恭喜通威太陽能(眉山)有限公司常青獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜通威太陽能(眉山)有限公司申請的專利制造晶硅太陽能電池片的方法以及晶硅太陽能電池片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110911504B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911319956.7，技術領域涉及：H10F77/30；該發明授權制造晶硅太陽能電池片的方法以及晶硅太陽能電池片是由常青;姚騫;張家峰;馬列;王秀鵬設計研發完成，并于2019-12-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本制造晶硅太陽能電池片的方法以及晶硅太陽能電池片在說明書摘要公布了：本發明涉及一種制造晶硅太陽能電池片的方法和晶硅太陽能電池片。方法包括設置基體片以及在基體片的頂表面、底表面上施加柵線，太陽能電池片包括N型硅片、位于N型硅片底表面上的N型多晶硅鈍化層以及位于N型硅片的頂表面上的由硼摻雜步驟而生成的P型摻雜層，在設置晶硅太陽能電池片時在對N型硅片的頂表面進行硼摻雜之前先制備N型多晶硅鈍化層。根據本發明，在制造過程中先生成N型多晶硅鈍化層之后再在硅片表面進行硼摻雜，因而在生成N型多晶硅鈍化層時硅片的頂表面還沒有形成PN結，此時即使有磷繞鍍到頂表面也不會對太陽能電池片的性能產生影響。
本發明授權制造晶硅太陽能電池片的方法以及晶硅太陽能電池片在權利要求書中公布了：1.一種制造晶硅太陽能電池片的方法，所述方法包括設置基體片以及在所述基體片的頂表面、底表面上施加柵線，所述太陽能電池片包括N型硅片、位于所述N型硅片底表面上的N型鈍化層以及位于所述N型硅片的頂表面上的由硼摻雜步驟而生成的P型摻雜層，所述N型鈍化層為N型多晶硅鈍化層或摻雜碳化硅鈍化層，其特征在于，在設置所述晶硅太陽能電池片時在對所述N型硅片的頂表面進行硼摻雜之前先制備所述N型鈍化層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人通威太陽能(眉山)有限公司，其通訊地址為：620000 四川省眉山市東坡區修文鎮進修路8號附1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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