買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜胡南申請(qǐng)的專利低剖面二維波束掃描陣列天線獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114039215B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111321559.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01Q21/00；該發(fā)明授權(quán)低剖面二維波束掃描陣列天線是由胡南設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-09向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本低剖面二維波束掃描陣列天線在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種低剖面二維波束掃描陣列天線，涉及陣列天線技術(shù)領(lǐng)域。所述陣列天線包括位于下側(cè)的諧振器天線ERA本體，所述天線本體包括部分反射表面PRS，所述部分反射表面PRS的上側(cè)固定有底層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)，所述底層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)的上側(cè)固定有中層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)，所述中層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)的上側(cè)固定有頂層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)，所述底層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)與所述部分反射表面PRS之間的距離為λ04，所述全金屬相位校正結(jié)構(gòu)之間的距離為λ03。所述陣列具有天線結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，功率容量較大等優(yōu)點(diǎn)，天線相位均勻性得到了顯著改善。

本發(fā)明授權(quán)低剖面二維波束掃描陣列天線在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低剖面二維波束掃描陣列天線，其特征在于：包括位于下側(cè)的諧振器天線本體（1），所述諧振器天線本體包括部分反射表面PRS（2），所述部分反射表面PRS（2）的上側(cè)固定有底層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（3），所述底層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（3）的上側(cè)固定有中層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（4），所述中層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（4）的上側(cè)固定有頂層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（5），所述底層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（3）與所述部分反射表面PRS（2）之間的距離為λ04，所述底層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（3）與所述中層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（4）之間的距離為λ03，所述中層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（4）與所述頂層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（5）之間的距離為λ03，所述λ0為所述諧振器天線本體工作頻率下的自由空間波長(zhǎng)；所述頂層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（5）包括若干個(gè)第一校正單元（7）、若干個(gè)第二校正單元（8）、若干個(gè)圓盤（9）以及連接線，所述頂層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（5）的外圈形成有一圈相互連接的第一校正單元（7），所述第一校正單元（7）包括位于中間的第一方形塊（10）和與第一方形塊（10）的四條邊分別垂直連接的第一連接線（11），位于外圈的所述第一校正單元（7）的內(nèi)側(cè)形成有兩圈相互連接第二校正單元（8），所述第一校正單元（7）與相鄰的第二校正單元（8）相互連接，所述第二校正單元（8）包括位于中間的第二方形塊（12）和與第二方形塊（12）的四條邊分別垂直連接的第二連接線（13），所述第一方形塊（10）的面積大于所述第二方形塊（12）的面積，所述第一方形塊（10）與第一校正單元（7）之間通過(guò)第一連接線（11）連接，所述第一校正單元（7）與第二校正單元（8）之間通過(guò)第一連接線（11）以及第二連接線（13）相互連接，位于內(nèi)圈的第二校正單元（8）的內(nèi)側(cè)形成有一圈圓盤（9），所述圓盤（9）與內(nèi)圈的所述第二校正單元（8）之間通過(guò)連接線互聯(lián)，所述圓盤（9）的內(nèi)圈形成有呈十字交叉的連接線，且位于圓盤（9）內(nèi)圈的連接線的端部具有自由端，使得所述頂層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（5）的圓心形成有空檔，支撐用連接盤（14）位于所述第一校正單元（7）的外側(cè)的頂層全金屬相位校正結(jié)構(gòu)（5）的四個(gè)角處，且所述支撐用連接盤（14）與所述第一校正單元（7）連接，所述支撐用連接盤（14）的中心形成有安裝孔。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人胡南，其通訊地址為：100084 北京市海淀區(qū)農(nóng)大南路1號(hào)硅谷亮城5號(hào)樓406室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。