恭喜安盈半導(dǎo)體技術(shù)(常州)有限公司薛冰獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜安盈半導(dǎo)體技術(shù)(常州)有限公司申請的專利一種基于溫度響應(yīng)的芯片測試方法及測試系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN119471327B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為:202510052302.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01R31/28;該發(fā)明授權(quán)一種基于溫度響應(yīng)的芯片測試方法及測試系統(tǒng)是由薛冰設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-01-14向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種基于溫度響應(yīng)的芯片測試方法及測試系統(tǒng)在說明書摘要公布了:本申請公開了一種基于溫度響應(yīng)的芯片測試方法及測試系統(tǒng),屬于芯片測試技術(shù)領(lǐng)域,包括:建立可控溫區(qū)環(huán)境,產(chǎn)生第一溫度區(qū)間,并設(shè)置至少兩個(gè)溫度變化速率;接收來自芯片測試過程中采集到的第一采集數(shù)據(jù),對第一采集數(shù)據(jù)進(jìn)行分析;在芯片測試過程中,進(jìn)行局部溫差控制,并記錄梯度溫度分布情況;結(jié)合第一采集數(shù)據(jù)的分析結(jié)果,與局部溫差控制過程中記錄到的梯度溫差分布情況進(jìn)行耦合,對芯片進(jìn)行動(dòng)態(tài)溫度響應(yīng)分析。在本申請的技術(shù)方案實(shí)施過程中,通過建立可控溫區(qū)環(huán)境及局部溫差控制,模擬芯片的使用場景,并考慮芯片在集成電路中的布局進(jìn)行溫度響應(yīng)測試,優(yōu)化芯片的設(shè)計(jì)以及布局,提高芯片的運(yùn)行穩(wěn)定性。
本發(fā)明授權(quán)一種基于溫度響應(yīng)的芯片測試方法及測試系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種基于溫度響應(yīng)的芯片測試方法,其特征在于:包括:建立可控溫區(qū)環(huán)境,產(chǎn)生第一溫度區(qū)間,并設(shè)置至少兩個(gè)溫度變化速率,在第一溫度區(qū)間內(nèi),根據(jù)所設(shè)置的溫度變化速率對芯片進(jìn)行測試數(shù)據(jù)采集;接收來自芯片測試過程中采集到的第一采集數(shù)據(jù),對第一采集數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,并根據(jù)不同的溫度變化速率對芯片進(jìn)行溫度響應(yīng)分析;在芯片測試過程中,進(jìn)行局部溫差控制,并記錄梯度溫度分布情況;結(jié)合第一采集數(shù)據(jù)的分析結(jié)果,與局部溫差控制過程中記錄到的梯度溫差分布情況進(jìn)行耦合,對芯片進(jìn)行動(dòng)態(tài)溫度響應(yīng)分析;對芯片的動(dòng)態(tài)溫度響應(yīng)分析結(jié)果進(jìn)行時(shí)間序列分析與數(shù)據(jù)挖掘,獲取芯片在不同環(huán)境下的變化趨勢;所述第一采集數(shù)據(jù)包括芯片在各個(gè)溫度變化速率下的負(fù)載狀態(tài)以及功耗,其中,負(fù)載狀態(tài)為芯片的時(shí)鐘頻率,功耗數(shù)據(jù)反映了芯片在不同溫度下的能量消耗情況;根據(jù)不同的溫度變化速率對芯片進(jìn)行溫度響應(yīng)分析進(jìn)一步包括以下步驟:確定芯片在不同溫度變化速率下的性能拐點(diǎn),該性能拐點(diǎn)表示芯片在單位功耗下的時(shí)鐘頻率變化率最大;根據(jù)性能拐點(diǎn),評估芯片在不同溫度變化速率下的性能穩(wěn)定性,從而判斷芯片是否能在實(shí)際應(yīng)用中保持穩(wěn)定運(yùn)行;重復(fù)對芯片進(jìn)行性能穩(wěn)定性的測試步驟,對芯片進(jìn)行循環(huán)測試,并收集和分析多次測試數(shù)據(jù),以獲取更為精確的性能拐點(diǎn)數(shù)據(jù);性能拐點(diǎn)的獲取方法為:獲取芯片在各個(gè)溫度變化速率下的時(shí)鐘頻率和功耗數(shù)據(jù),并按照功耗變化情況計(jì)算單位功耗下的時(shí)鐘頻率變化率,然后將不同功耗變化過程中的芯片時(shí)鐘頻率變化按照相同的方法計(jì)算,得到的結(jié)果中,最大值所在時(shí)鐘頻率即為芯片的性能拐點(diǎn)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人安盈半導(dǎo)體技術(shù)(常州)有限公司,其通訊地址為:213000 江蘇省常州市新北區(qū)華山中路9號(hào)五號(hào)樓118;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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