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龍圖騰網恭喜全宇昕科技股份有限公司申請的專利金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113130651B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010040387.9，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法是由徐信佑;陳涌昌;王振煌設計研發完成，并于2020-01-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法。金屬氧化物半導體場效晶體管包含基材結構、多個摻雜區域、氧化層結構、多個半導體層結構、介電質層結構及金屬結構?；慕Y構包含基底層及磊晶層。磊晶層沿第一方向形成多個溝槽。任兩相鄰的溝槽間形成一間距。多個溝槽間的間距沿第一方向遞增。多個摻雜區域分別形成于多個溝槽的底部。氧化層結構形成于多個溝槽的內壁及磊晶層的表面上。多個半導體層結構分別形成于多個溝槽中，以形成多個溝渠式結構。介電質層結構形成于氧化層結構上。金屬結構形成于介電質層結構上且電性連接于至少其中一個溝渠式結構。借此，能實現生產成本低、生產產率高、體積小、及構造簡單等產品上的競爭優勢。

本發明授權金屬氧化物半導體場效晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種金屬氧化物半導體場效晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物半導體場效晶體管包括： 一基材結構，其包含： 一基底層；及 一磊晶層，其形成于所述基底層上，并且所述磊晶層形成有多個溝槽； 其中，多個所述溝槽是沿著一第一方向間隔地凹設于所述磊晶層的相反于所述基底層的一側表面，并且任何兩個相鄰的所述溝槽之間形成有一間距，而多個所述溝槽之間的所述間距是沿著所述第一方向遞增；其中，多個所述溝槽的數量為N個，N為大于3的正整數，并且任何兩個彼此相鄰的所述間距的一增加量是介于5％至25％之間； 多個摻雜區域，其分別形成于多個所述溝槽的底部、且朝著所述磊晶層的部分擴散； 一氧化層結構，其包含： 多個溝槽氧化層，其分別形成于多個所述溝槽的內壁上、且分別抵接于多個所述摻雜區域；其中，每個所述溝槽氧化層包圍形成有一凹槽；及 一披覆氧化層，其形成于所述磊晶層的相反于所述基底層的一側表面上、且延伸地連接于多個所述溝槽氧化層之間； 多個半導體層結構，其分別形成于多個所述凹槽中，以分別與多個所述溝槽氧化層共同形成為多個溝渠式結構； 一介電質層結構，其形成且覆蓋于所述氧化層結構及多個所述半導體層結構上；以及 一金屬結構，其形成于所述介電質層結構的相反于所述基底層的一側表面上、且電性連接于多個所述溝渠式結構中的至少其中一個所述溝渠式結構。

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