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龍圖騰網(wǎng)獲悉東南大學(xué)申請的專利TiO₂納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114739986B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210426120.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N21/76；該發(fā)明授權(quán)TiO₂納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用是由丁收年;車志遠;王曉燕;湯萬升;吳升銅;劉浩;季丹丹設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-04-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本TiO₂納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用。制備CdTeTiO2NFs復(fù)合材料用作電化學(xué)發(fā)光信號標(biāo)記物。TiO2NFs的表面及內(nèi)部能夠負載大量CdTeQDs，同時可以催化CdTeQDsS2O82?體系的共反應(yīng)過程，使CdTeTiO2NFs電化學(xué)發(fā)光強度顯著提高。將磁性材料Fe3O4@SiO2NPs用作磁性分離載體，其擁有超順磁性、良好的生物相容性、易于生物修飾等優(yōu)點。本發(fā)明基于抗原與抗體之間的相互作用構(gòu)建了電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器，該傳感器擁有靈敏度高、特異性強、穩(wěn)定性好、檢測限低、線性范圍寬、操作簡單等特點。

本發(fā)明授權(quán)TiO₂納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種TiO2納米花負載CdTe量子點的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器，其特征在于：該傳感器包括信號單元CdTeTiO2NFs-Ab2、非特異性結(jié)合位點被封閉的Fe3O4@SiO2-Ab1，以及分別與CdTeTiO2NFs-Ab2、Fe3O4@SiO2-Ab1通過抗原-抗體間的相互作用連接的抗原；所述CdTeTiO2NFs-Ab2為CdTeTiO2NFs標(biāo)記的抗原對應(yīng)的第二抗體；所述CdTeTiO2NFs為負載CdTeQDs的TiO2NFs；所述Fe3O4@SiO2-Ab1為表面化學(xué)修飾有抗原對應(yīng)的第一抗體Fe3O4@SiO2，所述Fe3O4@SiO2為SiO2包覆的Fe3O4；所述的CdTeTiO2NFs-Ab2的制備方法包括以下步驟：1活化CdTeTiO2NFs表面的羧酸基團；2使第二抗體與經(jīng)過活化處理的CdTeTiO2NFs表面及內(nèi)部的羧酸基團反應(yīng)，獲得CdTeTiO2NFs標(biāo)記的抗原對應(yīng)的第二抗體；所述非特異性結(jié)合位點被封閉的Fe3O4@SiO2-Ab1的制備方法包括以下步驟：1使戊二醛與表面氨基化的Fe3O4@SiO2反應(yīng)，獲得戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2；2使第一抗體與戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2反應(yīng)，通過戊二醛的交聯(lián)反應(yīng)將第一抗體連接到Fe3O4@SiO2上，獲得表面修飾有第一抗體的Fe3O4@SiO2；3使用牛血清白蛋白封閉表面修飾有第一抗體的Fe3O4@SiO2的非特異性結(jié)合位點，獲得非特異性結(jié)合位點被封閉的Fe3O4@SiO2-Ab1。

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