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  • 本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜晶體管基板及包括其的電子裝置，其中該薄膜晶體管基板包括：基板、設(shè)置在基板上的第一金屬層、設(shè)置在第一金屬層上的第二金屬層、設(shè)置在基板與第一金屬層之間的半導(dǎo)體、以及設(shè)置于第一金屬層與第二金屬層之間第一絕緣層。第一金屬層包括柵極...
  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、電子設(shè)備。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括：提供襯底；于襯底上形成第一垂直晶體管；于第一垂直晶體管上沉積一層或多層層間絕緣介質(zhì)材料層，對(duì)一層或多層層間絕緣介質(zhì)材料層進(jìn)行等離子體處理，以形成一層或多層層間絕緣介質(zhì)...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法，該溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法包括提供一待處理的半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底包括半導(dǎo)體襯底以及間隔形成于半導(dǎo)體襯底的表面的上方的柵極結(jié)構(gòu)，相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體襯底中形成有溝槽結(jié)構(gòu)，通入六氟化硫等離子體對(duì)溝槽結(jié)構(gòu)進(jìn)行...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，該半導(dǎo)體裝置包括一基底，具有一第一表面和一第二表面；一閘極接墊和一源極接墊，彼此側(cè)向分離，均設(shè)置于基底的第一表面之上；一汲極區(qū)，設(shè)置于基底的第二表面；一第一溝槽，設(shè)置于基底中，位于閘極接墊的正下方；一...
  • 本公開(kāi)涉及一種表面硒摻雜的高鎳三元材料及其制備方法和應(yīng)用，所述表面硒摻雜的高鎳三元材料包含化學(xué)式為L(zhǎng)iNixCoyMnzO2?pSep
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示背板、背板制作方法及顯示設(shè)備。該顯示背板包括：基板；多顆IC，多顆所述IC間隔排列在所述基板上，每一所述IC的引腳背向所述基板；顯示層，所述顯示層設(shè)于所述IC上，所述顯示層包括多顆LED，至少一顆所述LED與一顆所述IC通...
  • 本發(fā)明涉及一種鍵合結(jié)構(gòu)及其制備方法、發(fā)光組件及其制作方法。該鍵合結(jié)構(gòu)制備方法包括：提供一生長(zhǎng)襯底；其中，所述生長(zhǎng)襯底上外延生長(zhǎng)有預(yù)設(shè)厚度的犧牲層；對(duì)所述犧牲層進(jìn)行圖案化處理，以使所述生長(zhǎng)襯底的部分表面露出；于所述生長(zhǎng)襯底露出的表面和所述犧牲...
  • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種確定傷情等級(jí)的方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，確定傷情等級(jí)的方法包括：獲取傷員的生命體征數(shù)據(jù)和傷情信息；所述傷情信息用于描述所述傷員的傷情；基于所述生命體征數(shù)據(jù)和所述傷情信息，生成傷情文本；利用預(yù)訓(xùn)練的檢傷分類(lèi)模...
  • 本發(fā)明提供了一種測(cè)試數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備，基于預(yù)設(shè)查詢語(yǔ)句和預(yù)設(shè)配置信息，從服務(wù)平臺(tái)獲取目標(biāo)需求的需求信息；對(duì)獲取的全部需求信息進(jìn)行分析統(tǒng)計(jì)，得到多個(gè)維度的統(tǒng)計(jì)信息；基于預(yù)設(shè)配置信息、獲取的全部需求信息以及多個(gè)維度的統(tǒng)計(jì)信息，生成包...
  • 本公開(kāi)實(shí)施例涉及智能用例執(zhí)行優(yōu)先級(jí)評(píng)估機(jī)制。本文提供了用于測(cè)試選擇系統(tǒng)的方法、系統(tǒng)和非瞬態(tài)處理器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。一種示例方法包括由測(cè)試選擇系統(tǒng)從軟件測(cè)試生命周期系統(tǒng)中的多個(gè)回歸測(cè)試用例中選擇回歸測(cè)試用例。測(cè)試選擇系統(tǒng)基于與回歸測(cè)試用例相關(guān)聯(lián)的...
