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最新專利技術(shù)
  • 本申請涉及電纜生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電纜生產(chǎn)用連退連拔生產(chǎn)設(shè)備，該一種電纜生產(chǎn)用連退連拔生產(chǎn)設(shè)備包括拔絲機、退火機和收卷裝置，退火機設(shè)置在拔絲機與收卷裝置之間，銅絲依次穿過拔絲機、退火機和收卷裝置，銅絲與收卷裝置固定連接；拔絲機與退火機之...
  • 本發(fā)明涉及水加工技術(shù)領(lǐng)域，具體提供一種微氣泡水發(fā)生裝置及熱水器，旨在解決現(xiàn)有微氣泡水發(fā)生裝置使用氣泵占用一部分體積的問題。為此目的，本發(fā)明的微氣泡水發(fā)生裝置包括微氣泡水管路、文丘里管、水泵、儲存罐和釋氣頭；微氣泡水管路和自來水管連接，文丘里...
  • 本發(fā)明公開了一種高分子聚合物脫揮方法及裝置。該脫揮方法將脫揮機分為第一、二和三脫揮區(qū)域，蒸汽通入脫揮機夾套內(nèi)和轉(zhuǎn)子軸內(nèi)對脫揮機內(nèi)脫揮區(qū)域進行加熱；在脫揮過程中，嚴格控制各脫揮區(qū)域的溫度，通過獲取單位脫揮時間，動態(tài)調(diào)整下一單位脫揮時間的脫揮溫...
  • 本公開提供了一種放療設(shè)備與輻射遞送方法，涉及醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域。放療設(shè)備包括機架與設(shè)置于機架上的放射治療頭，其中，放射治療頭包括多個輻射源，多個輻射源沿放療設(shè)備的IEC坐標(biāo)系的Y軸方向或與Y軸方向呈預(yù)設(shè)角度的方向分布，其中，機架中任一個與Y軸垂直...
  • 本公開提供了一種定位方法、電子設(shè)備和定位系統(tǒng)，涉及醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及腫瘤定位技術(shù)領(lǐng)域。具體實現(xiàn)方案為：利用成像裝置獲取當(dāng)前時刻目標(biāo)對象的投影圖像，并利用光學(xué)追蹤裝置獲取當(dāng)前時刻目標(biāo)對象在預(yù)設(shè)三維坐標(biāo)系的至少一個方向發(fā)生偏移的位置偏移量，...
  • 本發(fā)明提供了2?羥基戊二酸在制備CAR?T細胞效應(yīng)功能增效劑中的應(yīng)用。所述2?羥基戊二酸作為增效劑能提高CAR?T細胞的腫瘤殺傷效率；促進CAR?T細胞向效應(yīng)T細胞分化。本發(fā)明還提供了一種提升CAR?T細胞效應(yīng)功能的方法，采用2?羥基戊二酸...
  • 本申請公開了一種球囊回抽設(shè)備、球囊充打設(shè)備、手術(shù)器械和手術(shù)裝置。球囊回抽設(shè)備包括基座組件、注射器和回抽裝置。注射器設(shè)置在基座組件，注射器的注射口用于與球囊的內(nèi)腔連通，注射器的注射器推桿具有從注射器的管部伸出的伸出狀態(tài)和縮進管部的收回狀態(tài)；回...
  • 本申請涉及一種芯片組件及其制作方法以及巨量轉(zhuǎn)移方法。芯片組件包括襯底；外延結(jié)構(gòu)，設(shè)置在襯底上；內(nèi)縮結(jié)構(gòu)，位于襯底與外延結(jié)構(gòu)之間，內(nèi)縮結(jié)構(gòu)尺寸小于外延結(jié)構(gòu)并相對于外延結(jié)構(gòu)內(nèi)縮，以使外延結(jié)構(gòu)的邊緣與襯底形成空隙；鈍化層，覆蓋外延結(jié)構(gòu)的至少一部分...
  • 本申請涉及一種外延片及其制作方法、發(fā)光芯片及其制作方法，外延片包括：襯底，所述襯底的一側(cè)具有多個凸起，所述凸起之間的所述襯底表面為平面區(qū)域；設(shè)于襯底上的形核引導(dǎo)層，形核引導(dǎo)層包括完全覆蓋所述平面區(qū)域的第一引導(dǎo)部，以及覆蓋所述凸起的部分側(cè)壁的...
