北京元芯碳基集成電路研究院;北京華碳元芯電子科技有限責任公司孟令款獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京元芯碳基集成電路研究院;北京華碳元芯電子科技有限責任公司申請的專利一種窄帶隙半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114429989B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011176009.X，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種窄帶隙半導體器件及其制備方法是由孟令款;張志勇;彭練矛設計研發完成，并于2020-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種窄帶隙半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種具有高開關比的窄帶隙半導體器件及其制作方法。該器件具有一支撐襯底，其上依次具有一窄帶隙半導體層、一柵介質層和一柵極堆疊結構，柵極堆疊結構兩側具有一L形自對準側墻，其水平部分與位于其下的柵介質層沿窄帶隙半導體層所在平面分別向外側的源極區和漏極區延伸一定長度。進一步在上述側墻外側的水平部分和上述窄帶隙半導體層上沉積有金屬，后者用作半導體器件的源極和漏極。該器件通過柵極自對準工藝形成側墻，可以降低溝道與源漏極區接界處的電場強度，以此增加漏極端帶間隧穿勢壘的寬度，使得在大偏壓下工作時能較好的抑制漏極端少子的反向隧穿，故能在保持窄帶隙半導體器件高性能的同時增大開關比，并顯著抑制雙極性。
本發明授權一種窄帶隙半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有高開關比的自對準窄帶隙半導體器件,在支撐結構（101）上包括一窄帶隙半導體層（103）及柵極堆疊結構（105），在所述柵極堆疊結構（105）兩側具有采用自對準工藝形成的、具有L形的側墻（108，108’），分別限定出位于所述側墻（108，108’）外側的源極區、漏極區，其特征在于： 在所述柵極堆疊結構105與所述窄帶隙半導體層（103）之間具有一柵介質層（104），所述側墻（108，108’）與所述柵極堆疊結構105側面直接接觸，所述側墻（108，108’）具有一豎直部分和一水平部分組成的L形輪廓，所述水平部分與位于其下的所述柵介質層（104）沿所述窄帶隙半導體層（103）所在平面分別向外側的所述源極區和所述漏極區延伸一定長度，在所述側墻（108，108’）的豎直部分之外、水平部分之上和所述窄帶隙半導體層（103）上均覆蓋有金屬層形成源極（110）和漏極（110’）。
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