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  • 根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電池組包括:一個或多個第一電池模塊,每個第一電池模塊包括多個電池電芯;以及一個或多個第二電池模塊,每個第二電池模塊包括多個電池電芯,鄰近相應的第一電池模塊設(shè)置,其中,第一電池模塊和第二電池模塊具有不同的最大荷電狀態(tài)(S...
  • 本發(fā)明的目的為提供一種光學薄膜,能夠抑制在高溫高濕下長時間使用時的初期密合性的降低,同時抑制因延伸等而易粘接層白化、光學特性降低。一種光學薄膜,其特征在于,具有含有丙烯酸系樹脂作為主要成分的樹脂薄膜、層疊在樹脂薄膜一側(cè)的表面而成的易粘接層的...
  • 本發(fā)明提供一種金屬化膜,其中即便在樹脂表面形成導電性薄膜層,接觸電阻也低于表面電阻,能夠不斷裂地搬送等后續(xù)工序適性優(yōu)異,并且與正極活性物質(zhì)的密接力也優(yōu)異。一種二次電池正極用金屬化膜,在樹脂膜的至少一個表面形成有鋁金屬層,并且利用ACOM?T...
  • 本發(fā)明為一種熱成型裝置(100),其借助加熱單元(110)來進行樹脂制片材(S)的加熱,并使用模具(200)來進行樹脂制片材(S)的模具賦形,其中,樹脂制片材(S)保持在配置于上部的第一腔室(101)與配置于下部的第二腔室(102)之間,該...
  • 本發(fā)明的課題在于開發(fā)包含TLR7/8雙激動劑化合物的抗體藥物復合體或其鹽,提供用于在各種癌癥的預防或治療中使用的醫(yī)藥組合物。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了具有TLR7/8雙激動劑作用的化合物或其鹽,對能夠成為各種癌癥的預防或治療用醫(yī)藥組合物的有效成分的抗體...
  • 本發(fā)明公開了一種半導體外延片及其工藝方法,半導體外延片包括:襯底、位于襯底上的N型氮化物層、氮化物發(fā)光層及P型氮化物復合層。P型氮化物復合層包括P型氮化物種子層以及自下而上循環(huán)交替層疊生成的連接層和P型氮化物子層,P型氮化物種子層及P型氮化...
  • 本申請?zhí)峁┮环N驅(qū)動背板、外延片及制備方法、顯示模組、電子設(shè)備,涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,用于提高顯示模組中發(fā)光器件的效率。驅(qū)動背板,包括襯底、驅(qū)動電路層、反射層以及第一鍵合層,驅(qū)動電路層、反射層以及第一鍵合層依次設(shè)置在襯底的同一側(cè)。反射層包括層疊設(shè)...
  • 本公開提出一種半導體器件及其制造方法。半導體器件包括半導體層。半導體層具有相對的第一表面和第二表面。半導體層包括:源極區(qū)和柵極區(qū)。源極區(qū)包括N型源區(qū)、第一P型體層和載流子存儲層。柵極區(qū)包括柵氧化層和多晶硅。多晶硅的側(cè)壁和底部被柵氧化層包圍。...
  • 一種半導體電力裝置,包括有源區(qū),有源區(qū)包括第一導電類型的漂移區(qū);第二導電類型的體區(qū),其中第二導電類型與第一導電類型相反;超級結(jié)區(qū),其至少部分地布置在漂移區(qū)與體區(qū)之間,超級結(jié)區(qū)包括:第一導電類型的第一柱,第二導電類型的第二柱的至少一部分,第一...
  • 本發(fā)明涉及一種具有隔離結(jié)構(gòu)的半導體器件及隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,所述半導體器件包括:襯底;第一摻雜區(qū),位于襯底上,摻雜濃度小于襯底的摻雜濃度;結(jié)隔離結(jié)構(gòu),包括第一埋藏區(qū)和與第一埋藏區(qū)直接接觸的第二埋藏區(qū),第一埋藏區(qū)位于第一摻雜區(qū)上,第二埋藏區(qū)位...
