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龍圖騰網獲悉福建華佳彩有限公司申請的專利一種ESL轉BCE架構的TFT器件的制造工藝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115020336B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210640391.8，技術領域涉及：H10D86/01；該發明授權一種ESL轉BCE架構的TFT器件的制造工藝方法是由陳偉;潛垚設計研發完成，并于2022-06-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種ESL轉BCE架構的TFT器件的制造工藝方法在說明書摘要公布了：一種ESL轉BCE架構的TFT器件的制造工藝方法，包括：依序在玻璃基板上形成金屬柵極、柵極絕緣層；柵極絕緣層上沉積有源層；在有源層上表面涂布一層第一正型光阻，進行曝光顯影制程，將未被光罩遮擋的第一正型光阻顯影去除，并進行硬烤，去除PR內溶劑，完全硬化形成保護膜；Pattern出有源層SE；繼續涂布一層第二正型光阻，進行DC制程曝光顯影；顯影掉被ES光罩光照到的第二正型光阻；采用干蝕刻方式蝕刻出DC孔；進行光阻剝膜制程，此時DC孔完全開孔，有源層未被蝕刻；Pattern出源漏極；沉積一層鈍化絕緣層，形成TFT器件。本發明解決了現有的ESL轉BCE架構遇到的有源層背溝道damage的制程問題。

本發明授權一種ESL轉BCE架構的TFT器件的制造工藝方法在權利要求書中公布了：1.一種ESL轉BCE架構的TFT器件的制造工藝方法，其特征在于：包括如下步驟：第一步：依序在玻璃基板上圖案化形成金屬柵極、柵極絕緣層；第二步：在所述柵極絕緣層上采用物理氣相沉積法沉積有源層；第三步：在所述有源層上表面涂布一層第一正型光阻，該第一正型光阻遇光溶于顯影液；第四步：進行曝光顯影制程，將未被光罩遮擋的所述第一正型光阻顯影去除，并進行硬烤，去除PR內溶劑，完全硬化形成保護膜；第五步：圖案化形成有源層；此處不進行薄膜制程，即不去除所述第一正型光阻；第六步：隨后繼續涂布一層第二正型光阻，以原有的ES光罩進行DC制程曝光顯影；第七步：顯影掉被ES光罩光照到的所述第二正型光阻；第八步：采用干蝕刻方式蝕刻出DC孔，而原有的ES孔位置因為有所述第一正型光阻的保護，所述有源層SE未被蝕刻到；第九步：進行光阻剝膜制程，此時DC孔完全開孔，所述有源層SE未被蝕刻；第十步：圖案化形成源漏極；第十一步：隨后采用化學氣相沉積法沉積一層鈍化絕緣層，形成TFT器件。

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