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  • 本發(fā)明涉及一種用于阿爾茲海默病治療和改善學(xué)習(xí)記憶能力障礙的腦靶向載二苯乙烯苷和丹參酮ⅡA組合脂質(zhì)體及制備方法,該組合物包含修飾因子Angiopep?2和脂質(zhì)體載體以及二苯乙烯苷、丹參酮ⅡA。利用Angiopep?2作為靶頭,采用薄膜分散與硫...
  • 本發(fā)明涉及戴爾根霉菌Rhizopus delemar在中藥枳實(shí)飲片炮制方法中的應(yīng)用,屬于藥物炮制領(lǐng)域。本發(fā)明炮制方法明確了發(fā)酵菌株,避免了發(fā)酵過程空氣中雜菌的干擾,確保了枳實(shí)飲片的安全性。同時(shí)優(yōu)化和確定了發(fā)酵蒸制枳實(shí)關(guān)鍵工藝參數(shù),確保了枳實(shí)...
  • 本申請(qǐng)公開了一種銅襯修復(fù)裝置,屬于管道焊接技術(shù)領(lǐng)域。所述裝置包括:底座、動(dòng)力件、轉(zhuǎn)動(dòng)件、夾緊機(jī)構(gòu)、刀具調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)和銑削機(jī)構(gòu);所述轉(zhuǎn)動(dòng)件可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在所述底座上,所述刀具調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)固定在所述底座上,所述動(dòng)力件設(shè)置在所述底座的一側(cè);所述夾緊機(jī)構(gòu)固定...
  • 本發(fā)明涉及一種基于約束聚焦的定向灰盒模糊測(cè)試方法,屬于網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明能夠減少數(shù)據(jù)流分析所需跟蹤的信息,通過約束過濾和聚焦減少數(shù)據(jù)流信息。在定向灰盒模糊測(cè)試中通過約束過濾和聚焦降低了數(shù)據(jù)流分析的開銷,簡化了數(shù)據(jù)流跟蹤過程,并避免了人...
  • 本公開提供了一種數(shù)據(jù)查詢方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。其中,該方法包括:獲取問題語句;根據(jù)預(yù)先建立的生成式模型對(duì)問題語句中的圖譜信息進(jìn)行識(shí)別,并將識(shí)別的圖譜信息按照預(yù)設(shè)格式進(jìn)行組合,得到結(jié)構(gòu)化文本表示的圖譜信息;圖譜信息至少包括實(shí)體信息和...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供一種有害語料挖掘方法,該方法包括:S1、獲取第一有害語料種子樣本以及語料數(shù)據(jù)集;S2、基于第一有害語料種子樣本在語料數(shù)據(jù)集中進(jìn)行文本相似度檢索,得到潛在有害語料樣本集;S3、通過預(yù)設(shè)的語義特征分類模型對(duì)潛在有害語料樣本集中各...
  • 本申請(qǐng)公開了一種基于生成式預(yù)訓(xùn)練GPT模型的標(biāo)注優(yōu)化方法及裝置,涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域,其中,該方法包括:使用標(biāo)注好的第一文本數(shù)據(jù)訓(xùn)練具有N個(gè)預(yù)設(shè)類別的初始分類模型(GPT模型)得到中間分類模型;將待標(biāo)注的第二文本數(shù)據(jù)輸入中間分類模型得到中間...
  • 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)的刻蝕方法,先在SiC晶圓表面沉積兩層厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜,然后再通過調(diào)整刻蝕工藝參數(shù)刻蝕SiC晶圓,主要是向反應(yīng)腔室內(nèi)通入SF6、O2作為刻蝕氣體同...
  • 本發(fā)明提供一種分離柵半導(dǎo)體器件的制作方法,包括以下步驟:提供一具有背封層的晶圓,背封層包括依次疊加的內(nèi)層多晶硅層、中層氧化層與外層多晶硅層;從晶圓正面形成溝槽;形成犧牲氧化層于溝槽內(nèi)壁,并采用濕法蝕刻去除犧牲氧化層;形成溝槽柵結(jié)構(gòu)于溝槽中,...
  • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底;位于襯底上的溝道結(jié)構(gòu),溝道結(jié)構(gòu)包括依次形成于襯底上的溝道層和勢(shì)壘層,溝道結(jié)構(gòu)包括柵極區(qū)域,以及位于柵極區(qū)域兩側(cè)的源極區(qū)域與漏極區(qū)域;位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域內(nèi)的第一凹槽,第一凹槽至...
  • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N集成電路及其制備方法、電子設(shè)備,涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,可解決集成電路中電子元件實(shí)現(xiàn)歐姆接觸的金屬硅化物的電阻阻值隨尺寸減小而增大的問題。該集成電路包括:基底、電子元件、連接部、二氧化硅層;電子元件設(shè)于基底上,并包括接觸部,接觸部的...
  • 一種MOSFET芯片、晶體管、電源和電子設(shè)備,該MOSFET芯片包括柵極焊盤、至少兩條柵極總線和至少兩個(gè)原胞區(qū)域,至少兩個(gè)原胞區(qū)域中的每個(gè)原胞區(qū)域包括至少一個(gè)原胞單元。至少兩條柵極總線中的每條柵極總線與至少兩個(gè)原胞區(qū)域中不同的原胞區(qū)域連接,...
  • 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種IBC電池及其制備方法,其中,本發(fā)明實(shí)施例通過在原硅區(qū)域形成含硼硅涂層并進(jìn)行激光摻雜處理,即可以對(duì)該原硅區(qū)域進(jìn)行高濃度硼摻雜而形成p型摻雜區(qū),避免了采用傳統(tǒng)管式硼源的摻雜方式帶來的副作用,提升了電池的轉(zhuǎn)換效率。
  • 本申請(qǐng)涉及一種外延片及其制作方法、發(fā)光芯片,外延片包括襯底;設(shè)于所述襯底上的成核層;以及設(shè)于所述成核層上的三維過渡層,所述三維過渡層包括至少一個(gè)三維過渡子層,所述三維過渡子層包括依次周期性層疊的第一晶向結(jié)晶層、第一切換層、第一保持層;所述第...
  • 本申請(qǐng)公開了一種顯示芯片的制作方法、顯示芯片及基底結(jié)構(gòu),屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括:形成基底結(jié)構(gòu);所述基底結(jié)構(gòu)包括襯底,以及位于所述襯底一側(cè)的二維材料層;在所述二維材料層背離所述襯底的一側(cè)形成像素單元,所述像素單元包括依次設(shè)置在所述二...
  • 本申請(qǐng)公開了一種顯示芯片及制作方法,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述顯示芯片包括:像素單元,所述像素單元包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、量子阱發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層;所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層中的一者為n型半導(dǎo)體層,另一者為p型半導(dǎo)體層;其中,在...
  • 本申請(qǐng)涉及一種發(fā)光模組的制作方法、發(fā)光模組和顯示裝置。發(fā)光模組的制作方法包括提供電路基板和發(fā)光器件,發(fā)光器件包括發(fā)光芯片以及將發(fā)光芯片封裝的封裝層;將發(fā)光器件設(shè)于電路基板上;軟化封裝層,以使封裝層流至電路基板上;以及固化封裝層以將電路基板和...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種基于上下文的問答處理方法和裝置,所述方法包括:接收上下文文本、問題文本和答案優(yōu)選數(shù)量作為對(duì)應(yīng)的第一上下文、第一問題和第一優(yōu)選數(shù)量;將第一上下文和第一問題輸入問答模型,由問答模型根據(jù)第一上下文對(duì)第一問題的答案進(jìn)行預(yù)測(cè)得到對(duì)...
  • 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種檢索增強(qiáng)生成模型的處理方法和裝置,所述方法包括:檢索增強(qiáng)生成模型接收用戶輸入的第一文本;基于預(yù)設(shè)的文本切割規(guī)則對(duì)第一文本進(jìn)行切割得到對(duì)應(yīng)的第一文本片段序列X{xi};根據(jù)各個(gè)第一文本片段x...
  • 本公開的實(shí)施例公開了信息發(fā)送方法、裝置、設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)和程序產(chǎn)品。該方法的一具體實(shí)施方式包括:獲取針對(duì)目標(biāo)預(yù)約對(duì)象的預(yù)約結(jié)果;響應(yīng)于確定該預(yù)約結(jié)果表征與該目標(biāo)預(yù)約對(duì)象已互相溝通,獲取針對(duì)該目標(biāo)預(yù)約對(duì)象的溝通數(shù)據(jù);對(duì)該溝通數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)指...
技術(shù)分類
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