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龍圖騰網獲悉東南大學申請的專利TiO₂納米花負載CdTe量子點的電化學發光免疫傳感器及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114739986B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210426120.2，技術領域涉及：G01N21/76；該發明授權TiO₂納米花負載CdTe量子點的電化學發光免疫傳感器及其制備方法和應用是由丁收年;車志遠;王曉燕;湯萬升;吳升銅;劉浩;季丹丹設計研發完成，并于2022-04-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本TiO₂納米花負載CdTe量子點的電化學發光免疫傳感器及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學發光免疫傳感器及其制備方法和應用。制備CdTeTiO2NFs復合材料用作電化學發光信號標記物。TiO2NFs的表面及內部能夠負載大量CdTeQDs，同時可以催化CdTeQDsS2O82?體系的共反應過程，使CdTeTiO2NFs電化學發光強度顯著提高。將磁性材料Fe3O4@SiO2NPs用作磁性分離載體，其擁有超順磁性、良好的生物相容性、易于生物修飾等優點。本發明基于抗原與抗體之間的相互作用構建了電化學發光免疫傳感器，該傳感器擁有靈敏度高、特異性強、穩定性好、檢測限低、線性范圍寬、操作簡單等特點。

本發明授權TiO₂納米花負載CdTe量子點的電化學發光免疫傳感器及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學發光免疫傳感器，其特征在于：該傳感器包括信號單元CdTeTiO2NFs-Ab2、非特異性結合位點被封閉的Fe3O4@SiO2-Ab1，以及分別與CdTeTiO2NFs-Ab2、Fe3O4@SiO2-Ab1通過抗原-抗體間的相互作用連接的抗原；所述CdTeTiO2NFs-Ab2為CdTeTiO2NFs標記的抗原對應的第二抗體；所述CdTeTiO2NFs為負載CdTeQDs的TiO2NFs；所述Fe3O4@SiO2-Ab1為表面化學修飾有抗原對應的第一抗體Fe3O4@SiO2，所述Fe3O4@SiO2為SiO2包覆的Fe3O4；所述的CdTeTiO2NFs-Ab2的制備方法包括以下步驟：1活化CdTeTiO2NFs表面的羧酸基團；2使第二抗體與經過活化處理的CdTeTiO2NFs表面及內部的羧酸基團反應，獲得CdTeTiO2NFs標記的抗原對應的第二抗體；所述非特異性結合位點被封閉的Fe3O4@SiO2-Ab1的制備方法包括以下步驟：1使戊二醛與表面氨基化的Fe3O4@SiO2反應，獲得戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2；2使第一抗體與戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2反應，通過戊二醛的交聯反應將第一抗體連接到Fe3O4@SiO2上，獲得表面修飾有第一抗體的Fe3O4@SiO2；3使用牛血清白蛋白封閉表面修飾有第一抗體的Fe3O4@SiO2的非特異性結合位點，獲得非特異性結合位點被封閉的Fe3O4@SiO2-Ab1。

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