恭喜胡南獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜胡南申請的專利低剖面二維波束掃描陣列天線獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN114039215B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202111321559.0,技術領域涉及:H01Q21/00;該發(fā)明授權低剖面二維波束掃描陣列天線是由胡南設計研發(fā)完成,并于2021-11-09向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本低剖面二維波束掃描陣列天線在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種低剖面二維波束掃描陣列天線,涉及陣列天線技術領域。所述陣列天線包括位于下側的諧振器天線ERA本體,所述天線本體包括部分反射表面PRS,所述部分反射表面PRS的上側固定有底層全金屬相位校正結構,所述底層全金屬相位校正結構的上側固定有中層全金屬相位校正結構,所述中層全金屬相位校正結構的上側固定有頂層全金屬相位校正結構,所述底層全金屬相位校正結構與所述部分反射表面PRS之間的距離為λ04,所述全金屬相位校正結構之間的距離為λ03。所述陣列具有天線結構簡單,成本低,功率容量較大等優(yōu)點,天線相位均勻性得到了顯著改善。
本發(fā)明授權低剖面二維波束掃描陣列天線在權利要求書中公布了:1.一種低剖面二維波束掃描陣列天線,其特征在于:包括位于下側的諧振器天線本體(1),所述諧振器天線本體包括部分反射表面PRS(2),所述部分反射表面PRS(2)的上側固定有底層全金屬相位校正結構(3),所述底層全金屬相位校正結構(3)的上側固定有中層全金屬相位校正結構(4),所述中層全金屬相位校正結構(4)的上側固定有頂層全金屬相位校正結構(5),所述底層全金屬相位校正結構(3)與所述部分反射表面PRS(2)之間的距離為λ04,所述底層全金屬相位校正結構(3)與所述中層全金屬相位校正結構(4)之間的距離為λ03,所述中層全金屬相位校正結構(4)與所述頂層全金屬相位校正結構(5)之間的距離為λ03,所述λ0為所述諧振器天線本體工作頻率下的自由空間波長;所述頂層全金屬相位校正結構(5)包括若干個第一校正單元(7)、若干個第二校正單元(8)、若干個圓盤(9)以及連接線,所述頂層全金屬相位校正結構(5)的外圈形成有一圈相互連接的第一校正單元(7),所述第一校正單元(7)包括位于中間的第一方形塊(10)和與第一方形塊(10)的四條邊分別垂直連接的第一連接線(11),位于外圈的所述第一校正單元(7)的內(nèi)側形成有兩圈相互連接第二校正單元(8),所述第一校正單元(7)與相鄰的第二校正單元(8)相互連接,所述第二校正單元(8)包括位于中間的第二方形塊(12)和與第二方形塊(12)的四條邊分別垂直連接的第二連接線(13),所述第一方形塊(10)的面積大于所述第二方形塊(12)的面積,所述第一方形塊(10)與第一校正單元(7)之間通過第一連接線(11)連接,所述第一校正單元(7)與第二校正單元(8)之間通過第一連接線(11)以及第二連接線(13)相互連接,位于內(nèi)圈的第二校正單元(8)的內(nèi)側形成有一圈圓盤(9),所述圓盤(9)與內(nèi)圈的所述第二校正單元(8)之間通過連接線互聯(lián),所述圓盤(9)的內(nèi)圈形成有呈十字交叉的連接線,且位于圓盤(9)內(nèi)圈的連接線的端部具有自由端,使得所述頂層全金屬相位校正結構(5)的圓心形成有空檔,支撐用連接盤(14)位于所述第一校正單元(7)的外側的頂層全金屬相位校正結構(5)的四個角處,且所述支撐用連接盤(14)與所述第一校正單元(7)連接,所述支撐用連接盤(14)的中心形成有安裝孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人胡南,其通訊地址為:100084 北京市海淀區(qū)農(nóng)大南路1號硅谷亮城5號樓406室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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