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最新專利技術(shù)
  • 本發(fā)明提供一種背照式圖像傳感器，包括：電學隔離結(jié)構(gòu)，其包括從襯底的正面延伸至背面的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)和形成于所述襯底的正面的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于所述深溝槽隔離結(jié)構(gòu)上方并與其相連。還提供一種背照式圖像傳感器的電學隔離結(jié)構(gòu)的形成方...
  • 本發(fā)明涉及一種用于阿爾茲海默病治療和改善學習記憶能力障礙的腦靶向載二苯乙烯苷和丹參酮ⅡA組合脂質(zhì)體及制備方法，該組合物包含修飾因子Angiopep?2和脂質(zhì)體載體以及二苯乙烯苷、丹參酮ⅡA。利用Angiopep?2作為靶頭，采用薄膜分散與硫...
  • 本發(fā)明涉及戴爾根霉菌Rhizopus delemar在中藥枳實飲片炮制方法中的應用，屬于藥物炮制領(lǐng)域。本發(fā)明炮制方法明確了發(fā)酵菌株，避免了發(fā)酵過程空氣中雜菌的干擾，確保了枳實飲片的安全性。同時優(yōu)化和確定了發(fā)酵蒸制枳實關(guān)鍵工藝參數(shù)，確保了枳實...
  • 本申請公開了一種銅襯修復裝置，屬于管道焊接技術(shù)領(lǐng)域。所述裝置包括：底座、動力件、轉(zhuǎn)動件、夾緊機構(gòu)、刀具調(diào)節(jié)機構(gòu)和銑削機構(gòu)；所述轉(zhuǎn)動件可轉(zhuǎn)動地設置在所述底座上，所述刀具調(diào)節(jié)機構(gòu)固定在所述底座上，所述動力件設置在所述底座的一側(cè)；所述夾緊機構(gòu)固定...
  • 本發(fā)明涉及一種基于約束聚焦的定向灰盒模糊測試方法，屬于網(wǎng)絡安全技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明能夠減少數(shù)據(jù)流分析所需跟蹤的信息，通過約束過濾和聚焦減少數(shù)據(jù)流信息。在定向灰盒模糊測試中通過約束過濾和聚焦降低了數(shù)據(jù)流分析的開銷，簡化了數(shù)據(jù)流跟蹤過程，并避免了人...
  • 本公開提供了一種數(shù)據(jù)查詢方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)。其中，該方法包括：獲取問題語句；根據(jù)預先建立的生成式模型對問題語句中的圖譜信息進行識別，并將識別的圖譜信息按照預設格式進行組合，得到結(jié)構(gòu)化文本表示的圖譜信息；圖譜信息至少包括實體信息和...
  • 本發(fā)明實施例提供一種有害語料挖掘方法，該方法包括：S1、獲取第一有害語料種子樣本以及語料數(shù)據(jù)集；S2、基于第一有害語料種子樣本在語料數(shù)據(jù)集中進行文本相似度檢索，得到潛在有害語料樣本集；S3、通過預設的語義特征分類模型對潛在有害語料樣本集中各...
  • 本申請公開了一種基于生成式預訓練GPT模型的標注優(yōu)化方法及裝置，涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域，其中，該方法包括：使用標注好的第一文本數(shù)據(jù)訓練具有N個預設類別的初始分類模型(GPT模型)得到中間分類模型；將待標注的第二文本數(shù)據(jù)輸入中間分類模型得到中間...
  • 本發(fā)明提供了一種半導體器件終端結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，先在SiC晶圓表面沉積兩層厚度不同、致密度不同的氧化硅掩膜，然后再通過調(diào)整刻蝕工藝參數(shù)刻蝕SiC晶圓，主要是向反應腔室內(nèi)通入SF6、O2作為刻蝕氣體同...
  • 本發(fā)明提供一種分離柵半導體器件的制作方法，包括以下步驟：提供一具有背封層的晶圓，背封層包括依次疊加的內(nèi)層多晶硅層、中層氧化層與外層多晶硅層；從晶圓正面形成溝槽；形成犧牲氧化層于溝槽內(nèi)壁，并采用濕法蝕刻去除犧牲氧化層；形成溝槽柵結(jié)構(gòu)于溝槽中，...
