華邦電子股份有限公司蔡易宗獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華邦電子股份有限公司申請的專利存儲元件及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114334985B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011085013.5，技術領域涉及：H10B41/30；該發(fā)明授權存儲元件及其形成方法是由蔡易宗;林志豪設計研發(fā)完成，并于2020-10-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲元件及其形成方法在說明書摘要公布了：一種存儲元件包括：配置在襯底上的多個疊層結構；以及介電層。每一個疊層結構包括：第一導體層、第二導體層、柵間介電層、金屬硅化物層以及阻障層。第二導體層配置在第一導體層上。柵間介電層配置在第一導體層與第二導體層之間。金屬硅化物層配置在第二導體層上。阻障層配置在金屬硅化物層與第二導體層之間。介電層橫向環(huán)繞多個疊層結構的下部，以暴露出多個疊層結構的金屬硅化物層的一部分。另提供一種存儲元件的形成方法。
本發(fā)明授權存儲元件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲元件，包括： 多個疊層結構，配置在襯底上，其中每一個疊層結構包括： 第一導體層； 第二導體層，配置在所述第一導體層上； 柵間介電層，配置在所述第一導體層與所述第二導體層之間； 金屬硅化物層，配置在所述第二導體層上；以及 阻障層，配置在所述金屬硅化物層與所述第二導體層之間；以及介電層，橫向環(huán)繞所述多個疊層結構的下部，以暴露出所述多個疊層結構的所述金屬硅化物層的一部分；以及 多個間隙壁，分別配置在所述多個疊層結構與所述介電層之間， 其中所述金屬硅化物層更延伸覆蓋所述間隙壁的頂面與所述介電層的部分頂面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人華邦電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣臺中市大雅區(qū)科雅一路8號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
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