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龍圖騰網恭喜江西譽鴻錦材料科技有限公司申請的專利一種亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114335195B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111675137.3，技術領域涉及：H10D8/60；該發明授權一種亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法是由邵春林;閆懷寶;閆發旺設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法，包括由下至上依次設置的襯底1、緩沖層2、n+?GaN外延層3a、n??GaN外延層3b，n??GaN外延層3b上表面為肖特基電極設置區域13b，n+?GaN外延層3a上表面局部露出部分為歐姆電極設置區域13a；第一絕緣保護層6a覆蓋在歐姆電極設置區域13a上和肖特基電極設置區域13b上，且還覆蓋在n+?GaN外延層3a與n??GaN外延層3b形成的臺階側壁面上，第一絕緣保護層6a在歐姆電極設置區域13a上形成的窗口中設置有歐姆電極4，第一絕緣保護層6a在肖特基電極設置區域13b上形成的窗口中設置有肖特基電極5。本發明肖特基勢壘二極管增加正向電流，提高反向擊穿電壓。

本發明授權一種亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管，其特征在于，包括：襯底（1）及從所述襯底（1）上表面由下至上依次設置的緩沖層（2）、n+-GaN外延層（3a）和n--GaN外延層（3b）；所述n--GaN外延層（3b）上表面為肖特基電極設置區域（13b），所述n+-GaN外延層（3a）上表面局部露出，所述露出部分為歐姆電極設置區域（13a）；第一絕緣保護層（6a）,所述第一絕緣保護層（6a）覆蓋在所述歐姆電極設置區域（13a）上和所述肖特基電極設置區域（13b）上，且第一絕緣保護層（6a）還覆蓋在n+-GaN外延層（3a）與n--GaN外延層（3b）形成的臺階側壁面上，所述第一絕緣保護層（6a）分別在所述歐姆電極設置區域（13a）和所述肖特基電極設置區域（13b）上表面形成有窗口；肖特基電極（5），其設置在所述肖特基電極設置區域（13b）的窗口部，所述肖特基電極（5）的邊緣覆蓋在所述第一絕緣保護層（6a）上構成場板結構；歐姆電極（4），所述歐姆電極（4）設置在所述歐姆電極設置區域（13a）的窗口中；所述的亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管的制造方法，包括以下步驟：A.在襯底（1）上依次生長緩沖層（2）、n+-GaN外延層（3a）、n--GaN外延層（3b）；B.在n--GaN外延層（3b）的局部區域用刻蝕的方法將n--GaN外延層（3b）除去，露出n+-GaN外延層（3a）的區域構成歐姆電極設置區域（13a），未被刻蝕的n--GaN外延層（3b）區域構成肖特基電極設置區域（13b）；C.在歐姆電極設置區域（13a）上表面、肖特基電極設置區域（13b）上表面及n+-GaN外延層（3a）與n--GaN外延層（3b）形成的臺階側壁面上沉積第一絕緣保護層（6a），所述第一絕緣保護層（6a）分別在所歐姆電極設置區域（13a）和所述肖特基電極設置區域（13b）上表面形成有窗口；D.在所述肖特基電極設置區域（13b）上表面窗口部用氮離子輔助注入式電子束蒸發鎳的方法沉積氮化鎳層，然后利用電子束蒸發法在所述氮化鎳層上蒸發沉積金層，形成肖特基電極（5），肖特基電極（5）邊緣覆蓋在所述第一絕緣保護層（6a）形成場板結構；E.利用電子束蒸發工藝在所述歐姆電極設置區域（13a）上表面窗口部形成歐姆電極（4）。

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