  • 本發(fā)明提供一種洗滌設(shè)備及其控制方法、電子設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。控制方法包括：在洗滌設(shè)備進(jìn)入脫水程序后，并且在開(kāi)始脫水前，控制所述洗滌設(shè)備進(jìn)入脫水偏心預(yù)檢階段，所述脫水偏心預(yù)檢階段為所述洗滌設(shè)備以預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速運(yùn)行至少一個(gè)轉(zhuǎn)停比的時(shí)間；在所述脫水偏心...
  • 本發(fā)明涉及電纜收納技術(shù)領(lǐng)域，且公開(kāi)了一種用于船舶配件的電纜收納裝置及其使用方法，包括底座，底座頂端固定安裝有電機(jī)底座，電機(jī)底座呈倒U型，且凹陷處固定安裝有第一電機(jī)，第一電機(jī)輸出端連接有縱向移動(dòng)結(jié)構(gòu)，縱向移動(dòng)結(jié)構(gòu)正面連接有收卷結(jié)構(gòu)，且頂端連接...
  • 本發(fā)明提供了一種免示教自動(dòng)焊接方法及系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括控制中心、焊接執(zhí)行機(jī)構(gòu)、焊機(jī)、3D傳感器、免示教控制系統(tǒng)。其中，控制中心對(duì)外連接焊接執(zhí)行機(jī)構(gòu)、3D傳感器，獲取其狀態(tài)和觀測(cè)數(shù)據(jù)；焊機(jī)為獨(dú)立電源，為焊槍供電，并由焊接執(zhí)行機(jī)構(gòu)控制焊槍位姿以完...
  • 本申請(qǐng)涉及一種電容結(jié)構(gòu)及其制備方法，電容結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供襯底，襯底上形成有第一擴(kuò)散阻擋層；控制工藝腔室的溫度為第一溫度；在第一溫度的工藝條件下，于第一擴(kuò)散阻擋層上形成第一極板層；于第一極板層上依次形成應(yīng)力緩沖層與第二擴(kuò)散阻擋層；在第...
  • 本申請(qǐng)涉及一種顯示面板及顯示裝置。其中，顯示面板包括相鄰的顯示區(qū)與傳感區(qū)。顯示面板還包括：襯底、發(fā)光層與濾光層。發(fā)光層位于襯底與濾光層之間，濾光層位于發(fā)光層背向襯底的一側(cè)。濾光層包括遮光部與濾光部。遮光部與濾光部相鄰，且圍繞濾光部。發(fā)光層包...
  • 本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、三維存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)系統(tǒng)、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決制備工藝復(fù)雜的問(wèn)題。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：堆疊結(jié)構(gòu)、第一溝道層、選擇柵、第二溝道層、柵極介質(zhì)層以及位線接觸結(jié)構(gòu)。堆疊結(jié)構(gòu)包括交替層疊設(shè)置的第一...
  • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底；分柵結(jié)構(gòu)，分立于所述基底頂部，所述分柵結(jié)構(gòu)包括浮柵結(jié)構(gòu)和控制柵結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)沿第一方向和第二方向呈矩陣分布，所述第一方向與所述第二方向相垂直，所述控制柵結(jié)構(gòu)沿所述第二方向延伸且橫跨所述浮柵結(jié)構(gòu)...
  • 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括襯底以及位于襯底上交替堆疊的層間介質(zhì)層和導(dǎo)電層的堆疊結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)貫穿堆疊結(jié)構(gòu)的通孔，且通孔內(nèi)設(shè)置有第一字線、第一溝道層、第二字線、第二溝道層以及導(dǎo)電連接層；其中，第一字線與第二字...
  • 本發(fā)明提供一種調(diào)節(jié)支架和機(jī)柜，其中調(diào)節(jié)支架包括：鎖定組件、固定架和活動(dòng)架；固定架包括：第一安裝部和第一連接部，活動(dòng)架包括：第二安裝部和第二連接部；第一安裝部與第一連接部固定連接，第二安裝部與第二連接部固定連接，第一連接部與第二連接部滑移連接...
  • 本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N內(nèi)埋元件電路板及其制備方法。本申請(qǐng)通過(guò)在元件的背面(第一孔內(nèi)以及基板背離元件的表面)設(shè)置冷卻介質(zhì)，元件散發(fā)的熱量可被冷卻介質(zhì)吸收，達(dá)到對(duì)元件散熱的目的。本申請(qǐng)將元件設(shè)置在外層線路板的貫通槽內(nèi)，即以內(nèi)埋方式設(shè)置元件，從而能降低電...
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