恭喜浙江創芯集成電路有限公司王爽獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜浙江創芯集成電路有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119069359B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411562899.6，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構及其形成方法是由王爽;許凱;吳永玉;高大為設計研發完成，并于2024-11-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體結構及其形成方法，其中，半導體結構的形成方法包括：提供基底，基底內具有第一摻雜區；在第一摻雜區內形成一個或多個耐壓結構，耐壓結構的介電常數低于第一摻雜區，且耐壓結構具有一個或多個凸起部和或凹陷部；在第一摻雜區內形成體區，體區的摻雜類型與第一摻雜區一致且摻雜濃度大于第一摻雜區，其中，體區的底面位于耐壓結構的頂面上方。采用上述技術方案，能夠提升半導體結構的擊穿電壓。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底內具有第一摻雜區；在所述第一摻雜區內形成深阱摻雜區，所述深阱摻雜區與所述第一摻雜區的摻雜類型不同；在所述第一摻雜區的深阱摻雜區內形成一個或多個耐壓結構，所述耐壓結構的介電常數低于所述第一摻雜區，且所述耐壓結構具有一個或多個凸起部和或凹陷部；在所述第一摻雜區內形成體區，所述體區的摻雜類型與所述第一摻雜區一致且摻雜濃度高于所述第一摻雜區，其中，所述體區的底面位于所述耐壓結構的頂面上方。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江創芯集成電路有限公司，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區經濟技術開發區建設三路733號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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