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  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的形成方法。所述形成方法中，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面形成用于與硅反應(yīng)的金屬層后，在所述金屬層覆蓋含硅導(dǎo)電區(qū)的部分內(nèi)摻雜硅，之后使所述金屬層與所述含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅以及所述金屬層內(nèi)摻雜的硅反應(yīng)，在所述含硅導(dǎo)電區(qū)的表面區(qū)域形成自...
  • 本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)器及電子設(shè)備，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底，疊層結(jié)構(gòu)以及柵極結(jié)構(gòu)；疊層結(jié)構(gòu)位于襯底上，包括由下至上依次疊置的第一端結(jié)構(gòu)、溝道層及第二端結(jié)構(gòu)；第一端結(jié)構(gòu)包括第一端外延層及第一端阻擋層，第一端外延層位于溝道層與襯...
  • 本發(fā)明公開(kāi)一種電機(jī)、壓縮機(jī)和制冷設(shè)備，其中，電機(jī)包括定子沖片和轉(zhuǎn)子沖片，所述轉(zhuǎn)子沖片轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)于所定子沖片的內(nèi)側(cè)，所述定子沖片的外環(huán)面設(shè)有朝外凸出的n個(gè)接觸凸部，所述轉(zhuǎn)子沖片設(shè)有2P個(gè)磁鐵槽，所述磁鐵槽用以供永磁體安裝，所述n與所述P的關(guān)系為：...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種地圖房間輪廓優(yōu)化方法，包括：獲取目標(biāo)房間的初始房間輪廓；將所述初始房間輪廓分為初始門(mén)輪廓以及初始?jí)w輪廓；對(duì)所述初始門(mén)輪廓進(jìn)行第一拉直優(yōu)化，以獲得修正門(mén)輪廓；對(duì)所述初始?jí)w輪廓進(jìn)行第二拉直優(yōu)化，以獲得修正墻體輪廓；根據(jù)所述修...
  • 本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，提供一種圖像去霧方法、裝置、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取第一樣本圖像和第二樣本圖像；第一樣本圖像為對(duì)第三樣本圖像進(jìn)行數(shù)據(jù)分級(jí)后得到的，第三樣本圖像為無(wú)標(biāo)簽的帶霧圖像；第二樣本圖像為帶標(biāo)簽的帶霧圖像；根據(jù)第二樣...
  • 本發(fā)明提供一種海底節(jié)點(diǎn)圖像處理的方法、系統(tǒng)、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：將原始海底節(jié)點(diǎn)圖像中上下行波成像道集分別逐道進(jìn)行一維雙樹(shù)復(fù)小波域帶通濾波處理；將經(jīng)過(guò)一維雙樹(shù)復(fù)小波域帶通濾波處理的上下行波成像道集分別進(jìn)行二維雙樹(shù)復(fù)小波變換；對(duì)經(jīng)過(guò)二維雙...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于非局部先驗(yàn)和局部先驗(yàn)的深度圖像超分辨重建方法。本方法主要包括下述步驟：首先對(duì)高分辨率訓(xùn)練圖像集進(jìn)行分塊處理，并對(duì)每個(gè)圖像塊根據(jù)歐式距離尋找其M個(gè)相似塊組成相似塊，用相似塊組通過(guò)EM算法進(jìn)行學(xué)習(xí)的高斯混合模型，從而提取訓(xùn)練...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種二氧化碳埋存的安全性確定方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，屬于油氣田開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。針對(duì)目標(biāo)區(qū)域的二氧化碳埋存，本申請(qǐng)?jiān)诮⒌刭|(zhì)模型和數(shù)值模擬模型的基礎(chǔ)上，還會(huì)對(duì)影響二氧化碳泄漏量的參數(shù)進(jìn)行敏感性分析，即本申請(qǐng)會(huì)確定各項(xiàng)參數(shù)對(duì)二氧化...
  • 本發(fā)明涉及天然氣余壓發(fā)電領(lǐng)域，公開(kāi)了一種天然氣余壓發(fā)電基準(zhǔn)線排放計(jì)算方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及計(jì)算裝置。本發(fā)明公開(kāi)的天然氣余壓發(fā)電基準(zhǔn)線排放計(jì)算方法，包括：確定基準(zhǔn)線排放量的計(jì)算時(shí)間段，所述計(jì)算時(shí)間段內(nèi)包括多個(gè)時(shí)間單元；根據(jù)各時(shí)間單元確定時(shí)間相關(guān)因子...
