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  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N自封裝熱電發(fā)電模塊，包括第一覆銅基板，第一覆銅基板與沖壓殼連接形成封閉空間，封閉空間內(nèi)包括依次層疊的導(dǎo)熱緩沖層、第二覆銅基板、擴(kuò)散阻擋層和N/P熱電偶對(duì)，N/P熱電偶對(duì)與第一覆銅基板連接，第一覆銅基板為雙層垂直互聯(lián)陶瓷覆銅基...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種布線(xiàn)基板、其制作方法及顯示屏，其中，布線(xiàn)基板包括：襯底基板，襯底基板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，以及用于連接第一表面和第二表面的多個(gè)第三表面；多條信號(hào)線(xiàn)，位于第一表面之上；橋接件，位于第二表面之上；橋接件包括爬坡區(qū)和平...
  • 本申請(qǐng)涉及一種顯示面板及顯示裝置。顯示面板包括：基板；絕緣結(jié)構(gòu)，設(shè)置于基板上，且位于顯示區(qū)和第一過(guò)渡區(qū)；隔斷結(jié)構(gòu)，設(shè)置于絕緣結(jié)構(gòu)上，且界定出第一開(kāi)口及對(duì)應(yīng)第一過(guò)渡區(qū)和開(kāi)孔區(qū)的第二開(kāi)口；發(fā)光單元，設(shè)置于絕緣結(jié)構(gòu)上，且位于顯示區(qū)；發(fā)光單元還設(shè)于...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置。發(fā)光器件包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，發(fā)光器件還包括電子補(bǔ)償層和/或空穴補(bǔ)償層，電子補(bǔ)償層設(shè)于陰極和電子傳輸層之間，空穴補(bǔ)償層設(shè)于陽(yáng)極和空穴傳輸層之間。該發(fā)...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種量子點(diǎn)像素單元基板及其制備方法與應(yīng)用，屬于微顯示領(lǐng)域。量子點(diǎn)像素單元基板，包括基板、反光擋墻、圖案化量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層和氧化層；所述基板上設(shè)置有反光擋墻和圖案化量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層；所述圖案化量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層包括圖案化藍(lán)光擴(kuò)散粒子透過(guò)層...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種發(fā)光器件及顯示面板。發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和直接生長(zhǎng)在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)之上的第二發(fā)光結(jié)構(gòu)。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、第一發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的第三半導(dǎo)體層、第二發(fā)光層和第四半導(dǎo)體...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N全彩微型發(fā)光二極管器件及微型發(fā)光二極管顯示面板，該全彩微型發(fā)光二極管器件包括導(dǎo)電基板、第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)、第三發(fā)光結(jié)構(gòu)以及紅色色轉(zhuǎn)換層，第一發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于導(dǎo)電基板上，第二發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的出光面上，第一發(fā)光...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種IBC電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實(shí)施例中，硼摻雜后對(duì)P區(qū)進(jìn)行激光氧化，可以形成更加致密、阻擋性能更強(qiáng)的硼硅玻璃層掩膜，不僅使得所制備的p型摻雜區(qū)域具有高表面濃度、高鈍化性能、低接觸電阻的優(yōu)點(diǎn)，也避免了阻擋或刻蝕漿料...
  • 本發(fā)明提供了一種微晶硅層的制備方法、HJT太陽(yáng)能電池及其制造方法，所述微晶硅層的制備方法包括，在制備微晶硅層的過(guò)程中，使用N2O作為氧源進(jìn)行氧摻雜。本發(fā)明通過(guò)使用笑氣代替現(xiàn)有技術(shù)的CO2，在微晶硅...
  • 本申請(qǐng)涉及一種存儲(chǔ)器及其制備方法、電子設(shè)備。存儲(chǔ)器包括：襯底；多條第一字線(xiàn)，沿著垂直襯底的第一方向延伸；多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元包括環(huán)繞第一字線(xiàn)外側(cè)壁的第一柵極絕緣層；多條位線(xiàn)，沿著平行襯底的第三方向延伸且沿著第二方向間隔分布；第二方向和第三...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，位于基底上的第一晶體管以及第二晶體管，第一晶體管包括第一半導(dǎo)體層、第一柵極、讀位線(xiàn)以及讀字線(xiàn)，第一半導(dǎo)體層包括沿第一方向相對(duì)的第一端以及第二端，...
