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  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS區(qū)與PMOS區(qū)的襯底，襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)、硬掩膜層、第一側(cè)墻以及第一保護(hù)層或第二側(cè)墻，NMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度大于PMOS區(qū)內(nèi)的硬掩膜層的厚度；形成覆蓋襯底的填充層；...
  • 本公開提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件具有有源區(qū)和圍繞有源區(qū)的終端區(qū)且包括：基區(qū)，其位于有源區(qū)且位于第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底的第二面；多個(gè)環(huán)狀子區(qū)域，其位于終端區(qū)且位于襯底的第二面，且彼此間隔開；絕緣層，其位于終端區(qū)且位于多個(gè)環(huán)狀...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供襯底，襯底包括若干器件區(qū)、以及位于相鄰器件區(qū)之間的間隔區(qū)；在器件區(qū)上形成若干器件鰭部；在間隔區(qū)上形成若干輔助鰭部；在器件區(qū)上形成柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)橫跨器件鰭部；以柵極結(jié)構(gòu)為掩膜刻...
  • 本發(fā)明涉及一種溝槽型肖特基勢壘二極管及其制造方法，所述溝槽型肖特基勢壘二極管包括：襯底，具有第一導(dǎo)電類型；第一導(dǎo)電類型層，位于所述襯底上，所述第一導(dǎo)電類型層的摻雜濃度小于所述襯底的摻雜濃度；溝槽結(jié)構(gòu)，從所述第一導(dǎo)電類型層的第一表面向所述襯底...
  • 本申請(qǐng)公開了一種正極材料及其制備方法、正極，鈉電池和用電裝置。正極材料包括化學(xué)式NaaNibFecMndMeOf
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種正極活性材料及其制備方法、正極極片、電池單體、電池和用電裝置。該正極活性材料包括Li1?xNaxNiaM1b...
  • 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種基于深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的巖石力學(xué)參數(shù)自動(dòng)計(jì)算方法，包括如下步驟：步驟100、通過現(xiàn)代成像技術(shù)獲取巖石表面的細(xì)觀結(jié)構(gòu)圖像，并對(duì)圖像進(jìn)行預(yù)處理；步驟200、利用U?Net深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對(duì)預(yù)處理后的圖像進(jìn)行訓(xùn)練和預(yù)測，并對(duì)圖...
  • 本說明書實(shí)施例提供對(duì)話處理、文本生成以及目標(biāo)對(duì)話模型訓(xùn)練方法，其中對(duì)話處理方法包括：獲取對(duì)話文本和對(duì)話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)，其中，對(duì)話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)與對(duì)話文本的模態(tài)不同；將對(duì)話文本和對(duì)話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)輸入目標(biāo)對(duì)話模型，獲得對(duì)話關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的第一模態(tài)特征和對(duì)話文本對(duì)...
  • 本公開涉及一種問題模塊定位方法、裝置、電子設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及車輛。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本公開通過響應(yīng)于第一用戶輸入異常問題的操作，獲取到當(dāng)前異常問題，不需要人工識(shí)別問題，節(jié)省人力資源，進(jìn)一步將所述當(dāng)前異常問題與數(shù)據(jù)庫中各個(gè)模塊對(duì)應(yīng)的問題進(jìn)行匹配，...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種移動(dòng)設(shè)備控制方法、裝置及電子設(shè)備。所述移動(dòng)設(shè)備上包括太陽能電池板，該方法包括：獲取所述太陽能電池板上的光照強(qiáng)度值，若所述太陽能電池板上存在至少兩個(gè)不同光照強(qiáng)度值的區(qū)域，則根據(jù)所述光照強(qiáng)度值確定目標(biāo)移動(dòng)方向，控制所述移動(dòng)設(shè)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N加熱爐出爐輥道能量回收系統(tǒng)，包括振動(dòng)能量回收裝置和熱量回收裝置。振動(dòng)能量回收裝置包括支撐部、傳動(dòng)部和回收電機(jī)，支撐部支撐出爐輥道的輥?zhàn)硬⒛茈S輥?zhàn)拥纳舷抡駝?dòng)而上下移動(dòng)，傳動(dòng)部連接支撐部和回收電機(jī)的輸入軸，傳動(dòng)部能將支撐部的上下移...
