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  • 本發明實施例提供了一種自主作業設備的控制方法及自主作業設備，涉及自主作業設備技術領域領域。控制方法包括：基于接收到的來源于目標控制器的故障信號和/或檢測到出現的故障，確定所述自主作業設備所發生故障的當前故障類型，所述目標控制器至少包括：自主...
  • 本發明公開了一種BM?less面板制作方法，包括：在玻璃基板上依次形成金屬膜層和整面阻擋層；在所述阻擋層上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成多晶硅有源層圖形，得到第一晶體管的溝道區、第一源漏極和第二源漏極；在有源層上整面形成柵極絕緣層；在所述柵...
  • 一種門玻璃沖洗裝置，包括有進水閥、沖洗管路和噴嘴，進水閥與噴嘴通過沖洗管路連通，并以進水閥至噴嘴方向定義為進水方向，反之則為回流方向，還包括有防回流料盒和單向閥，防回流料盒設置在進水閥和噴嘴之間且具有一與沖洗管路連通的沖洗管道，沖洗管道內沿...
  • 本發明公開了一種減少離子型稀土礦中雜質鋁浸出的方法，包括如下步驟：依次采用第一浸取劑溶液和第二浸取劑溶液對離子型稀土礦進行浸出，得到稀土浸出液；采用有機萃取劑對稀土浸出液進行離心萃取，得到負載稀土有機相和含鋁萃余液；對含鋁萃余液進行調配，得...
  • 本發明涉及井下供電電纜輸送技術領域，尤其涉及一種分體式井下供電電纜輸送結構，旨在解決因電纜表面附著泥沙、雜質導致電纜出現打滑的現象，影響電纜正常輸送的問題。本發明包括輸送單元和清理單元；輸送單元包括電纜盤，電纜盤可繞自身軸線轉動以釋放電纜；...
  • 本發明提供一種雙軌道式焊接裝置，涉及焊接技術領域，包括整體結構和輔助結構，所述輔助結構位于整體結構的底部兩側前后位置；所述整體結構包括底板，所述底板的頂部固定連接有若干個均勻分布的第一框架，所述第一框架的內表面中心處固定安裝有電動滑臺，所述...
  • 一種新型加氫催化劑及其制備方法，屬于催化劑技術領域。包括如下步驟：1）取海泡石于去離子水中浸泡，沉降，除雜，得物質a；2）將物質a與偏鈦酸混勻，加擴孔劑、粘合劑和水，成型，干燥，焙燒，得載體b；3）配制鈷鹽和鎳鹽的混合溶液，加鉬鹽、絡合劑和...
  • 本申請公開了一種顯示面板、顯示面板制備方法及顯示裝置，顯示面板，包括：基板；像素電路層，設于基板一側；發光元件，設于基板一側，發光元件和像素電路層同層設置，且發光元件和像素電路層電連接。本發明實施例所提供的顯示面板包括基板、像素電路層以及發...
  • 本公開涉及一種深紫外發光單元，包括第一基板、發光部以及監測部。其中，第一基板的一側表面設置有凹槽；發光部，設置于凹槽內，適用于向凹槽的外部輸出深紫外光；以及監測部，設置于凹槽內，適用于探測由發光部輸出的深紫外光。通過將發光部和監測部同時封裝...
  • 本申請提供一種太陽能電池及其制備方法和用電裝置，太陽能電池的制備方法包括以下步驟：提供襯底，在所述襯底的一側表面上制備發射層；在所述襯底的另一側表面上，利用等離子體增強化學氣相沉積依次制備隧穿氧化硅層、本征硅層、第一摻雜多晶硅層以及第二摻雜...
  • 本發明涉及一種太陽能電池正面鈍化層及其制備方法、太陽能電池及其制備方法。太陽能電池正面鈍化層的制備方法為：通入水蒸氣對硅片的發射極進行吹掃和水汽氧化，得到二氧化硅層；在所述二氧化硅層表面沉積鈍化層；其中，所述水汽氧化的條件為：控制溫度為30...
  • 本發明描述了一種圖像傳感器的制作方法，包括：提供半導體襯底；使用光刻工藝在半導體襯底上形成第一光刻圖形；基于第一光刻圖形進行第一類型離子注入，以在半導體襯底內形成第一摻雜區；移除第一光刻圖形；在半導體襯底上進行溝槽隔離工藝，以形成淺槽隔離區...
  • 本發明公開了一種光敏晶體管及顯示面板。光敏晶體管包括有源層、柵極絕緣層以及第一透明電極層。有源層設置在襯底上，有源層形成有溝道區。柵極絕緣層設置在有源層上，并覆蓋溝道區。第一透明電極層至少部分設置在柵極絕緣層上，以形成光敏晶體管的柵極，溝道...
  • 一種半導體結構及其形成方法，結構包括：基底；占位層，凸于基底，占位層沿第一方向延伸，且沿第二方向平行排布，第一方向垂直于第二方向；工作鰭部，位于占位層上；柵極結構，位于基底上，柵極結構橫跨工作鰭部，并覆蓋工作鰭部的部分頂部和部分側壁，柵極結...
  • 本申請涉及半導體器件結構、形成方法和射頻開關，該半導體器件結構包括襯底，位于襯底上的柵極結構，位于襯底內的第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區和第四摻雜區，第一摻雜區和第二摻雜區均包括并排分布的至少兩個子摻雜區，第一摻雜區和/或第二摻雜區中，...
  • 本發明提供了一種半導體器件的制備方法，包括：提供襯底，其包括形成有第一柵極結構的第一區及形成有第二柵極結構的第二區，第一柵極結構及第二柵極結構的頂部均設有硬掩模層；在第一柵極結構兩側的襯底中形成外延結構；形成刻蝕停止層覆蓋襯底的表面、第一柵...
  • 本發明提供了一種半導體器件的制備方法，包括：提供襯底，其包括形成有第一柵極結構的第一區及形成有第二柵極結構的第二區；形成第一圖形化的掩模覆蓋襯底、第一柵極結構及第二柵極結構，并暴露部分高度的第二柵極結構；執行蝕刻工藝去除第二柵極結構上部分高...
  • 一種雙向瞬態電壓抑制器裝置、結構及其相關方法。該裝置包括襯底硅層、第一硅基層和第二硅基層。襯底硅層耦合到第一硅基層。預基硅層形成在襯底硅層和第二硅基層之間。第二硅基層耦合到預基硅層。預基層的極性不同于第二硅基層的極性。
  • 本申請實施方式提供了一種半導體器件、存儲器系統以及半導體器件的制造方法。該半導體器件包括：多個半導體柱，沿第一方向和第二方向陣列排布，并且每個半導體柱沿第三方向延伸；屏蔽結構，位于相鄰的半導體柱之間，并沿第一方向延伸；第一連接結構，位于屏蔽...
  • 本申請涉及鋅離子電池領域，特別涉及一種原位合成二氧化錳電池活性材料及其制備方法，S1:依次將泡沫碳、高錳酸鉀、濃硫酸和去離子水加入高壓反應容器中，攪拌均勻，將熱源維持溫度在160℃，保溫6小時至16小時，得到第一反應液；S2:向第一反應液中...
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