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  • 本發(fā)明提供一種背照式圖像傳感器，包括：電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)，其包括從襯底的正面延伸至背面的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)和形成于所述襯底的正面的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于所述深溝槽隔離結(jié)構(gòu)上方并與其相連。還提供一種背照式圖像傳感器的電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)的形成方...
  • 本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體元件的形成方法和半導(dǎo)體元件，其中的方法包括：步驟S10，提供具有平坦頂面的襯底(10)，所述襯底(10)頂面形成有柵極區(qū)域(20)；步驟S20，在所述柵極區(qū)域(20)的頂面形成氮化硅層(30)；步驟S30，蝕刻所述氮化硅...
  • 本發(fā)明提供了一種用于車輛的集成式高壓DCDC變換器，包括第一電路和第二電路；其中，所述第一電路包括依次串聯(lián)的EMI濾波電路、逆變電路、隔離電路、整流電路、第一濾波電路，所述EMI濾波電路與高壓直流電源相連，所述第一濾波電路與第一低壓直流電源...
  • 本公開(kāi)涉及一種垂直式功率半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述器件包括：襯底，具有彼此相對(duì)的二表面；襯底的第一表面上且彼此相鄰的第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)；第一介電層，覆蓋第一柵極結(jié)構(gòu)、第二柵極結(jié)構(gòu)和襯底的第一表面，第一介電層在第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極...
  • 本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體元件的形成方法和半導(dǎo)體元件，其中的方法包括：步驟S10，提供硅襯底，并在硅襯底的頂面上形成堆疊結(jié)構(gòu)；步驟S20，通過(guò)STI刻蝕工藝依次刻蝕堆疊結(jié)構(gòu)和硅襯底，以形成沿水平方向間隔設(shè)置的用作隔離區(qū)域的第一溝槽；步驟S40，通...
  • 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)形成方法及半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)形成方法包括以下步驟：在襯底的背面進(jìn)行光刻、刻蝕，形成光刻標(biāo)記；在襯底的正面外延第一層第一型摻雜外延層，在第一層第一型摻雜外延層的表面旋涂光刻膠；或...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種軍工詞匯挖掘方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，具體公開(kāi)了：對(duì)待識(shí)別軍工語(yǔ)料進(jìn)行分詞，獲得多個(gè)初始詞，根據(jù)目標(biāo)軍工詞典對(duì)應(yīng)的規(guī)則庫(kù)分別對(duì)多個(gè)初始詞進(jìn)行識(shí)別，并根據(jù)識(shí)別結(jié)果從多個(gè)初始詞中篩選出符合規(guī)則庫(kù)中各規(guī)則的候選詞，獲取各候選詞的...
  • 本公開(kāi)涉及測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了基于測(cè)試用例的代碼生成方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。其中，該方法包括：獲取目標(biāo)測(cè)試用例；基于目標(biāo)測(cè)試用例的代碼描述信息，生成目標(biāo)測(cè)試用例的提示信息；基于提示信息，生成目標(biāo)測(cè)試用例對(duì)應(yīng)的目標(biāo)功能代碼。通過(guò)實(shí)施本公開(kāi)...
  • 本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)質(zhì)量診斷方法、數(shù)據(jù)修復(fù)方法及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中數(shù)據(jù)質(zhì)量診斷方法包括提供多個(gè)數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)，每個(gè)數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)包括節(jié)點(diǎn)屬性，其中節(jié)點(diǎn)屬性包括預(yù)設(shè)信息、數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)提取位置、物理連接關(guān)系和數(shù)據(jù)加工過(guò)程中的一項(xiàng)或多項(xiàng)；根據(jù)每個(gè)數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)屬...
  • 本發(fā)明提供了一種抗壓縮母粒及其制備方法和一種低壓縮形變發(fā)泡材料及其制備方法，所述抗壓縮母粒是以具有碳碳雙鍵的TPU為基體，高回彈橡膠為改性劑，酚醛類樹脂為引發(fā)劑，經(jīng)熔融接枝反應(yīng)制得。將所述的抗壓縮母粒加入發(fā)泡材料配方中，得到發(fā)泡材料性能優(yōu)異...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種IBC桶用高密度聚乙烯樹脂及其制備方法，所述的樹脂含有以下重量份的原料：乙烯己烯共聚聚乙烯基礎(chǔ)樹脂100份、光穩(wěn)定劑0.08～0.25份、主抗氧劑0.05～0.15份和輔助抗氧劑0.03～0.12份；各物料經(jīng)過(guò)混合器混勻后，...