  • 本發(fā)明提供了一種電氣裝置，該電氣裝置包括：至少第一組件和第二組件，以及第一組件和第二組件之間的接口，其中該裝置進(jìn)一步包括：(a)在接口處的ta?C涂層，用于密封接口，以防止流體的進(jìn)入和/或逸出，或者(b)在接口處的墊圈，其中該墊圈包括ta?...
  • 本公開的各個(gè)方面涉及支持定時(shí)對(duì)準(zhǔn)獲取的方法、裝置和系統(tǒng)。例如，實(shí)現(xiàn)提供了針對(duì)早期獲取早期定時(shí)對(duì)準(zhǔn)信息(例如，在切換發(fā)生之前)的UE能力信令和對(duì)應(yīng)的網(wǎng)絡(luò)行為。此外，實(shí)現(xiàn)提供了用于UE連接性重建的上行鏈路同步過程。
  • 本發(fā)明涉及一種用于離合器(2)的具有致動(dòng)方向(3)的調(diào)節(jié)裝置(1)并且涉及包括該調(diào)節(jié)裝置(1)的離合器(2)。本發(fā)明還涉及一種用于調(diào)節(jié)裝置(1)的推動(dòng)元件(4)，所述推動(dòng)元件在相對(duì)于所述致動(dòng)方向(3)的橫向方向(5)上具有至少兩個(gè)驅(qū)動(dòng)斜坡(...
  • 公開基于二維圖像的手術(shù)計(jì)劃方法以及系統(tǒng)。計(jì)劃方法包括：從脊椎手術(shù)部位獲得第一圖像和第二圖像的步驟；定義虛擬三維手術(shù)空間并對(duì)第一圖像和第二圖像進(jìn)行配準(zhǔn)的步驟；從第一圖像提取第一脊椎骨區(qū)域和第一椎弓根區(qū)域，并從所述第二圖像提取第二脊椎體區(qū)域和第...
  • 本申請(qǐng)公開了一種太陽能電池制備方法及太陽能電池，包括以下步驟：提供制絨后的N型原料硅片；將所述制絨后的N型原料硅片裝入石英玻璃；通源溫度上升過程分為四個(gè)升溫階段，且設(shè)置每個(gè)升溫階段的加熱絲加熱總功率的百分比以及升溫速率，對(duì)所述N型原料硅片進(jìn)...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NIBC電池串串接方法，包括：獲取構(gòu)成IBC電池串的N+1個(gè)焊帶組；將N個(gè)IBC電池片背面朝上鋪放至焊接輸送裝置上；將N+1個(gè)焊帶組、N個(gè)膠膜片按照IBC電池串的預(yù)定疊放規(guī)則疊放至N個(gè)IBC電池片上，使得各膠膜片將對(duì)應(yīng)的焊帶組...
  • 本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，具體公開一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管電容及制造方法，該電容包括依次排布的犧牲介質(zhì)層、下極板層、電容介質(zhì)層和上極板層；所述犧牲介質(zhì)層的一面設(shè)置于異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的器件面上，另一面設(shè)置有多個(gè)凹槽；所述下極板層、電容介質(zhì)層和上...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，在形成高壓柵氧化層之前，先刻蝕器件隔離結(jié)構(gòu)的頂部中央?yún)^(qū)域形成第一凹槽，并形成圖案化阻擋層覆蓋在第一凹槽的內(nèi)表面上，在熱氧化形成高壓柵氧化層的過程中，第一凹槽側(cè)壁上的阻擋層在橫向上相當(dāng)于額外增加了兩層阻擋...
  • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括集成在一個(gè)晶片中的絕緣柵雙極晶體管IGBT結(jié)構(gòu)和金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管結(jié)構(gòu)，所述MOS晶體管結(jié)構(gòu)與所述IGBT結(jié)構(gòu)并聯(lián)。所述MOS晶體管結(jié)構(gòu)中的溝槽絕緣層的厚度小于所述IGBT結(jié)構(gòu)...
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