恭喜亞德諾半導體國際無限責任公司E·J·考尼獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜亞德諾半導體國際無限責任公司申請的專利高壓DMOS晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112993038B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011460085.3，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權高壓DMOS晶體管是由E·J·考尼;A·布蘭尼克;J·P·瑪史凱爾設計研發完成，并于2020-12-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本高壓DMOS晶體管在說明書摘要公布了：提供橫向n溝道LDMOS晶體管的改進結構以避免在晶體管工作期間發生的柵極?氧化物破裂。LDMOS晶體管包括電介質隔離結構，該電介質隔離結構將包括寄生NPN晶體管的區域與由于弱影響電離而產生空穴電流的區域即LDMOS晶體管的擴展漏極區域物理隔離。根據本公開的實施方案，這可以使用兩個區域之間的垂直溝槽來實現。還提出進一步的實施方案以使得減小寄生NPN晶體管的增益和減小背柵電阻，以便進一步提高LDMOS晶體管的魯棒性。
本發明授權高壓DMOS晶體管在權利要求書中公布了：1.一種LDMOS晶體管，包括： n阱中的n摻雜漏極； 柵極； p阱中的n摻雜源極；和 包括n阱中的第一p摻雜背柵區和p阱中的第二p摻雜背柵區的p摻雜背柵； 其中所述LDMOS晶體管還包括填充有氧化物的溝槽隔離結構，所述隔離結構被配置為將包括包含所述LDMOS晶體管的漏極的n阱的第一區域與包括包含所述LDMOS晶體管的源極的p阱的第二區域物理隔離，所述第二區域在使用中具有寄生雙極結型晶體管， 其中LDMOS晶體管的n阱中的第一p摻雜背柵區電耦合到LDMOS晶體管的p阱中的第二p摻雜背柵區，以及 其中LDMOS晶體管的n阱中的第一n摻雜區電耦合到LDMOS晶體管的p阱中的第二n摻雜區，柵極形成在第二n摻雜區和n摻雜源極之間的p阱上，其中第二n摻雜區、p阱和n摻雜源極構成所述寄生雙極結型晶體管， 其中所述第一區域還包括第一p型外延層，所述n阱形成在所述第一p型外延層上， 其中所述第二區域還包括第二p型外延層，所述p阱形成在所述第二p型外延層上，并且其中所述第二p型外延層比所述第一p型外延層厚。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人亞德諾半導體國際無限責任公司，其通訊地址為：愛爾蘭利默里克；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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