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龍圖騰網(wǎng)恭喜江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司申請(qǐng)的專利一種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114335195B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111675137.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D8/60；該發(fā)明授權(quán)一種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法是由邵春林;閆懷寶;閆發(fā)旺設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法，包括由下至上依次設(shè)置的襯底1、緩沖層2、n+?GaN外延層3a、n??GaN外延層3b，n??GaN外延層3b上表面為肖特基電極設(shè)置區(qū)域13b，n+?GaN外延層3a上表面局部露出部分為歐姆電極設(shè)置區(qū)域13a；第一絕緣保護(hù)層6a覆蓋在歐姆電極設(shè)置區(qū)域13a上和肖特基電極設(shè)置區(qū)域13b上，且還覆蓋在n+?GaN外延層3a與n??GaN外延層3b形成的臺(tái)階側(cè)壁面上，第一絕緣保護(hù)層6a在歐姆電極設(shè)置區(qū)域13a上形成的窗口中設(shè)置有歐姆電極4，第一絕緣保護(hù)層6a在肖特基電極設(shè)置區(qū)域13b上形成的窗口中設(shè)置有肖特基電極5。本發(fā)明肖特基勢(shì)壘二極管增加正向電流，提高反向擊穿電壓。

本發(fā)明授權(quán)一種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管，其特征在于，包括：襯底（1）及從所述襯底（1）上表面由下至上依次設(shè)置的緩沖層（2）、n+-GaN外延層（3a）和n--GaN外延層（3b）；所述n--GaN外延層（3b）上表面為肖特基電極設(shè)置區(qū)域（13b），所述n+-GaN外延層（3a）上表面局部露出，所述露出部分為歐姆電極設(shè)置區(qū)域（13a）；第一絕緣保護(hù)層（6a）,所述第一絕緣保護(hù)層（6a）覆蓋在所述歐姆電極設(shè)置區(qū)域（13a）上和所述肖特基電極設(shè)置區(qū)域（13b）上，且第一絕緣保護(hù)層（6a）還覆蓋在n+-GaN外延層（3a）與n--GaN外延層（3b）形成的臺(tái)階側(cè)壁面上，所述第一絕緣保護(hù)層（6a）分別在所述歐姆電極設(shè)置區(qū)域（13a）和所述肖特基電極設(shè)置區(qū)域（13b）上表面形成有窗口；肖特基電極（5），其設(shè)置在所述肖特基電極設(shè)置區(qū)域（13b）的窗口部，所述肖特基電極（5）的邊緣覆蓋在所述第一絕緣保護(hù)層（6a）上構(gòu)成場(chǎng)板結(jié)構(gòu)；歐姆電極（4），所述歐姆電極（4）設(shè)置在所述歐姆電極設(shè)置區(qū)域（13a）的窗口中；所述的亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管的制造方法，包括以下步驟：A.在襯底（1）上依次生長(zhǎng)緩沖層（2）、n+-GaN外延層（3a）、n--GaN外延層（3b）；B.在n--GaN外延層（3b）的局部區(qū)域用刻蝕的方法將n--GaN外延層（3b）除去，露出n+-GaN外延層（3a）的區(qū)域構(gòu)成歐姆電極設(shè)置區(qū)域（13a），未被刻蝕的n--GaN外延層（3b）區(qū)域構(gòu)成肖特基電極設(shè)置區(qū)域（13b）；C.在歐姆電極設(shè)置區(qū)域（13a）上表面、肖特基電極設(shè)置區(qū)域（13b）上表面及n+-GaN外延層（3a）與n--GaN外延層（3b）形成的臺(tái)階側(cè)壁面上沉積第一絕緣保護(hù)層（6a），所述第一絕緣保護(hù)層（6a）分別在所歐姆電極設(shè)置區(qū)域（13a）和所述肖特基電極設(shè)置區(qū)域（13b）上表面形成有窗口；D.在所述肖特基電極設(shè)置區(qū)域（13b）上表面窗口部用氮離子輔助注入式電子束蒸發(fā)鎳的方法沉積氮化鎳層，然后利用電子束蒸發(fā)法在所述氮化鎳層上蒸發(fā)沉積金層，形成肖特基電極（5），肖特基電極（5）邊緣覆蓋在所述第一絕緣保護(hù)層（6a）形成場(chǎng)板結(jié)構(gòu)；E.利用電子束蒸發(fā)工藝在所述歐姆電極設(shè)置區(qū)域（13a）上表面窗口部形成歐姆電極（4）。

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