恭喜硅存儲技術(shù)股份有限公司H·V·特蘭獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜硅存儲技術(shù)股份有限公司申請的專利用于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的模擬神經(jīng)存儲器的測試電路和方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114127854B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201980098528.8,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G11C29/50;該發(fā)明授權(quán)用于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的模擬神經(jīng)存儲器的測試電路和方法是由H·V·特蘭;T·烏;S·特林;S·洪;A·李;S·萊姆克;N·恩古耶;V·蒂瓦里;N·多設(shè)計研發(fā)完成,并于2019-12-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本用于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的模擬神經(jīng)存儲器的測試電路和方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了在深度學(xué)習(xí)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中用于模擬神經(jīng)存儲器的測試電路和方法。該模擬神經(jīng)存儲器包括一個或多個非易失性存儲器單元陣列。可以在分選測試、鑒定測試和其它測試期間利用該測試電路和方法來驗證一個或多個單元的編程操作。
本發(fā)明授權(quán)用于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的模擬神經(jīng)存儲器的測試電路和方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種驗證編程到模擬神經(jīng)非易失性存儲器單元陣列中的多個非易失性存儲器單元中的值的方法,其中所述陣列按行和列布置,其中每行耦合到字線,且每列耦合到位線,并且其中每一字線選擇性地耦合到行解碼器,且每一位線選擇性地耦合到列解碼器,所述方法包括: 由所述行解碼器斷言所述陣列中的全部字線; 由所述列解碼器斷言所述陣列中的位線; 由讀出放大器感測從所述位線接收的電流; 由參考電流源生成參考電流,所述生成包括: i接收參考電流偏置; ii接收數(shù)字輸入; iii將所述參考電流偏置鏡像到多個設(shè)備中,所述多個設(shè)備中的每個設(shè)備包括第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管,所述第一NMOS晶體管包括提供輸出電流的第一端子、第二端子和接收啟用信號的柵極,所述第二NMOS晶體管包括耦合到所述第一NMOS晶體管的第二端子的第一端子、耦合到地的第二端子、和接收所述參考電流偏置的柵極; iv通過針對被啟用的設(shè)備斷言所述啟用信號來響應(yīng)于所述數(shù)字輸入而啟用所述多個設(shè)備中的一個或多個設(shè)備; v通過緩沖器鏡來鏡像被啟用的設(shè)備以生成等于由被啟用的設(shè)備生成的輸出電流的總和的所述參考電流;以及 將所述電流與參考電流進行比較以確定耦合到所述位線的所述非易失性存儲器單元是否包含期望值。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人硅存儲技術(shù)股份有限公司,其通訊地址為:美國加利福尼亞州;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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