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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國人民解放軍國防科技大學申請的專利適用于機翼的環(huán)量控制方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114919732B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210686851.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B64C3/14；該發(fā)明授權(quán)適用于機翼的環(huán)量控制方法是由張鑒源;羅振兵;彭文強;趙志杰;鄧雄;李石清設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-06-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本適用于機翼的環(huán)量控制方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種適用于機翼的環(huán)量控制方法，在機翼其翼型上表面，從靠近機翼前緣的位置開始沿翼型上表面的流體流向陣列布置多組由第一射流噴射口和第一流體吸入口組成的吹吸分離口對；各吹吸分離口對中，第一射流噴射口設(shè)置在第一流體吸入口的上游；第一射流噴射口連續(xù)向外噴射射流，噴射出的高能量射流向下游流動，不斷向翼型上表面低能量的邊界層注入能量；第一流體吸入口連續(xù)向內(nèi)吸入周圍流體，不斷吸走第一射流噴射口下游的翼型上表面高壓區(qū)處低能量的邊界層，維持邊界層的能量，以抵抗局部流體的流動分離；沿翼型上表面的流體流向陣列布置多組吹吸分離口對之間形成吹吸接力控制效果，從而實現(xiàn)整個機翼其翼型上表面的流動分離控制。

本發(fā)明授權(quán)適用于機翼的環(huán)量控制方法在權(quán)利要求書中公布了：1.適用于機翼的環(huán)量控制方法，其特征在于，在機翼其翼型上表面，從靠近機翼前緣的位置開始沿翼型上表面的流體流向陣列布置多組由第一射流噴射口和第一流體吸入口組成的吹吸分離口對；各吹吸分離口對中，第一射流噴射口設(shè)置在第一流體吸入口的上游即第一射流噴射口相較于其第一流體吸入口更靠近機翼前緣；第一射流噴射口連續(xù)向外噴射射流，噴射出的高能量射流向下游流動，不斷向翼型上表面低能量的邊界層注入能量；第一流體吸入口連續(xù)向內(nèi)吸入周圍流體，不斷吸走第一射流噴射口下游的翼型上表面高壓區(qū)處低能量的邊界層，維持邊界層的能量，以抵抗局部流體的流動分離；沿翼型上表面的流體流向陣列布置多組吹吸分離口對之間形成吹吸接力控制效果，從而實現(xiàn)整個機翼其翼型上表面的流動分離控制；所述機翼翼型為具有科恩達后緣的翼型，在靠近科恩達后緣的翼型上壁面設(shè)置有第二主射流噴射口、第二接力射流噴射口和第二流體吸入口，所述第二流體吸入口設(shè)置在第二主射流噴射口的上游，第二主射流噴射口更靠近科恩達后緣，位置為科恩達后緣的起點，第二接力射流噴射口則設(shè)置在科恩達后緣處，位置為科恩達偏轉(zhuǎn)氣流的分離點處；第二流體吸入口將翼型上壁面靠近科恩達后緣處低能量的邊界層不斷吸入，以維持上壁面流體的能量，延遲了上壁面的流動分離；第二主射流噴射口不斷向科恩達壁面噴射射流，射流在科恩達后緣的作用下，沿科恩達后緣曲壁面移動，在翼型尾緣處形成偏轉(zhuǎn)流體，偏轉(zhuǎn)流體將會在科恩達后緣處一位置處形成分離，第二接力射流噴射口則設(shè)置在偏轉(zhuǎn)流體的分離點處，向即將分離的偏轉(zhuǎn)流體再次注入能量，使其進行二次偏轉(zhuǎn)，使翼型具有了氣動型彎曲，增大了機翼的環(huán)量。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410073 湖南省長沙市開福區(qū)德雅路109號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。