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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明公開了一種RGB補光燈，包括具有多種燈光模式的RGB燈體和設置在RGB燈體上的拼接部和信號連接部；兩個RGB燈體通過拼接部拼接為一個整體；當兩個RGB燈體通過拼接部拼接在一起時，兩個RGB燈體上的兩個信號連接部接觸以實現(xiàn)通訊連接，其中...
  • 本發(fā)明涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種等離子體氣液放電裝置及裝置控制方法，所述放電裝置包括高壓電極、低壓電極、絕緣基板以及多個加液管道；其中，絕緣基板的第一表面開設有多個槽式通道，各槽式通道的深度為微米級；高壓電極與低壓電極用于形成電場，各...
  • 本發(fā)明涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種等離子體氣液放電裝置及裝置控制方法，該放電裝置包括高壓電極、低壓電極以及絕緣基板；其中，絕緣基板的第一表面開設有多個槽式通道，各槽式通道的深度為微米級；高壓電極與低壓電極用于形成電場，各槽式通道位于電場...
  • 本公開提供一種電子裝置、拼接電子設備以及電子裝置的制造方法，電子裝置包括一電子面板、一補強板、以及至少三個調(diào)整件。補強板具有彼此相對的一第一面與一第二面，電子面板設置于補強板的第一面上，且調(diào)整件設置于第二面上。電子面板具有一上表面，調(diào)整件的...
  • 電路板包括平臺路徑控制器、周邊元件連接器及開關(guān)。平臺路徑控制器包括時鐘請求接腳及GPIOB接腳。周邊元件連接器包括連接器接腳。開關(guān)受控于GPIOB接腳且耦接于低電位及連接器接腳與時鐘請求接腳之間的線路之間且用以：基于GPIOB接腳的高電位，...
  • 本公開是關(guān)于一種膜層結(jié)構(gòu)及其制備方法、殼體及其加工方法和電子設備。該膜層結(jié)構(gòu)包括層疊設置的基材層、第一油墨層以及第二油墨層；第一油墨層的遠離基材層一側(cè)的表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域位于第二區(qū)域內(nèi)；第二區(qū)域的邊緣與第一區(qū)域的邊緣間隔第...
  • 本申請?zhí)峁┮环N散熱裝置以及電子設備。散熱裝置包括外殼、環(huán)形扇葉和驅(qū)動部件。外殼的端面具有進風口和攝像孔，側(cè)壁設置有出風口。外殼包括底座和圓形蓋體。底座具有環(huán)形凸起部，環(huán)形凸起部與圓形蓋體形成環(huán)形容置空間。環(huán)形凸起部具有圓周方向分布的多個風道...
  • 本發(fā)明提供一種維護裝置、液冷系統(tǒng)組件及液冷系統(tǒng)的維護方法，維護裝置包括維護單元和管路收納單元，維護單元用于在拆除液冷系統(tǒng)的待更換部件的一端之后且在安裝好替換部件之前替換至少部分液冷系統(tǒng)以使液冷介質(zhì)能夠在液冷系統(tǒng)的液冷源和熱交換部件之間循環(huán)流...
  • 本公開實施例涉及半導體領(lǐng)域，提供一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲陣列結(jié)構(gòu)，半導體結(jié)構(gòu)包括：基底，位于基底上的第一晶體管以及第二晶體管，第一晶體管包括第一半導體層、第一柵極、讀位線以及讀字線，第一半導體層包括沿第一方向相對的第一端以及第二端，...
  • 本申請涉及一種存儲器及其制備方法、電子設備。存儲器包括：襯底；多條第一字線，沿著垂直襯底的第一方向延伸；多個存儲單元，存儲單元包括環(huán)繞第一字線外側(cè)壁的第一柵極絕緣層；多條位線，沿著平行襯底的第三方向延伸且沿著第二方向間隔分布；第二方向和第三...
