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龍圖騰網恭喜中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所申請的專利RF MOS器件的在片測試結構的去嵌方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113655360B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110913198.2，技術領域涉及：G01R31/26；該發(fā)明授權RF MOS器件的在片測試結構的去嵌方法是由陳靜;謝甜甜;王青;呂迎歡;葛浩設計研發(fā)完成，并于2021-08-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本RF MOS器件的在片測試結構的去嵌方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種RFMOS器件的在片測試結構的去嵌方法，包括如下步驟：在同一襯底上同時形成待測器件，以及相對應的引腳結構、開路結構、短路結構以及直通結構；分別對上述待測器件、引腳結構、開路結構、短路結構、直通結構進行S參數(shù)測試；利用電磁仿真模型仿真一個金屬條阻抗，算出實際短路結構引入的阻抗；利用所獲得的實際短路結構引入的阻抗，將S參數(shù)轉換為Y參數(shù)。本發(fā)明通過對一個金屬條進行電磁仿真其阻抗來模擬實際用于去嵌的短路結構中用于共地互連的那部分金屬塊的阻抗，并在去嵌過程中將該阻抗去除，從而在更高頻率的時候也能獲得更好的去嵌精度。

本發(fā)明授權RF MOS器件的在片測試結構的去嵌方法在權利要求書中公布了：1.一種RFMOS器件的在片測試結構的去嵌方法，其特征在于，包括如下步驟：在同一襯底上同時形成待測器件，以及相對應的引腳結構、開路結構、短路結構以及直通結構；分別對上述待測器件、引腳結構、開路結構、短路結構、直通結構進行S參數(shù)測試，得到S參數(shù)；利用電磁仿真模型仿真一個金屬條阻抗，該金屬條用于模擬所述短路結構中用于共地互連的金屬阻抗，得到該金屬條的Z參數(shù)以及長度為L的金屬條的阻抗值ZL，算出實際短路結構引入的阻抗Zs＝L1L*ZL；利用所獲得的實際短路結構引入的阻抗Zs，將S參數(shù)轉換為Y參數(shù),待測器件的Y參數(shù)Ymea、引腳結構的Y參數(shù)Ypad、以及短路結構的Y參數(shù)Yshort；Smea轉換為Ymea，Spad轉換為Ypad，Sshort轉換為Yshort； 其中 具體去嵌計算過程：Z”＝[Yshort-Ypad]-1-Z’；Ydut＝[Ymea-Ypad-1-Z”]-1-[Yopen-Ypad-1-Z”]-1其中待測器件的S參數(shù)是Smea、引腳結構的S參數(shù)是Spad、開路結構的S參數(shù)是Sopen、短路結構的S參數(shù)是Sshort、以及直通結構的S參數(shù)是Sthru，待測器件的Y參數(shù)是Ymea、引腳結構的Y參數(shù)是Ypad、以及短路結構的Y參數(shù)是Yshort。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區(qū)長寧路865號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。