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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利高電壓器件、高電子遷移率晶體管器件及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112447839B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010235496.6，技術領域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權高電壓器件、高電子遷移率晶體管器件及其形成方法是由林明正;吳成堡;蔡俊琳;吳浩昀;蘇亮宇;王云翔設計研發(fā)完成，并于2020-03-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本高電壓器件、高電子遷移率晶體管器件及其形成方法在說明書摘要公布了：在一些實施例中，本公開涉及一種高電壓器件，高電壓器件包含襯底，襯底包括第一半導體材料。包括第二半導體材料的溝道層布置在襯底上方。包括第三半導體材料的有源層布置在溝道層上方。在有源層上方的是與漏極觸點間隔開的源極觸點。柵極結構橫向地布置在源極觸點與漏極觸點之間且布置在有源層上方以界定高電子遷移率晶體管HEMT器件。在柵極結構與源極觸點之間的是頂蓋結構，頂蓋結構耦接到源極觸點且與柵極結構橫向間隔開。頂蓋結構和柵極結構的柵極電極包括相同材料。

本發(fā)明授權高電壓器件、高電子遷移率晶體管器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種高電壓器件，包括：襯底，包括第一半導體材料；溝道層，包括所述襯底上方的第二半導體材料；有源層，包括所述溝道層上方的第三半導體材料；源極觸點和漏極觸點，位于所述有源層上方且彼此橫向間隔開；柵極結構，橫向地位于所述源極觸點與所述漏極觸點之間且布置在所述有源層上方以界定高電子遷移率晶體管器件，所述柵極結構包括柵極電極；以及頂蓋結構，耦接到所述源極觸點且布置在所述柵極結構與所述源極觸點之間，其中所述頂蓋結構與所述柵極結構橫向間隔開，且其中所述頂蓋結構和所述柵極電極包括相同材料，其中所述頂蓋結構的上部部分直接接觸所述源極觸點的上部側壁，且其中所述頂蓋結構的底部部分與所述源極觸點的下部側壁橫向間隔開。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。