  • 本發(fā)明提供了一種微晶硅層的制備方法、HJT太陽能電池及其制造方法，所述微晶硅層的制備方法包括，在制備微晶硅層的過程中，使用N2O作為氧源進行氧摻雜。本發(fā)明通過使用笑氣代替現(xiàn)有技術(shù)的CO2，在微晶硅...
  • 本發(fā)明實施例提供了一種IBC電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例中，硼摻雜后對P區(qū)進行激光氧化，可以形成更加致密、阻擋性能更強的硼硅玻璃層掩膜，不僅使得所制備的p型摻雜區(qū)域具有高表面濃度、高鈍化性能、低接觸電阻的優(yōu)點，也避免了阻擋或刻蝕漿料...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N全彩微型發(fā)光二極管器件及微型發(fā)光二極管顯示面板，該全彩微型發(fā)光二極管器件包括導電基板、第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)、第三發(fā)光結(jié)構(gòu)以及紅色色轉(zhuǎn)換層，第一發(fā)光結(jié)構(gòu)設置于導電基板上，第二發(fā)光結(jié)構(gòu)設置于第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的出光面上，第一發(fā)光...
  • 本申請公開了一種發(fā)光器件及顯示面板。發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和直接生長在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)之上的第二發(fā)光結(jié)構(gòu)。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次層疊設置的第一半導體層、第一發(fā)光層、第二半導體層。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次層疊設置的第三半導體層、第二發(fā)光層和第四半導體...
  • 本申請公開了一種量子點像素單元基板及其制備方法與應用，屬于微顯示領(lǐng)域。量子點像素單元基板，包括基板、反光擋墻、圖案化量子點色轉(zhuǎn)換層和氧化層；所述基板上設置有反光擋墻和圖案化量子點色轉(zhuǎn)換層；所述圖案化量子點色轉(zhuǎn)換層包括圖案化藍光擴散粒子透過層...
  • 本申請實施例提供一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置。發(fā)光器件包括依次層疊設置的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，發(fā)光器件還包括電子補償層和/或空穴補償層，電子補償層設于陰極和電子傳輸層之間，空穴補償層設于陽極和空穴傳輸層之間。該發(fā)...
  • 本申請涉及一種顯示面板及顯示裝置。顯示面板包括：基板；絕緣結(jié)構(gòu)，設置于基板上，且位于顯示區(qū)和第一過渡區(qū)；隔斷結(jié)構(gòu)，設置于絕緣結(jié)構(gòu)上，且界定出第一開口及對應第一過渡區(qū)和開孔區(qū)的第二開口；發(fā)光單元，設置于絕緣結(jié)構(gòu)上，且位于顯示區(qū)；發(fā)光單元還設于...
  • 本發(fā)明公開了一種布線基板、其制作方法及顯示屏，其中，布線基板包括：襯底基板，襯底基板包括相對設置的第一表面和第二表面，以及用于連接第一表面和第二表面的多個第三表面；多條信號線，位于第一表面之上；橋接件，位于第二表面之上；橋接件包括爬坡區(qū)和平...
  • 本申請?zhí)峁┝艘环N自封裝熱電發(fā)電模塊，包括第一覆銅基板，第一覆銅基板與沖壓殼連接形成封閉空間，封閉空間內(nèi)包括依次層疊的導熱緩沖層、第二覆銅基板、擴散阻擋層和N/P熱電偶對，N/P熱電偶對與第一覆銅基板連接，第一覆銅基板為雙層垂直互聯(lián)陶瓷覆銅基...
  • 本發(fā)明涉及一種使鐵電陶瓷材料具備大位移以及形狀記憶效應的方法，包括：在鐵電陶瓷薄片上/下表面制備電極后，再經(jīng)過多次正反電場周期化極化處理，從而實現(xiàn)位移以及形狀記憶效應的提升；所述鐵電陶瓷薄片的厚度≤0.2mm。
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