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龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119480637B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510059121.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/322；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法是由劉鎮(zhèn);宋聰強;徐銳;施平;龍濤設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-01-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，具體涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供基底，基底包括襯底、墊氧化層、第一墊氮化層和多個溝槽隔離結(jié)構(gòu)，墊氧化層覆蓋于相鄰的兩個溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的襯底上，第一墊氮化層覆蓋在墊氧化層的表面，多個溝槽隔離結(jié)構(gòu)至少部分外露于襯底；去除第一墊氮化層；對襯底進(jìn)行離子注入；對墊氧化層進(jìn)行減薄處理；在溝槽隔離結(jié)構(gòu)和墊氧化層的表面形成第二墊氮化層；以圖案化光刻膠為掩膜，對第二墊氮化層、墊氧化層和襯底進(jìn)行刻蝕，以在襯底上形成開口；對開口內(nèi)的襯底進(jìn)行熱氧化處理形成氧化層。采用本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法能夠提高半導(dǎo)體器件的速度，改善半導(dǎo)體器件的電路性能。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括襯底、墊氧化層、第一墊氮化層和多個溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述墊氧化層覆蓋于相鄰的兩個所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的所述襯底上，所述第一墊氮化層覆蓋在所述墊氧化層的表面，多個所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)至少部分外露于所述襯底；去除所述第一墊氮化層；對所述襯底進(jìn)行離子注入；對所述墊氧化層進(jìn)行減薄處理；在所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)和所述墊氧化層的表面形成第二墊氮化層；以圖案化光刻膠為掩膜，對所述第二墊氮化層、所述墊氧化層和所述襯底進(jìn)行刻蝕，以在所述襯底上形成開口；對所述開口內(nèi)的所述襯底進(jìn)行熱氧化處理形成氧化層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。