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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州晶歌半導體有限公司申請的專利雙色紅外探測器及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112786731B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110103882.4，技術領域涉及：H10F30/21；該發(fā)明授權雙色紅外探測器及其制作方法是由黃勇;張立群設計研發(fā)完成，并于2021-01-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本雙色紅外探測器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種雙色紅外探測器，其包括層疊設置的中波長紅外探測器和長波長紅外探測器，所述中波長紅外探測器的中波通道吸收層為P型InAsInAsSb超晶格或P型InAsPInAsSb超晶格，所述長波長紅外探測器的長波通道吸收層為P型InAsGaSb超晶格，所述中波長紅外探測器的中波通道勢壘層和所述長波長紅外探測器的長波通道勢壘層均為N型InPSbInAs超晶格。本發(fā)明還公開了一種雙色紅外探測器的制作方法。本發(fā)明的雙色紅外探測器的中波通道吸收層采用了InAsInAsSb或InAsPInAsSb超晶格，長波通道吸收層采用了InAsGaSb超晶格，如此保證了各波段器件的最佳性能。

本發(fā)明授權雙色紅外探測器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種雙色紅外探測器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在襯底上制作形成層疊的中波長紅外探測器和長波長紅外探測器； 其中，在襯底上制作形成層疊的中波長紅外探測器和長波長紅外探測器的方法包括以下步驟： 步驟一、利用P型InAsInAsSb超晶格或P型InAsPInAsSb超晶格在襯底上制作形成中波通道接觸層； 步驟二、利用P型InAsInAsSb超晶格或P型InAsPInAsSb超晶格在所述中波通道接觸層上制作形成中波通道吸收層； 步驟三、利用N型InPSbInAs超晶格在所述中波通道吸收層上制作形成中波通道勢壘層； 步驟四、利用N型InPSbInAs超晶格在所述中波通道勢壘層上制作形成中波通道連接層； 步驟五、利用N型InPSbInAs超晶格在中波通道連接層上制作形成長波通道連接層； 步驟六、利用N型InPSbInAs超晶格在所述長波通道連接層上制作形成長波通道勢壘層； 步驟七、利用P型InAsGaSb超晶格在所述長波通道勢壘層上制作形成長波通道吸收層； 步驟八、利用P型InAsGaSb超晶格在所述長波通道吸收層上制作形成長波通道接觸層； 步驟九、在所述中波通道接觸層上制作形成第一電極，且在所述長波通道接觸層上制作形成第二電極。

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