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龍圖騰網恭喜力特半導體(無錫)有限公司申請的專利具有不對稱擊穿電壓的TVS二極管和組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112928168B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911243673.9，技術領域涉及：H10D8/00；該發明授權具有不對稱擊穿電壓的TVS二極管和組件是由曾劍飛;蔡穎達設計研發完成，并于2019-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有不對稱擊穿電壓的TVS二極管和組件在說明書摘要公布了：在一個實施例中，不對稱TVS器件可以包括：半導體襯底，該半導體襯底包括內部區域，該內部區域具有第一極性；以及設置在半導體襯底的第一表面上的第一表面區域，該第一表面區域包括與第一極性相反的第二極性。不對稱TVS器件還可以包括第二表面區域，該第二表面區域包括第二極性，并且設置在半導體襯底的與第一表面相對的第二表面上，其中所述第一表面區域包括第一摻雜物濃度，并且其中所述第二表面區域包括大于所述第一摻雜物濃度的第二摻雜物濃度。

本發明授權具有不對稱擊穿電壓的TVS二極管和組件在權利要求書中公布了：1.一種形成不對稱瞬態電壓抑制TVS器件的方法，包括： 提供半導體襯底，所述半導體襯底包括第一極性的第一摻雜物，并限定第一表面和與所述第一表面相對的第二表面； 執行所述半導體襯底的第一氧化工藝，其中第一氧化物層形成在所述第一表面上，并且第二氧化物層形成在所述第二表面上； 從所述半導體襯底的第一表面的至少第一區域去除所述第一氧化物層，同時不從所述第二表面去除所述第二氧化物層； 執行第一摻雜工藝，其中所述第一摻雜工藝生成所述第一表面上的第一表面區域，其具有與所述第一極性相反的第二極性的第二摻雜物的第一濃度； 執行所述半導體襯底的第二氧化工藝，其中在所述第一表面上的第一區域之上形成第三氧化物層，并且其中在所述第二氧化物層之上形成第四氧化物層； 從所述第二表面的至少第二區域去除所述第二氧化物層和所述第四氧化物層，同時不從所述第一表面去除所述第三氧化物層；以及 執行第二摻雜工藝，其中所述第二摻雜工藝生成所述第二表面上的第二表面區域，其具有第二極性的第二摻雜物的大于所述第一濃度的第二濃度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人力特半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214142 江蘇省無錫市新區碩放振發六路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。