恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司胡明輝獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體線路修補方法及半導體測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119395515B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411983557.1，技術領域涉及：G01R31/28；該發明授權半導體線路修補方法及半導體測試方法是由胡明輝;王麗雅;王成龍設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體線路修補方法及半導體測試方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體線路修補方法及半導體測試方法，包括提供一待測樣品，所述待測樣品包括襯底、位于所述襯底上的柵極結構及介質層，所述介質層覆蓋所述柵極結構并延伸覆蓋所述襯底，其中，所述介質層具有第一接觸孔，以暴露所述襯底的接觸區，所述接觸區用于連接所述待測樣品與外部電路；于所述第一接觸孔內形成覆蓋所述接觸區的保護層；去除部分所述介質層，以于所述介質層內形成溝槽，所述溝槽形成于所述保護層遠離所述柵極結構的一側；去除所述保護層，以使所述溝槽和所述第一接觸孔形成具有臺階面且暴露所述接觸區的溝槽結構；于所述溝槽結構內形成金屬層。本申請提升了金屬層的填充效果，減少或避免了開路或短路的風險。
本發明授權半導體線路修補方法及半導體測試方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體線路修補方法，其特征在于，包括：提供一待測樣品，所述待測樣品包括襯底、位于所述襯底上的柵極結構及介質層，所述介質層覆蓋所述柵極結構并延伸覆蓋所述襯底，其中，所述介質層具有第一接觸孔，以暴露所述襯底的接觸區，所述接觸區用于連接所述待測樣品與外部電路；于所述第一接觸孔內形成覆蓋所述接觸區的保護層；去除部分所述介質層，以于所述介質層內形成溝槽，所述溝槽形成于所述保護層遠離所述柵極結構的一側；去除所述保護層，以使所述溝槽和所述第一接觸孔形成具有臺階面且暴露所述接觸區的溝槽結構；于所述溝槽結構內形成覆蓋所述接觸區的金屬層，所述金屬層填滿所述溝槽結構并覆蓋所述臺階面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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