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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利封裝結構及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN112466862B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010939696.X，技術領域涉及：H10D80/30；該發(fā)明授權封裝結構及其形成方法是由陳碩懋;鄭心圃;許峯誠設計研發(fā)完成，并于2020-09-09向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本封裝結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開實施例提供一種封裝結構及其形成方法。封裝結構包括封裝基板及在封裝基板上方的中介層基板。中介層基板具有面向封裝基板的第一表面及與第一表面相對的第二表面。封裝結構還包括設置在第一表面上的第一半導體裝置及設置在第二表面上的第二半導體裝置。導電結構設置在中介層基板與封裝基板之間。第一半導體裝置位于導電結構之間。第一半導體裝置的第一側與最相鄰的導電結構相距一第一距離，以及第一半導體裝置的第二側與最相鄰的導電結構相距一第二距離，第一側相對于第二側，并且第一距離大于第二距離。

本發(fā)明授權封裝結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種封裝結構，包括：一封裝基板；一中介層基板，設置在該封裝基板上方，其中，該中介層基板具有面向該封裝基板的一第一表面及與該第一表面相對的一第二表面；一第一半導體裝置，設置在該中介層基板的該第一表面上；一第二半導體裝置，設置在該中介層基板的該第二表面上；以及多個導電結構，設置在該中介層基板與該封裝基板之間，用以將該中介層基板接合到該封裝基板，其中，該第一半導體裝置位于所述多個導電結構之間，其中，該第一半導體裝置的一第一側在一第一方向上與最相鄰的導電結構相距一第一距離，以及該第一半導體裝置的一第二側在該第一方向上與最相鄰的導電結構相距一第二距離，其中，該第一側相對于該第二側，并且該第一距離大于該第二距離；其中，該封裝基板具有面向該中介層基板的該第一表面的一上表面及形成在該上表面上的一凹槽，其中，該凹槽配置以容納該第一半導體裝置。

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