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龍圖騰網(wǎng)恭喜珠海格力電器股份有限公司申請的專利開關(guān)控制電路及其控制方法和控制裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110350772B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910748395.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/088；該發(fā)明授權(quán)開關(guān)控制電路及其控制方法和控制裝置是由葉王建;魯其墻設計研發(fā)完成，并于2019-08-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本開關(guān)控制電路及其控制方法和控制裝置在說明書摘要公布了：本公開提出一種開關(guān)控制電路及其控制方法和控制裝置，涉及電子電路領(lǐng)域。利用“MOS晶體管”的組合實現(xiàn)開關(guān)控制電路，使其耐壓值更大，導通電流更大，開關(guān)反應速率更高。

本發(fā)明授權(quán)開關(guān)控制電路及其控制方法和控制裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種開關(guān)控制電路，其特征在于，包括：第一N型金屬氧化物半導體NMOS晶體管，第一NMOS晶體管的柵極與開關(guān)控制端連通，第一NMOS晶體管的漏極與P型金屬氧化物半導體PMOS晶體管的柵極連接，第一NMOS晶體管的源極連接第一地；PMOS晶體管，PMOS晶體管的漏極與第一供電電壓連接，PMOS晶體管的源極與第二NMOS晶體管的柵極和第三NMOS晶體管的柵極分別連接；第二NMOS晶體管，第二NMOS晶體管的漏極與第一輸入端連接，第二NMOS晶體管的源極連接第一地；第三NMOS晶體管，第三NMOS晶體管的漏極與第一輸出端連接，第三NMOS晶體管的源極連接第一地，其中，第一輸入端與第一輸出端之間用于連接負載支路，所述開關(guān)控制端輸入第一電平時，所述第一輸入端與所述第一輸出端處于連通狀態(tài)；所述開關(guān)控制端輸入第二電平時，所述第一輸入端與所述第一輸出端處于斷開狀態(tài)；其中，所述第一電平高于所述第二電平。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人珠海格力電器股份有限公司，其通訊地址為：519070 廣東省珠海市前山金雞西路；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。