  • 本申請實施例提供了一種多主柵P型電池片及其制作方法和裝置及光伏組件，所述多主柵P型電池片包括背離設(shè)置的受光面和背光面；所述受光面設(shè)有多個間隔設(shè)置的主柵，所述主柵沿第一方向延伸，所述多個主柵沿第二方向間隔設(shè)置，其中，所述第一方向垂直于所述第二...
  • 本公開提供一種光電集成探測器，包括殼體；無源光芯片組件，設(shè)置在殼體內(nèi)，并包括適用于將由外部輸入的光信號分解為不同波長的光信號的波分解復(fù)用芯片；可調(diào)光衰減芯片，適用于對不同波長的光信號進行功率調(diào)制；探測器陣列組件，設(shè)置在殼體內(nèi)，并包括：陣列載...
  • 本發(fā)明提供了一種制備碳化硅器件溝道注入掩膜的方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括以下步驟：在晶圓上形成Pwell區(qū)；在已形成Pwell區(qū)的晶圓上淀積氧化硅，形成掩膜介質(zhì)層；在淀積的氧化硅上光刻N+圖形，并通過刻蝕的...
  • 本公開公開了一種文本數(shù)據(jù)增強方法、裝置、系統(tǒng)和計算機可讀存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取文本數(shù)據(jù)；對所述文本數(shù)據(jù)進行擴增操作，得到增強文本數(shù)據(jù)；根據(jù)所述增強文本數(shù)據(jù)對應(yīng)的特征數(shù)據(jù)對所述增強文本數(shù)據(jù)進行聚類，得到目標(biāo)文本數(shù)據(jù)。通過對文本數(shù)據(jù)進行擴增...
  • 本公開涉及一種測試用例生成方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，該方法包括：獲取目標(biāo)創(chuàng)建的測試用例的測試步驟；對所述測試步驟與預(yù)設(shè)函數(shù)庫中存儲的測試函數(shù)的描述信息進行模糊匹配，得到目標(biāo)測試函數(shù)；將預(yù)先獲取的所述目標(biāo)測試函數(shù)對應(yīng)的初始配置信息和預(yù)定義信...
  • 本發(fā)明公開了一種自動化測試腳本生成方法及終端，包括將依賴數(shù)據(jù)進行入庫，得到包含接口依賴信息和特征向量數(shù)據(jù)的向量數(shù)據(jù)庫以及包含樣本腳本代碼的腳本樣本庫；對用戶提供的文本測試用例進行拆解，得到多個執(zhí)行步驟，并基于所述向量數(shù)據(jù)庫和所述腳本樣本庫，...
  • 本公開實施例提供一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備，該方法包括：獲取已修改的第一代碼段；確定所述第一代碼段的第一存儲位置；獲取第一對應(yīng)關(guān)系，所述第一對應(yīng)關(guān)系中包括多個存儲位置、以及每個存儲位置相對應(yīng)的用戶，所述存儲位置相對應(yīng)的用戶為檢查所述存...
  • 本申請涉及血管支架輔助開窗方法、裝置、系統(tǒng)、計算機設(shè)備、存儲介質(zhì)與計算機程序產(chǎn)品。血管支架輔助開窗方法包括：基于血管的三維影像構(gòu)建第一血管支架模型；將所述第一血管支架模型疊加顯示在第一血管支架實物上；使所述第一血管支架模型上預(yù)設(shè)周向范圍內(nèi)的...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环NX射線成像系統(tǒng)以及X射線成像方法。X射線成像系統(tǒng)包括檢測床，X射線源以及控制器，檢測床內(nèi)安裝有探測器，且探測器能夠沿檢測床的長度和寬度方向運動，X射線源和探測器能夠配合以獲取被檢測對象的X射線圖像，控制器能夠控制X射線源和探...
  • 本發(fā)明涉及一種氣溶膠產(chǎn)生裝置（100），包括：縱向加熱腔體（10），該縱向加熱腔體由側(cè)向壁（12）界定，加熱腔體（10）在一個上端（10a）處設(shè)置有開口（14），并且適于接納穿過所述開口（14）插入的氣溶膠產(chǎn)生制品的至少一部分；以及加熱系統(tǒng)...
  • 本發(fā)明提供一種太陽能電池的局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，在太陽能電池需要制備局部鈍化接觸結(jié)構(gòu)的一面，先制備一層鈍化層，然后在鈍化層上貼合具備鏤空區(qū)域的掩膜；鏤空區(qū)域的形狀對應(yīng)電池片局部鈍化接觸電極區(qū)域或非局部鈍化接觸電極區(qū)域；掩膜由激光進行圖...
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