  • 本發(fā)明提供一種維護(hù)裝置、液冷系統(tǒng)組件及液冷系統(tǒng)的維護(hù)方法，維護(hù)裝置包括維護(hù)單元和管路收納單元，維護(hù)單元用于在拆除液冷系統(tǒng)的待更換部件的一端之后且在安裝好替換部件之前替換至少部分液冷系統(tǒng)以使液冷介質(zhì)能夠在液冷系統(tǒng)的液冷源和熱交換部件之間循環(huán)流...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N散熱裝置以及電子設(shè)備。散熱裝置包括外殼、環(huán)形扇葉和驅(qū)動(dòng)部件。外殼的端面具有進(jìn)風(fēng)口和攝像孔，側(cè)壁設(shè)置有出風(fēng)口。外殼包括底座和圓形蓋體。底座具有環(huán)形凸起部，環(huán)形凸起部與圓形蓋體形成環(huán)形容置空間。環(huán)形凸起部具有圓周方向分布的多個(gè)風(fēng)道...
  • 本公開(kāi)是關(guān)于一種膜層結(jié)構(gòu)及其制備方法、殼體及其加工方法和電子設(shè)備。該膜層結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的基材層、第一油墨層以及第二油墨層；第一油墨層的遠(yuǎn)離基材層一側(cè)的表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域位于第二區(qū)域內(nèi)；第二區(qū)域的邊緣與第一區(qū)域的邊緣間隔第...
  • 電路板包括平臺(tái)路徑控制器、周邊元件連接器及開(kāi)關(guān)。平臺(tái)路徑控制器包括時(shí)鐘請(qǐng)求接腳及GPIOB接腳。周邊元件連接器包括連接器接腳。開(kāi)關(guān)受控于GPIOB接腳且耦接于低電位及連接器接腳與時(shí)鐘請(qǐng)求接腳之間的線(xiàn)路之間且用以：基于GPIOB接腳的高電位，...
  • 本公開(kāi)提供一種電子裝置、拼接電子設(shè)備以及電子裝置的制造方法，電子裝置包括一電子面板、一補(bǔ)強(qiáng)板、以及至少三個(gè)調(diào)整件。補(bǔ)強(qiáng)板具有彼此相對(duì)的一第一面與一第二面，電子面板設(shè)置于補(bǔ)強(qiáng)板的第一面上，且調(diào)整件設(shè)置于第二面上。電子面板具有一上表面，調(diào)整件的...
  • 本發(fā)明涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種等離子體氣液放電裝置及裝置控制方法，該放電裝置包括高壓電極、低壓電極以及絕緣基板；其中，絕緣基板的第一表面開(kāi)設(shè)有多個(gè)槽式通道，各槽式通道的深度為微米級(jí)；高壓電極與低壓電極用于形成電場(chǎng)，各槽式通道位于電場(chǎng)...
  • 本發(fā)明涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種等離子體氣液放電裝置及裝置控制方法，所述放電裝置包括高壓電極、低壓電極、絕緣基板以及多個(gè)加液管道；其中，絕緣基板的第一表面開(kāi)設(shè)有多個(gè)槽式通道，各槽式通道的深度為微米級(jí)；高壓電極與低壓電極用于形成電場(chǎng)，各...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種RGB補(bǔ)光燈，包括具有多種燈光模式的RGB燈體和設(shè)置在RGB燈體上的拼接部和信號(hào)連接部；兩個(gè)RGB燈體通過(guò)拼接部拼接為一個(gè)整體；當(dāng)兩個(gè)RGB燈體通過(guò)拼接部拼接在一起時(shí)，兩個(gè)RGB燈體上的兩個(gè)信號(hào)連接部接觸以實(shí)現(xiàn)通訊連接，其中...
  • 本發(fā)明涉及一種石墨電極及其制備方法。所述石墨電極包括以下質(zhì)量份數(shù)的原料：碳納米管10?100質(zhì)量份，石油系針狀焦10?100質(zhì)量份，瀝青20?50質(zhì)量份；其中，將所述碳納米管進(jìn)行預(yù)處理使其分散度D為80％～95％，得到的預(yù)處理后碳納米管與所...
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