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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州領(lǐng)慧立芯科技有限公司申請的專利一種快速啟動的電流產(chǎn)生電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN117930932B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202410085784.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G05F1/567；該發(fā)明授權(quán)一種快速啟動的電流產(chǎn)生電路是由李雪民;王漢卿;汪荔設計研發(fā)完成，并于2024-01-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種快速啟動的電流產(chǎn)生電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種快速啟動的電流產(chǎn)生電路。該電路包括：快速啟動電路，包括多個MOS管，通過控制信號pdb控制多個MOS管的通斷，進而控制快速啟動電路的開啟關(guān)閉；電流產(chǎn)生電路，包括正溫度系數(shù)電流模塊、負溫度系數(shù)電流模塊和恒定溫度系數(shù)電流模塊。本發(fā)明通過控制信號pdb控制快速啟動電路開啟關(guān)閉進而控制電流產(chǎn)生電路的開啟關(guān)閉，在快速啟動電路開啟時，節(jié)點Nb從高電平下降，瞬間產(chǎn)生大電流使節(jié)點Na的電壓快速降低，實現(xiàn)快速啟動電流產(chǎn)生電路，電流產(chǎn)生電路啟動后，快速啟動電路快速關(guān)閉，縮短了快速啟動電路從開啟到關(guān)閉的時間間隔，降低了控制信號pdb的占空比，進而降低了快速啟動電路的功耗。

本發(fā)明授權(quán)一種快速啟動的電流產(chǎn)生電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種快速啟動的電流產(chǎn)生電路，其特征在于，包括：快速啟動電路，包括多個MOS管，通過控制信號pdb控制多個所述MOS管的通斷，進而控制所述快速啟動電路的開啟關(guān)閉；在所述快速啟動電路開啟時，節(jié)點Nb從高電平下降，瞬間產(chǎn)生大電流使節(jié)點Na的電壓快速降低，以快速啟動電流產(chǎn)生電路；電流產(chǎn)生電路啟動后，拉高節(jié)點Nc的電壓，使節(jié)點Na的電壓拉高，斷開快速啟動電路與電流產(chǎn)生電路的連接；電流產(chǎn)生電路，包括正溫度系數(shù)電流模塊、負溫度系數(shù)電流模塊和恒定溫度系數(shù)電流模塊，輸出端IOUT1用于輸出正溫度系數(shù)電流，輸出端IOUT2用于輸出恒定溫度系數(shù)電流；通過控制信號pdb、控制信號pd和所述快速啟動電路控制所述輸出端IOUT1和所述輸出端IOUT2的電流輸出；所述快速啟動電路包括：NMOS管M0～M3、PMOS管M4～M6、電容C1和電阻R0；NMOS管M0的柵極與NMOS管M1的柵極、電容C1的第一端電連接，并與電阻R0的第一端電連接，連接點為節(jié)點Nb，NMOS管M0的源極與NMOS管M1的源極接地，電容C1的第二端接地；NMOS管M2的柵極與NMOS管M3的柵極電連接，并接入控制信號pdb，NMOS管M2的源極與NMOS管M0的漏極電連接，NMOS管M3的源極與NMOS管M1的漏極電連接，NMOS管M3的漏極與電阻R0的第一端電連接，電阻R0的第二端與VDD電連接；PMOS管M4的柵極接控制信號pdb，PMOS管M4的源極和PMOS管M5的源極分別與VDD電連接，PMOS管M4的漏極與PMOS管M5的漏極電連接，并與PMOS管M6的柵極和NMOS管M2的漏極電連接，連接點為節(jié)點Na，PMOS管M6的源極與VDD電連接；所述正溫度系數(shù)電流模塊包括：PMOS管M7～M11、NMOS管M12～M13、NMOS管M15、電阻R1和三極管Q1～Q2；PMOS管M7的漏極與PMOS管M5的柵極電連接，并與PMOS管M7的柵極電連接，PMOS管M7的柵極與PMOS管M8的漏極電連接，并與PMOS管M9的柵極、PMOS管M10的柵極和PMOS管M11的柵極電連接，PMOS管M7的源極、PMOS管M8的源極、PMOS管M9的源極、PMOS管M10的源極、PMOS管M11的源極分別與VDD電連接，PMOS管M8的柵極接控制信號pdb，PMOS管M10的漏極與輸出端IOUT1電連接；NMOS管M12的漏極與PMOS管M7的漏極電連接，NMOS管M12的柵極與NMOS管M13的柵極、NMOS管M14的柵極電連接，PMOS管M6的漏極與NMOS管M12的柵極電連接，并與NMOS管M13的漏極和PMOS管M9的漏極電連接，連接點為節(jié)點Nc，NMOS管M12的源極與電阻R1的第一端電連接，電阻R1的第二端與三極管Q1的發(fā)射極電連接，三極管Q1的集電極和基極接地，NMOS管M13的源極與三極管Q2的發(fā)射極電連接，三極管Q2的集電極和基極接地，NMOS管M15的柵極接控制信號pd，NMOS管M15的源極接地；所述負溫度系數(shù)電流模塊包括：PMOS管M16～M19、NMOS管M14和電阻R2；NMOS管M14的源極與電阻R2的第一端電連接，NMOS管M14的柵極與NMOS管M15的漏極電連接，電阻R2的第二端接地，PMOS管M16的漏極與PMOS管M16的柵極、NMOS管M14的漏極電連接，PMOS管M16的柵極與PMOS管M17的漏極、PMOS管M18的柵極電連接，PMOS管M18的漏極與PMOS管M19的漏極、PMOS管M11的漏極、NMOS管M20的漏極電連接，PMOS管M19的柵極接控制信號pdb，PMOS管M16的源極、PMOS管M17的源極、PMOS管M18的源極和PMOS管M19的源極分別與VDD電連接；所述恒定溫度系數(shù)電流模塊包括：NMOS管M20～M22；NMOS管M20的漏極與NMOS管M21的柵極、NMOS管M22的柵極電連接，NMOS管M20的柵極接控制信號pdb，NMOS管M20的源極與NMOS管M21的漏極電連接，NMOS管M22的漏極與輸出端IOUT2電連接，NMOS管M21的源極和NMOS管M22的源極接地。

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