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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利背照式半導體結構鍵合方法及背照式圖像傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119317213B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411834113.1，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權背照式半導體結構鍵合方法及背照式圖像傳感器是由陶磊設計研發完成，并于2024-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本背照式半導體結構鍵合方法及背照式圖像傳感器在說明書摘要公布了：本公開涉及提供了一種背照式半導體結構鍵合方法及背照式圖像傳感器，方法包括：提供器件晶圓及承載晶圓；器件晶圓包括器件層及位于器件層、襯底之間的外延層；器件層包括光電二極管陣列；在器件層的頂面沉積第一介質層，平坦化處理第一介質層的頂面后，獲取平坦化后第一介質層的頂面的中部區域與環繞該中部區域的外圍區域的高度差；于研磨后第三介質層的頂面沉積第一厚度的第四介質層；化學機械研磨處理第四介質層，去除第二厚度的第四介質層，第二厚度小于第一厚度；將研磨后第四介質層的頂面與承載晶圓的正面鍵合，至少可以降低鍵合晶圓的翹曲程度，降低鍵合界面的氣泡數量，提高器件良率。

本發明授權背照式半導體結構鍵合方法及背照式圖像傳感器在權利要求書中公布了：1.一種背照式半導體結構鍵合方法，其特征在于，所述方法包括：提供器件晶圓及承載晶圓；所述器件晶圓包括器件層及位于所述器件層、襯底之間的外延層；所述器件層包括光電二極管陣列；在所述器件層的頂面沉積第一介質層，平坦化處理所述第一介質層的頂面后，獲取平坦化后第一介質層的頂面的中部區域與環繞該中部區域的外圍區域的高度差；于所述平坦化后第一介質層的頂面沉積第二介質層后，于所述第二介質層的頂面形成預設厚度的第三介質層；其中，在相同的研磨條件下，所述第三介質層的去除速率大于所述第二介質層的去除速率；對所述第三介質層的頂面執行化學機械研磨工藝，使得研磨后第三介質層的頂面臺階差小于目標值；所述預設厚度為所述高度差與所述第三介質層的研磨去除量之和，所述第三介質層的研磨去除量與所述頂面臺階差相關；所述頂面臺階差為研磨后第三介質層的頂面的最高點與最低點之間的高度差；于研磨后第三介質層的頂面沉積第一厚度的第四介質層；化學機械研磨處理所述第四介質層，去除第二厚度的第四介質層，所述第二厚度小于所述第一厚度；將研磨后第四介質層的頂面與所述承載晶圓的正面鍵合。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。