恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司劉鎮獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體結構的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119480637B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510059121.1，技術領域涉及：H01L21/322；該發明授權一種半導體結構的制備方法是由劉鎮;宋聰強;徐銳;施平;龍濤設計研發完成，并于2025-01-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體結構的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體結構的制備方法，具體涉及半導體技術領域。半導體結構的制備方法包括：提供基底，基底包括襯底、墊氧化層、第一墊氮化層和多個溝槽隔離結構，墊氧化層覆蓋于相鄰的兩個溝槽隔離結構之間的襯底上，第一墊氮化層覆蓋在墊氧化層的表面，多個溝槽隔離結構至少部分外露于襯底；去除第一墊氮化層；對襯底進行離子注入；對墊氧化層進行減薄處理；在溝槽隔離結構和墊氧化層的表面形成第二墊氮化層；以圖案化光刻膠為掩膜，對第二墊氮化層、墊氧化層和襯底進行刻蝕，以在襯底上形成開口；對開口內的襯底進行熱氧化處理形成氧化層。采用本發明的半導體結構的制備方法能夠提高半導體器件的速度，改善半導體器件的電路性能。
本發明授權一種半導體結構的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括襯底、墊氧化層、第一墊氮化層和多個溝槽隔離結構，所述墊氧化層覆蓋于相鄰的兩個所述溝槽隔離結構之間的所述襯底上，所述第一墊氮化層覆蓋在所述墊氧化層的表面，多個所述溝槽隔離結構至少部分外露于所述襯底；去除所述第一墊氮化層；對所述襯底進行離子注入；對所述墊氧化層進行減薄處理；在所述溝槽隔離結構和所述墊氧化層的表面形成第二墊氮化層；以圖案化光刻膠為掩膜，對所述第二墊氮化層、所述墊氧化層和所述襯底進行刻蝕，以在所述襯底上形成開口；對所述開口內的所述襯底進行熱氧化處理形成氧化層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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