  • 一種生產(chǎn)流程歸類方法及系統(tǒng)、存儲(chǔ)介質(zhì)及終端，其中方法包括：獲取若干生產(chǎn)流程的流程文本數(shù)據(jù)，每個(gè)生產(chǎn)流程包括若干生產(chǎn)步驟，流程文本數(shù)據(jù)包括每個(gè)生產(chǎn)步驟的步驟文本數(shù)據(jù)；建立空間向量模型，空間向量模型包括n維度的特征參數(shù)，每個(gè)維度的特征參數(shù)由數(shù)字...
  • 本申請(qǐng)屬于智能家電技術(shù)領(lǐng)域，提供一種參數(shù)校驗(yàn)方法、裝置、設(shè)備和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)。獲取家用電器的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)表及標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)表轉(zhuǎn)化得到的初版標(biāo)準(zhǔn)代碼，隨后，獲取功能優(yōu)化信息并根據(jù)所述功能優(yōu)化信息修改電腦板中的初版標(biāo)準(zhǔn)代碼，得到優(yōu)化標(biāo)準(zhǔn)代碼；控制所述家用...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種程序調(diào)試的方法和裝置，涉及軟件測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括：響應(yīng)于接收到程序的本地調(diào)試請(qǐng)求，從預(yù)先錄制的數(shù)據(jù)文件中獲取所述程序?qū)?yīng)的線上錄制數(shù)據(jù)；通過(guò)對(duì)所述線上錄制數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)回放處理來(lái)運(yùn)行所述程序，以便進(jìn)行所述程...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N控制方法及裝置，控制方法包括：根據(jù)可移動(dòng)平臺(tái)移動(dòng)作業(yè)的路徑信息生成初始作業(yè)軌跡；獲取所述可移動(dòng)平臺(tái)移動(dòng)作業(yè)的過(guò)程中多個(gè)作業(yè)模塊的作業(yè)狀態(tài)信息；將多個(gè)所述作業(yè)模塊的所述作業(yè)狀態(tài)信息疊加于所述初始作業(yè)軌跡，用以對(duì)多個(gè)所述作業(yè)模塊在...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種紡織品水溶液中纖維微塑料的顯微鏡測(cè)定方法，涉及環(huán)境污染物檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，包括：采集水樣；配制尼羅紅染色液；將配制好的尼羅紅染色液加入水樣對(duì)其進(jìn)行熒光染色；用放置了玻璃纖維濾膜的微量玻璃抽濾裝置對(duì)熒光染色后水樣進(jìn)行過(guò)濾；用丙酮溶...
  • 本發(fā)明涉及催化劑領(lǐng)域及高分子材料回收利用領(lǐng)域，公開(kāi)了一種復(fù)合分子篩催化劑及其制備方法以及在廢塑料直接催化裂解制低碳烯烴反應(yīng)中的應(yīng)用。該復(fù)合分子篩催化劑包括SSZ?13分子篩、類球形超大孔介孔分子篩和金屬氧化物，類球形超大孔介孔分子篩的比表面...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示裝置，包括驅(qū)動(dòng)基板、第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元。第一發(fā)光單元鍵合在驅(qū)動(dòng)基板的一側(cè)且包括第一陽(yáng)極、第一發(fā)光層、第一陰極和連接第一陽(yáng)極的第一接觸孔，第二發(fā)光單元鍵合在第一發(fā)光單元背離驅(qū)動(dòng)基板的一側(cè)且包括第二陽(yáng)極、...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件，發(fā)光器件的制備方法包括：提供襯底，襯底包括相對(duì)的正面和背面；圖形化處理襯底的正面，形成凸起部和凹槽；在凸起部和/或凹槽生長(zhǎng)半導(dǎo)體外延層，并在生長(zhǎng)半導(dǎo)體外延層過(guò)程中摻雜第一元素，以形成多個(gè)第一發(fā)光...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件，發(fā)光器件的制備方法包括：提供襯底；于襯底的正面形成第一掩膜層，并圖形化處理第一掩膜層，以在第一掩膜層中形成多個(gè)正面掩膜開(kāi)口；基于圖形化處理后的第一掩膜層，在襯底的正面生長(zhǎng)半導(dǎo)體外延層，并在生長(zhǎng)半...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管注入結(jié)構(gòu)及應(yīng)用。本發(fā)明提供的注入結(jié)構(gòu)為周期性結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期結(jié)構(gòu)包括如下組成：Al組分占比漸變的p?AlmGa1?mN層；每個(gè)周期結(jié)構(gòu)中，Al組分占比m沿...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光電探測(cè)器及其制備方法。該光電探測(cè)器包括：第一光波導(dǎo)，其設(shè)置于襯底的表面，沿第一方向延伸；第一摻雜區(qū)，其具有第一摻雜類型，在第二方向上位于該第一光波導(dǎo)的一側(cè)；以及第二摻雜區(qū)，其具有不同于該第一摻雜類型的第二摻雜類型，在該第二方...
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