  • 本發(fā)明公開了一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導體結(jié)構(gòu)包括：襯底；位于襯底上的溝道結(jié)構(gòu)，溝道結(jié)構(gòu)包括依次形成于襯底上的溝道層和勢壘層，溝道結(jié)構(gòu)包括柵極區(qū)域，以及位于柵極區(qū)域兩側(cè)的源極區(qū)域與漏極區(qū)域；位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域內(nèi)的第一凹槽，第一凹槽至...
  • 本申請?zhí)峁┮环N集成電路及其制備方法、電子設備，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，可解決集成電路中電子元件實現(xiàn)歐姆接觸的金屬硅化物的電阻阻值隨尺寸減小而增大的問題。該集成電路包括：基底、電子元件、連接部、二氧化硅層；電子元件設于基底上，并包括接觸部，接觸部的...
  • 一種MOSFET芯片、晶體管、電源和電子設備，該MOSFET芯片包括柵極焊盤、至少兩條柵極總線和至少兩個原胞區(qū)域，至少兩個原胞區(qū)域中的每個原胞區(qū)域包括至少一個原胞單元。至少兩條柵極總線中的每條柵極總線與至少兩個原胞區(qū)域中不同的原胞區(qū)域連接，...
  • 本發(fā)明實施例提供了一種IBC電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例通過在原硅區(qū)域形成含硼硅涂層并進行激光摻雜處理，即可以對該原硅區(qū)域進行高濃度硼摻雜而形成p型摻雜區(qū)，避免了采用傳統(tǒng)管式硼源的摻雜方式帶來的副作用，提升了電池的轉(zhuǎn)換效率。
  • 本申請涉及一種外延片及其制作方法、發(fā)光芯片，外延片包括襯底；設于所述襯底上的成核層；以及設于所述成核層上的三維過渡層，所述三維過渡層包括至少一個三維過渡子層，所述三維過渡子層包括依次周期性層疊的第一晶向結(jié)晶層、第一切換層、第一保持層；所述第...
  • 本申請公開了一種顯示芯片的制作方法、顯示芯片及基底結(jié)構(gòu)，屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：形成基底結(jié)構(gòu)；所述基底結(jié)構(gòu)包括襯底，以及位于所述襯底一側(cè)的二維材料層；在所述二維材料層背離所述襯底的一側(cè)形成像素單元，所述像素單元包括依次設置在所述二...
  • 本申請公開了一種顯示芯片及制作方法，屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。所述顯示芯片包括：像素單元，所述像素單元包括依次設置的第一半導體層、量子阱發(fā)光層和第二半導體層；所述第一半導體層和所述第二半導體層中的一者為n型半導體層，另一者為p型半導體層；其中，在...
  • 本申請涉及一種發(fā)光模組的制作方法、發(fā)光模組和顯示裝置。發(fā)光模組的制作方法包括提供電路基板和發(fā)光器件，發(fā)光器件包括發(fā)光芯片以及將發(fā)光芯片封裝的封裝層；將發(fā)光器件設于電路基板上；軟化封裝層，以使封裝層流至電路基板上；以及固化封裝層以將電路基板和...
  • 本發(fā)明實施例涉及一種基于上下文的問答處理方法和裝置，所述方法包括：接收上下文文本、問題文本和答案優(yōu)選數(shù)量作為對應的第一上下文、第一問題和第一優(yōu)選數(shù)量；將第一上下文和第一問題輸入問答模型，由問答模型根據(jù)第一上下文對第一問題的答案進行預測得到對...
  • 本發(fā)明實施例涉及一種檢索增強生成模型的處理方法和裝置，所述方法包括：檢索增強生成模型接收用戶輸入的第一文本；基于預設的文本切割規(guī)則對第一文本進行切割得到對應的第一文本片段序列X{xi}；根據(jù)各個第一文本片段x...
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