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龍圖騰網(wǎng)獲悉中北大學(xué)申請(qǐng)的專利一種基于殘差網(wǎng)絡(luò)的一維心電數(shù)據(jù)分類方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114692698B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210429753.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F18/241；該發(fā)明授權(quán)一種基于殘差網(wǎng)絡(luò)的一維心電數(shù)據(jù)分類方法是由臧俊斌;薛晨陽(yáng);張志東;李波;王巨亮;劉丹設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于殘差網(wǎng)絡(luò)的一維心電數(shù)據(jù)分類方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，具體提供了一種基于殘差網(wǎng)絡(luò)的一維心電數(shù)據(jù)分類方法，該方法包括如下步驟：S1，獲取心電數(shù)據(jù)并對(duì)其進(jìn)行預(yù)處理；S2，構(gòu)建網(wǎng)絡(luò)模型；S3，對(duì)構(gòu)建的網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行訓(xùn)練和測(cè)試；S4，使用測(cè)試好的網(wǎng)絡(luò)模型對(duì)心電數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。步驟S2構(gòu)建的網(wǎng)絡(luò)模型包括卷積層+BN層+ReLU激活函數(shù)+全局最大池化層、RE1.1殘差模塊、RE2殘差模塊、全局平均池化層+全連接層，具體地，本發(fā)明對(duì)殘差網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行了改進(jìn)，在殘差塊的使用上僅使用了RE1.1，去掉了原始網(wǎng)絡(luò)中的RE1.2，并在RE1.1后直接連接上了RE2進(jìn)行特征數(shù)與通道數(shù)的同步融合，最后通過全連接層進(jìn)行特征拉平并進(jìn)行SoftMax分類。本發(fā)明方法對(duì)多類別心電數(shù)據(jù)的分類準(zhǔn)確率較高，且訓(xùn)練與測(cè)試所需時(shí)間較短。

本發(fā)明授權(quán)一種基于殘差網(wǎng)絡(luò)的一維心電數(shù)據(jù)分類方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于殘差網(wǎng)絡(luò)的一維心電數(shù)據(jù)分類方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：S1，獲取心電數(shù)據(jù)并對(duì)其進(jìn)行預(yù)處理；S2，構(gòu)建網(wǎng)絡(luò)模型；S3，對(duì)構(gòu)建的網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行訓(xùn)練和測(cè)試；S4，使用測(cè)試好的網(wǎng)絡(luò)模型對(duì)心電數(shù)據(jù)進(jìn)行分類；所述步驟S2中，依次構(gòu)建卷積層+BN層+ReLU+全局最大池化層、RE1.1殘差模塊、RE2殘差模塊、全局平均池化層+全連接層；所述卷積層為3*3的卷積網(wǎng)絡(luò)，步長(zhǎng)為1，所述RE1.1殘差模塊包括四個(gè)依次連接的RE1.1殘差單元，所述RE1.1殘差單元包括第一分支、第二分支、激活函數(shù)，所述第一分支和所述第二分支的結(jié)果輸入激活函數(shù)，所述第一分支為依次連接的卷積層2、BN層、ReLU激活函數(shù)、卷積層3、DP層、BN層，所述第二分支為卷積層4和BN層，在所述RE1.1殘差單元中通道數(shù)變?yōu)檩斎氲膬杀叮卣鲾?shù)變?yōu)檩斎氲亩种唬鼍矸e層2的卷積核大小為3，步長(zhǎng)為2，所述卷積層3的卷積核大小為3，步長(zhǎng)為1，所述卷積層4的卷積核大小為1，步長(zhǎng)為2，所述RE1.1殘差模塊中包含DP層，所述DP層設(shè)置于所述卷積層3之后，所述BN層之前；所述RE2殘差模塊包括一個(gè)RE2殘差單元，在所述RE2殘差單元中包括第三分支、第四分支、激活函數(shù)，所述第三分支和所述第四分支的結(jié)果輸入激活函數(shù)，所述第三分支為依次連接的卷積層5、BN層、ReLU激活函數(shù)、卷積層6、BN層，所述第四分支為卷積層7和BN層，在所述RE2殘差單元中，通道數(shù)變?yōu)檩斎氲乃姆种唬卣鲾?shù)變?yōu)檩斎氲亩种唬鼍矸e層5和卷積層6的卷積核大小為3，步長(zhǎng)為2，卷積層7的卷積核大小為1，步長(zhǎng)為4。

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