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  • 本申請公開一種發光器件、發光器件的制備方法以及電子設備，在所述發光器件中，發光層的材料包含具有核殼結構的量子點，通過調控量子點中核體的平均粒徑和殼層的厚度能夠提高空穴注入水平與電子注入水平之間的匹配度，促進載流子傳輸平衡，從而提升發光器件的...
  • 本申請公開一種發光器件、發光器件的制備方法以及電子設備，在所述發光器件中，發光層的材料包含具有核殼結構的量子點，通過調控量子點中核體的平均粒徑和殼層的厚度能夠提高空穴注入水平與電子注入水平之間的匹配度，促進載流子傳輸平衡，從而提升發光器件的...
  • 本申請公開了一種光電器件及其制備方法及顯示裝置，光電器件包括層疊的陽極、活性層以及陰極，所述活性層的材料包括自組裝材料。本申請技術方案提供的光電器件，采用包含自組裝材料的活性層，有助于提高器件的電流效率。
  • 本申請提供一種顯示面板和顯示裝置，該顯示面板通過使任意兩條時鐘信號線中，一條時鐘信號線和一重復單元內對應的所有通孔的重疊面積與另一條時鐘信號線和一重復單元內對應的所有通孔的重疊面積相等，且任一時鐘信號線與一重復單元內通孔的重疊面積等于時鐘信...
  • 本發明提供一種磁存儲單元制備方法，所述方法包括：提供一襯底，所述襯底包括磁存儲單元底電極；在所述底電極上制備磁隧道結疊層，并獲取所述磁隧道結疊層的一個以上的實際參數；將所述實際參數與對應的第一預設參數進行比較，確定比較結果；依據所述比較結果...
  • 本申請提供了一種電容器、存儲單元、存儲陣列、存儲器和電子設備。其中，電容器包括：第一電極，第一電極包括第一子電極和第二子電極，第二子電極環繞第一子電極且與第一子電極的側面連接；第二電極，第二電極環繞第一電極，且與第一子電極朝向所述第二子電極...
  • 根據本發明實施方式的太陽能電池制造設備包括：第一分配器，用于將導電粘合劑涂敷到太陽能電池的第一側；翻轉部件，翻轉太陽能電池；第二分配器，用于將導電粘合劑涂敷到太陽能電池的第二側；第一傳送器，將太陽能電池(其第一側通過第一分配器涂敷)運輸到翻...
  • 本發明公開了一種大中空容器和托盤用高密度聚乙烯樹脂及其制備方法，所述的樹脂包括以下重量份的原料：100重量份乙烯己烯共聚聚乙烯基礎樹脂、0.06～0.15重量份主抗氧劑和0.05～0.11重量份輔助抗氧劑；各組分經過混合器混勻后，經擠壓機加...
  • 本發明公開了一種IBC桶用高密度聚乙烯樹脂及其制備方法，所述的樹脂含有以下重量份的原料：乙烯己烯共聚聚乙烯基礎樹脂100份、光穩定劑0.08～0.25份、主抗氧劑0.05～0.15份和輔助抗氧劑0.03～0.12份；各物料經過混合器混勻后，...
  • 本發明提供了一種抗壓縮母粒及其制備方法和一種低壓縮形變發泡材料及其制備方法，所述抗壓縮母粒是以具有碳碳雙鍵的TPU為基體，高回彈橡膠為改性劑，酚醛類樹脂為引發劑，經熔融接枝反應制得。將所述的抗壓縮母粒加入發泡材料配方中，得到發泡材料性能優異...
  • 本發明提供了一種數據質量診斷方法、數據修復方法及數據處理系統，其中數據質量診斷方法包括提供多個數據節點，每個數據節點包括節點屬性，其中節點屬性包括預設信息、數據節點提取位置、物理連接關系和數據加工過程中的一項或多項；根據每個數據節點的節點屬...
  • 本公開涉及測試技術領域，公開了基于測試用例的代碼生成方法、裝置、設備及存儲介質。其中，該方法包括：獲取目標測試用例；基于目標測試用例的代碼描述信息，生成目標測試用例的提示信息；基于提示信息，生成目標測試用例對應的目標功能代碼。通過實施本公開...
  • 本發明公開了一種軍工詞匯挖掘方法、裝置、設備及存儲介質，具體公開了：對待識別軍工語料進行分詞，獲得多個初始詞，根據目標軍工詞典對應的規則庫分別對多個初始詞進行識別，并根據識別結果從多個初始詞中篩選出符合規則庫中各規則的候選詞，獲取各候選詞的...
  • 本發明屬于半導體制造技術領域，具體涉及一種半導體外延結構形成方法及半導體器件，半導體外延結構形成方法包括以下步驟：在襯底的背面進行光刻、刻蝕，形成光刻標記；在襯底的正面外延第一層第一型摻雜外延層，在第一層第一型摻雜外延層的表面旋涂光刻膠；或...
  • 本公開涉及一種半導體元件的形成方法和半導體元件，其中的方法包括：步驟S10，提供硅襯底，并在硅襯底的頂面上形成堆疊結構；步驟S20，通過STI刻蝕工藝依次刻蝕堆疊結構和硅襯底，以形成沿水平方向間隔設置的用作隔離區域的第一溝槽；步驟S40，通...
  • 本公開涉及一種垂直式功率半導體器件及其制造方法。所述器件包括：襯底，具有彼此相對的二表面；襯底的第一表面上且彼此相鄰的第一柵極結構和第二柵極結構；第一介電層，覆蓋第一柵極結構、第二柵極結構和襯底的第一表面，第一介電層在第一柵極結構和第二柵極...
  • 本發明提供了一種用于車輛的集成式高壓DCDC變換器，包括第一電路和第二電路；其中，所述第一電路包括依次串聯的EMI濾波電路、逆變電路、隔離電路、整流電路、第一濾波電路，所述EMI濾波電路與高壓直流電源相連，所述第一濾波電路與第一低壓直流電源...
  • 本公開涉及一種半導體元件的形成方法和半導體元件，其中的方法包括：步驟S10，提供具有平坦頂面的襯底(10)，所述襯底(10)頂面形成有柵極區域(20)；步驟S20，在所述柵極區域(20)的頂面形成氮化硅層(30)；步驟S30，蝕刻所述氮化硅...
  • 本發明提供一種背照式圖像傳感器，包括：電學隔離結構，其包括從襯底的正面延伸至背面的深溝槽隔離結構和形成于所述襯底的正面的淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構位于所述深溝槽隔離結構上方并與其相連。還提供一種背照式圖像傳感器的電學隔離結構的形成方...
  • 本發明涉及一種用于阿爾茲海默病治療和改善學習記憶能力障礙的腦靶向載二苯乙烯苷和丹參酮ⅡA組合脂質體及制備方法，該組合物包含修飾因子Angiopep?2和脂質體載體以及二苯乙烯苷、丹參酮ⅡA。利用Angiopep?2作為靶頭，采用薄膜分散與硫...
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