恭喜森斯泰克有限公司尤爾根·瓦爾森獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜森斯泰克有限公司申請的專利用于磁阻磁場傳感器的相鄰層結構的布置、磁阻磁場傳感器及其生產方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113383243B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080012220.X，技術領域涉及：G01R33/00；該發明授權用于磁阻磁場傳感器的相鄰層結構的布置、磁阻磁場傳感器及其生產方法是由尤爾根·瓦爾森;約翰尼斯·保羅設計研發完成，并于2020-01-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于磁阻磁場傳感器的相鄰層結構的布置、磁阻磁場傳感器及其生產方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于磁阻磁場傳感器的至少兩個相鄰布置的層結構的布置。每個層結構包括至少一個反鐵磁層和具有第一磁矩的第一鐵磁層。在反鐵磁層和第一鐵磁層之間存在交換耦合。此外，包括具有第二磁矩的第二鐵磁層，其中第二鐵磁層經由布置在第一和第二鐵磁層之間的非磁性耦合層反平行耦合到第一鐵磁層。提出了相鄰布置的層結構的對應的第一鐵磁層和對應的第二鐵磁層的磁化強度彼此不同，特別是具有基本上彼此相反的取向。本發明還涉及具有這種層結構布置的磁阻磁場傳感器，以及用于生產層結構布置和磁阻磁場傳感器的方法。
本發明授權用于磁阻磁場傳感器的相鄰層結構的布置、磁阻磁場傳感器及其生產方法在權利要求書中公布了：1.一種用于磁阻磁場傳感器（10）的至少兩個相鄰布置且同樣構造的層結構（100）的布置，每個層結構（100）包括至少一個反鐵磁層（114）、具有第一磁矩的第一鐵磁層（116）以及具有第二磁矩的第二鐵磁層（120），其中，在所述反鐵磁層（114）和所述第一鐵磁層（116）之間存在交換耦合，所述第二鐵磁層（120）經由布置在所述第一鐵磁層（116）和所述第二鐵磁層（120）之間的非磁性耦合層（118）與所述第一鐵磁層（116）反平行耦合，其中，相鄰布置為中心到中心距離ΔD為50μm或更小的所述層結構（100）的對應的所述第一鐵磁層（116）和所述第二鐵磁層（120）的磁化強度彼此不同，其特征在于，相鄰的層結構（100）的所有相應的鐵磁層（116,120）在一個釘扎步驟中同時建立。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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