于選擇單獨(dú)的SOT?MRAM器件并沿著垂直于單獨(dú)的SOT?MRAM器件的層的軸線向單獨(dú)的SOT?MRAM器件施加第二寫入電流122。對應(yīng)的制造方法包括沉積公共層和電隔離相應(yīng)公共層的不同實(shí)例。

本發(fā)明授權(quán)自旋軌道扭矩磁存儲(chǔ)器陣列及其制造在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造磁存儲(chǔ)器件的方法，包括：沉積第一導(dǎo)電材料層，所述第一導(dǎo)電材料層被用于形成自旋軌道扭矩SOT線；電隔離所述第一導(dǎo)電材料層以形成沿著第一方向延伸的多個(gè)第一導(dǎo)線；在所述第一導(dǎo)電材料層上沉積公共組器件層；電隔離所述公共組器件層以形成多個(gè)自旋軌道扭矩磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SOT-MRAM器件，其中，所述多個(gè)SOT-MRAM器件中的每個(gè)SOT-MRAM器件位于所述第一導(dǎo)電材料層上；在所述公共組器件層上沉積第二導(dǎo)電材料層；以及電隔離所述第二導(dǎo)電材料層以形成沿著第二方向延伸的多個(gè)第二導(dǎo)線，其中，所述第二方向不同于所述第一方向，其中，電隔離所述公共組器件層包括將所述公共組器件層蝕刻成在第二方向上延伸的線。

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