  • 本發(fā)明提供一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法,其中,半導體結(jié)構(gòu)的形成方法包括:提供一基底,在基底的表面自下而上依次形成柵氧化層和柵極結(jié)構(gòu),柵極結(jié)構(gòu)暴露出柵氧化層的周邊區(qū)域;對柵氧化層兩側(cè)的基底刻蝕以形成溝槽;對周邊區(qū)域執(zhí)行離子注入形成防擴散區(qū)域以防...
  • 本申請公開了一種上行波束管理方法、裝置、通信設(shè)備及存儲介質(zhì),屬于通信技術(shù)領(lǐng)域,本申請實施例的上行波束管理方法包括:終端向網(wǎng)絡側(cè)設(shè)備發(fā)送N個第一信號,第一信號用于確定目標上行傳輸?shù)牟ㄊ?,N為正整數(shù);其中,第一信號包括以下任一項:第一上行信號;...
  • 本申請公開了一種下行波束管理方法、裝置、通信設(shè)備及存儲介質(zhì),屬于通信技術(shù)領(lǐng)域,本申請實施例的下行波束管理方法包括:終端接收網(wǎng)絡側(cè)設(shè)備發(fā)送的N個第一信號,該第一信號用于確定目標下行傳輸?shù)哪繕瞬ㄊ?,N為正整數(shù);其中,第一信號包括以下至少一項:第...
  • 本發(fā)明實施例提供了一種調(diào)試方法及終端設(shè)備,包括:調(diào)試端設(shè)備向運維平臺發(fā)送針對終端設(shè)備的調(diào)試開啟指令,調(diào)試信息代理服務器建立連接,訂閱與調(diào)試響應相關(guān)的消息主題;應用管理服務器向終端設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)調(diào)試開啟指令;終端設(shè)備響應于調(diào)試開啟指令,與調(diào)試信息代...
  • 本發(fā)明提供了一種包覆型富鋰錳基正極材料及其制備方法與應用,所述制備方法包括如下步驟:將富鋰錳基前驅(qū)體與鋰源進行混合和一次焙燒、粉碎過篩,得到富鋰錳基一次粉碎料;將富鋰錳基一次粉碎料與共沉淀反應原料液相混合,進行共沉淀反應,共沉淀反應原料包括...
  • 本發(fā)明公開了一種半導體器件的制備方法和半導體器件,所述半導體器件的制備方法包括:在碳化硅襯底上生長柵氧膜層;通過氮化退火工藝對所述柵氧膜層進行第一次退火處理;通過惰性氣體退火工藝對所述柵氧膜層進行第二次退火處理。采用該制備方法可以有效減低界...
  • 本申請?zhí)峁┮环N柔性顯示面板以及顯示裝置,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,柔性顯示面板包括背膜以及設(shè)置在背膜一側(cè)的基板;柔性顯示面板具有主體結(jié)構(gòu)區(qū)、綁定區(qū)以及位于主體結(jié)構(gòu)區(qū)與綁定區(qū)之間的彎折區(qū),主體結(jié)構(gòu)區(qū)包括顯示區(qū)以及圍繞顯示區(qū)的封裝區(qū);基板包括第一金屬層...
  • 本申請公開了一種串擾補償效果的確定方法、裝置、電子設(shè)備以及存儲介質(zhì),涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取已補償圖像,其中,已補償圖像通過對存在串擾跳變的圖像進行串擾補償獲得,將已補償圖像中產(chǎn)生串擾跳變的區(qū)域確定為第一區(qū)域,并將已補償圖像中...
  • 本發(fā)明針對傳統(tǒng)的基于生成的模糊測試依賴人工提取協(xié)議規(guī)范、測試用例通過率低等問題,提出了一種自動的高效率模糊測試模型GRU?SACNNFuzzer。針對現(xiàn)有的模糊測試方法在提取協(xié)議規(guī)范時僅僅考慮了協(xié)議字段的局部特征,本發(fā)明在生成對抗網(wǎng)絡的生成...
  • 本申請公開了一種自動駕駛?cè)哂嗫刂葡到y(tǒng)及方法。其中,該系統(tǒng)包括:互為冗余的第一主控制單元和第二主控制單元,多組互為冗余的第一子控制單元和第二子控制單元,以及仲裁單元,第一主控制單元控制所有第一子控制單元構(gòu)成第一控制鏈路,控制所有第二子控制單元...
技術(shù)分類
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