  • 本發(fā)明公開(kāi)了一種大中空容器和托盤用高密度聚乙烯樹脂及其制備方法，所述的樹脂包括以下重量份的原料：100重量份乙烯己烯共聚聚乙烯基礎(chǔ)樹脂、0.06～0.15重量份主抗氧劑和0.05～0.11重量份輔助抗氧劑；各組分經(jīng)過(guò)混合器混勻后，經(jīng)擠壓機(jī)加...
  • 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池制造設(shè)備包括：第一分配器，用于將導(dǎo)電粘合劑涂敷到太陽(yáng)能電池的第一側(cè)；翻轉(zhuǎn)部件，翻轉(zhuǎn)太陽(yáng)能電池；第二分配器，用于將導(dǎo)電粘合劑涂敷到太陽(yáng)能電池的第二側(cè)；第一傳送器，將太陽(yáng)能電池(其第一側(cè)通過(guò)第一分配器涂敷)運(yùn)輸?shù)椒?..
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電容器、存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)陣列、存儲(chǔ)器和電子設(shè)備。其中，電容器包括：第一電極，第一電極包括第一子電極和第二子電極，第二子電極環(huán)繞第一子電極且與第一子電極的側(cè)面連接；第二電極，第二電極環(huán)繞第一電極，且與第一子電極朝向所述第二子電極...
  • 本發(fā)明提供一種磁存儲(chǔ)單元制備方法，所述方法包括：提供一襯底，所述襯底包括磁存儲(chǔ)單元底電極；在所述底電極上制備磁隧道結(jié)疊層，并獲取所述磁隧道結(jié)疊層的一個(gè)以上的實(shí)際參數(shù)；將所述實(shí)際參數(shù)與對(duì)應(yīng)的第一預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行比較，確定比較結(jié)果；依據(jù)所述比較結(jié)果...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板和顯示裝置，該顯示面板通過(guò)使任意兩條時(shí)鐘信號(hào)線中，一條時(shí)鐘信號(hào)線和一重復(fù)單元內(nèi)對(duì)應(yīng)的所有通孔的重疊面積與另一條時(shí)鐘信號(hào)線和一重復(fù)單元內(nèi)對(duì)應(yīng)的所有通孔的重疊面積相等，且任一時(shí)鐘信號(hào)線與一重復(fù)單元內(nèi)通孔的重疊面積等于時(shí)鐘信...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種光電器件及其制備方法及顯示裝置，光電器件包括層疊的陽(yáng)極、活性層以及陰極，所述活性層的材料包括自組裝材料。本申請(qǐng)技術(shù)方案提供的光電器件，采用包含自組裝材料的活性層，有助于提高器件的電流效率。
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法以及電子設(shè)備，在所述發(fā)光器件中，發(fā)光層的材料包含具有核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，通過(guò)調(diào)控量子點(diǎn)中核體的平均粒徑和殼層的厚度能夠提高空穴注入水平與電子注入水平之間的匹配度，促進(jìn)載流子傳輸平衡，從而提升發(fā)光器件的...
  • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法以及電子設(shè)備，在所述發(fā)光器件中，發(fā)光層的材料包含具有核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，通過(guò)調(diào)控量子點(diǎn)中核體的平均粒徑和殼層的厚度能夠提高空穴注入水平與電子注入水平之間的匹配度，促進(jìn)載流子傳輸平衡，從而提升發(fā)光器件的...
  • 本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及其制備方法，存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括：自下而上依次堆疊的襯底、金屬互連層、存儲(chǔ)陣列和頂部金屬層；存儲(chǔ)陣列包括：工作存儲(chǔ)子陣列和dummy存儲(chǔ)子陣列，工作存儲(chǔ)子陣列用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，dummy存儲(chǔ)子陣列包圍工作存儲(chǔ)子陣列；工作存儲(chǔ)子陣...
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