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合肥晶合集成電路股份有限公司陶磊獲國(guó)家專(zhuān)利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利背照式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)鍵合方法及背照式圖像傳感器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN119317213B

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為:202411834113.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10F39/18;該發(fā)明授權(quán)背照式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)鍵合方法及背照式圖像傳感器是由陶磊設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-12-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

背照式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)鍵合方法及背照式圖像傳感器在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本公開(kāi)涉及提供了一種背照式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)鍵合方法及背照式圖像傳感器,方法包括:提供器件晶圓及承載晶圓;器件晶圓包括器件層及位于器件層、襯底之間的外延層;器件層包括光電二極管陣列;在器件層的頂面沉積第一介質(zhì)層,平坦化處理第一介質(zhì)層的頂面后,獲取平坦化后第一介質(zhì)層的頂面的中部區(qū)域與環(huán)繞該中部區(qū)域的外圍區(qū)域的高度差;于研磨后第三介質(zhì)層的頂面沉積第一厚度的第四介質(zhì)層;化學(xué)機(jī)械研磨處理第四介質(zhì)層,去除第二厚度的第四介質(zhì)層,第二厚度小于第一厚度;將研磨后第四介質(zhì)層的頂面與承載晶圓的正面鍵合,至少可以降低鍵合晶圓的翹曲程度,降低鍵合界面的氣泡數(shù)量,提高器件良率。

本發(fā)明授權(quán)背照式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)鍵合方法及背照式圖像傳感器在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種背照式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)鍵合方法,其特征在于,所述方法包括:提供器件晶圓及承載晶圓;所述器件晶圓包括器件層及位于所述器件層、襯底之間的外延層;所述器件層包括光電二極管陣列;在所述器件層的頂面沉積第一介質(zhì)層,平坦化處理所述第一介質(zhì)層的頂面后,獲取平坦化后第一介質(zhì)層的頂面的中部區(qū)域與環(huán)繞該中部區(qū)域的外圍區(qū)域的高度差;于所述平坦化后第一介質(zhì)層的頂面沉積第二介質(zhì)層后,于所述第二介質(zhì)層的頂面形成預(yù)設(shè)厚度的第三介質(zhì)層;其中,在相同的研磨條件下,所述第三介質(zhì)層的去除速率大于所述第二介質(zhì)層的去除速率;對(duì)所述第三介質(zhì)層的頂面執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝,使得研磨后第三介質(zhì)層的頂面臺(tái)階差小于目標(biāo)值;所述預(yù)設(shè)厚度為所述高度差與所述第三介質(zhì)層的研磨去除量之和,所述第三介質(zhì)層的研磨去除量與所述頂面臺(tái)階差相關(guān);所述頂面臺(tái)階差為研磨后第三介質(zhì)層的頂面的最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的高度差;于研磨后第三介質(zhì)層的頂面沉積第一厚度的第四介質(zhì)層;化學(xué)機(jī)械研磨處理所述第四介質(zhì)層,去除第二厚度的第四介質(zhì)層,所述第二厚度小于所述第一厚度;將研磨后第四介質(zhì)層的頂面與所述承載晶圓的正面鍵合。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù),可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人合肥晶合集成電路股份有限公司,其通訊地址為:230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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