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  • 一種通信方法，包括：核心網網元接收到終端設備的用于請求建立第一網絡切片關聯的第一PDU會話，且包括第一網絡切片的標識和第二網絡切片的標識的第一請求消息之后，響應于該第一請求消息，基于配置信息確定第一小區位于第二網絡切片的服務區域之外，且第一...
  • 本發明提供了一種用于加熱裝置的控制方法及加熱裝置。加熱裝置包括腔體、電磁波發生模塊和匹配模塊，匹配模塊包括第一匹配單元，第一匹配單元包括可獨立通斷的多個匹配支路。控制方法包括：編號獲取步驟：獲取預先配置的第一匹配單元的編號集合，編號集合包括...
  • 本發明提供了一種加熱裝置及用于加熱裝置的控制方法。加熱裝置包括腔體、電磁波發生模塊和匹配模塊。匹配模塊包括第一匹配單元和第一校準單元。第一匹配單元包括可獨立通斷的至少一個匹配支路。第一校準單元包括可獨立通斷的至少一個校準支路，設置為與第一匹...
  • 本發明提供了一種用于加熱裝置的控制方法及加熱裝置。加熱裝置包括腔體、電磁波發生模塊、和通過調節自身阻抗來調節電磁波發生模塊的負載阻抗的匹配模塊，匹配模塊包括一端串聯在電磁波發生模塊與腔體之間且另一端接地的第一匹配單元。控制方法包括：阻抗匹配...
  • 本發明公開一種電磁加熱導體結構以及電磁加熱烹飪裝置，所述磁加熱結構包括導體組件，所述導體組件具有相對的第一側和第二側，其中，所述第一側用以朝向加熱容器，所述導體組件包括多個沿第一方向延伸的導電主體段，所述多個導電主體段具有位于所述第一方向上...
  • 本發明提供一種LED驅動系統、芯片、LED驅動控制電路及方法，包括：過流檢測模塊，產生輸出電流的過流檢測信號；最大導通時間控制模塊，設定最大導通時間；負壓檢測模塊，產生驅動信號的負壓檢測信號；最大關斷時間控制模塊，設定最大關斷時間；去嘯叫模...
  • 本發明提供一種增強散熱能力的內埋元件電路板及其制造方法，內埋元件電路板包含線路基板、設置于線路基板內的內埋結構、位于線路基板側壁的導電結構以及設置于線路基板表面的金屬塊。內埋結構的每一者包含線路層、電子元件、絕緣材料以及兩個導熱結構，且內埋...
  • 本發明公開了一種柔性線路板，其包括線路板本體、纖維增強層和防腐保護層；所述纖維增強層設于所述線路板本體的一面，且所述纖維增強層的厚度為0.4?0.5毫米，以在確保提高線路板結構強度和耐磨性的前提下，同時避免過厚的纖維增強層對線路板的彎折性能...
  • 一種線圈載板及其制造方法，包括：一基礎線圈層、一堆疊結合于該基礎線圈層上的導通層、至少一堆疊結合于該導通層上的增層線圈層、以及一連通該基礎線圈層、導通層與該增層線圈層的開口區，借由增層線路工藝及感光性介電材結合熱固型介電材的絕緣層結構設計，...
  • 本發明公開了一種柔性線路板的補強方法，先將羥乙基纖維素和聚乙烯分別粉碎成顆粒，再將其進行混合，得到混合物，然后向該混合物加入溶劑并進行攪拌，得到混合溶液，接著對混合溶液進行過濾處理，得到聚合物溶液，再將聚合物溶液涂覆在柔性線路板的表面，并使...
  • 本公開提供了一種框式設備和機柜設備，屬于通信技術領域。所述框式設備包括機框和多個風阻板，所述機框具有多個槽位，每個槽位的槽底具有連接器接口；所述風阻板的用于伸入至所述槽位中的端部，具有防塵墊，所述防塵墊具有柔性，當所述風阻板安裝在所述槽位中...
  • 本發明實施例提供了一種三維存儲器及其制備方法、存儲系統、電子設備，涉及半導體芯片技術領域，旨在增加三維存儲器的容量。本發明實施例中提供的三維存儲器，中間層具有在厚度方向上的第一側和第二側，第一器件層位于中間層的第一側，第一存儲陣列層位于第一...
  • 一種半導體結構及其制作方法、存儲陣列、存儲器及電子設備，旨在解決半導體結構的厚度較大的問題，該半導體結構中，通孔貫穿第一介質層內的第一腔體，導電柱穿設在通孔內，第一溝道層設置在導電柱和通孔的孔壁之間，第二溝道層覆蓋在第一腔體的腔壁上，第二溝...
  • 本發明公開了一種NOR閃存制造方法，先先形成漏區槽及外圍隔離槽并填充溝槽隔離氧化物，之后形成源區槽，再進行SiH4層淀積；由于SiH4填充性差，在間隙較小的源區槽處可以形成空氣間隙，此時由于存儲區的漏區的漏區槽及邏輯區處的外圍隔離槽均已經被...
  • 本申請提供一種磁性隨機存儲器及其制備方法、芯片封裝體、電子設備，涉及電子技術領域，用于改善磁性隨機存儲器的性能，兼顧磁性隨機存儲器讀寫速度和數據保持能力，簡化磁性隨機存儲器的制備工藝。該磁性隨機存儲器包括：第一存儲單元和第二存儲單元，其中，...
  • 一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底內形成初始凹槽，所述初始凹槽側壁表面和底部表面之間具有墻角面；在所述初始凹槽側壁表面、底部表面和所述墻角面表面形成第一外延層，以形成凹槽，所述第一外延層在所述側壁表面具有第一長晶速率，在所...
  • 本發明涉及一種電子傳輸層材料和量子點發光二極管。電子傳輸層材料包括無機納米顆粒和摻雜于無機納米顆粒中的二維層狀半導體材料，二維層狀半導體材料占電子傳輸層材料的質量分數為0.001％～20％。應用本發明技術方案的電子傳輸層材料制作電子傳輸層時...
  • 本申請公開了一種光電器件及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域。光電器件包括層疊設置的第一電極、第一載流子功能層和第二電極，第一載流子功能層的材料包括第一載流子功能材料和第一鈍化劑，第一鈍化劑為[(CH3)...
  • 本公開提供一種發光器件，包括設置在襯底基板上的發光主體和緩釋結構；其中，所述發光主體包括沿遠離所述襯底基板的方向依次設置的：第一電極、發光功能層和第二電極；所述緩釋結構在所述襯底基板上的正投影與所述發光功能層在所述襯底基板上的正投影存在交疊...
  • 本發明涉及一種顯示模組和顯示裝置。顯示模組具有島區，島區包括發光區以及至少圍繞部分發光區設置的封裝阻隔區；顯示模組包括：基板；絕緣層，位于基板上；層間介電層，位于絕緣層遠離基板的一側；以及緩沖層，位于絕緣層與層間介電層之間，緩沖層位于封裝阻...
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