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東南大學(xué)丁收年獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)獲悉東南大學(xué)申請的專利TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114739986B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210426120.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01N21/76;該發(fā)明授權(quán)TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用是由丁收年;車志遠;王曉燕;湯萬升;吳升銅;劉浩;季丹丹設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-04-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用。制備CdTeTiO2NFs復(fù)合材料用作電化學(xué)發(fā)光信號標(biāo)記物。TiO2NFs的表面及內(nèi)部能夠負載大量CdTeQDs,同時可以催化CdTeQDsS2O82?體系的共反應(yīng)過程,使CdTeTiO2NFs電化學(xué)發(fā)光強度顯著提高。將磁性材料Fe3O4@SiO2NPs用作磁性分離載體,其擁有超順磁性、良好的生物相容性、易于生物修飾等優(yōu)點。本發(fā)明基于抗原與抗體之間的相互作用構(gòu)建了電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器,該傳感器擁有靈敏度高、特異性強、穩(wěn)定性好、檢測限低、線性范圍寬、操作簡單等特點。

本發(fā)明授權(quán)TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了:1.一種TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器,其特征在于:該傳感器包括信號單元CdTeTiO2NFs-Ab2、非特異性結(jié)合位點被封閉的Fe3O4@SiO2-Ab1,以及分別與CdTeTiO2NFs-Ab2、Fe3O4@SiO2-Ab1通過抗原-抗體間的相互作用連接的抗原;所述CdTeTiO2NFs-Ab2為CdTeTiO2NFs標(biāo)記的抗原對應(yīng)的第二抗體;所述CdTeTiO2NFs為負載CdTeQDs的TiO2NFs;所述Fe3O4@SiO2-Ab1為表面化學(xué)修飾有抗原對應(yīng)的第一抗體Fe3O4@SiO2,所述Fe3O4@SiO2為SiO2包覆的Fe3O4;所述的CdTeTiO2NFs-Ab2的制備方法包括以下步驟:1活化CdTeTiO2NFs表面的羧酸基團;2使第二抗體與經(jīng)過活化處理的CdTeTiO2NFs表面及內(nèi)部的羧酸基團反應(yīng),獲得CdTeTiO2NFs標(biāo)記的抗原對應(yīng)的第二抗體;所述非特異性結(jié)合位點被封閉的Fe3O4@SiO2-Ab1的制備方法包括以下步驟:1使戊二醛與表面氨基化的Fe3O4@SiO2反應(yīng),獲得戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2;2使第一抗體與戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2反應(yīng),通過戊二醛的交聯(lián)反應(yīng)將第一抗體連接到Fe3O4@SiO2上,獲得表面修飾有第一抗體的Fe3O4@SiO2;3使用牛血清白蛋白封閉表面修飾有第一抗體的Fe3O4@SiO2的非特異性結(jié)合位點,獲得非特異性結(jié)合位點被封閉的Fe3O4@SiO2-Ab1。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人東南大學(xué),其通訊地址為:211189 江蘇省南京市江寧區(qū)東南大學(xué)路2號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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