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龍圖騰網恭喜江南大學申請的專利用于低應力MEMS封裝的粘接結構、封裝結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110723713B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911139838.8，技術領域涉及：B81B7/00；該發明授權用于低應力MEMS封裝的粘接結構、封裝結構及其制造方法是由劉禹;唐彬;商二威;楊杰;陳彥秋設計研發完成，并于2019-11-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于低應力MEMS封裝的粘接結構、封裝結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及低應力MEMS封裝技術領域，尤其涉及一種用于低應力MEMS封裝的粘接結構、封裝結構及其制造方法。本發明涉及低應力MEMS封裝技術領域，尤其涉及一種針對慣性傳感器的低應力MEMS封裝的三維封裝粘接結構和封裝結構。所述用于低應力MEMS封裝結構包括MEMS芯片和MEMS基座，所述MEMS芯片通過如本發明第一方面所述的用于低應力MEMS封裝的粘接結構粘貼在所述MEMS基座上。所述用于低應力MEMS封裝的粘接結構和封裝結構具有較好的應力隔離效果。

本發明授權用于低應力MEMS封裝的粘接結構、封裝結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種用于低應力MEMS封裝的粘接結構，其特征在于，所述用于低應力MEMS封裝的粘接結構包括：從下至上依次交替疊置的應力隔離A層（100）和應力隔離B層（200）；所述應力隔離A層（100）和應力隔離B層（200）均分別包括至少一層的應力隔離層；所述應力隔離層包括若干根呈陣列式排布的應力隔離條（300）； 所述應力隔離A層（100）包括應力隔離條（300）排布一致的第一應力隔離層（410）和第二應力隔離層（420），所述應力隔離B層（200）包括應力隔離條（300）排布一致的第三應力隔離層（430）和第四應力隔離層（440）；第一應力隔離層（410）和第二應力隔離層（420）中的應力隔離條（300）排布一致；第三應力隔離層（430）和第四應力隔離層（440）中的應力隔離條（300）排布一致且第一應力隔離層（410）和第二應力隔離層（420）中的應力隔離條（300）交叉于第三應力隔離層（430）和第四應力隔離層（440）中的應力隔離條（300）； 所述應力隔離條（300）的寬度為50~~150μm，應力隔離條（300）的間距為100~~500μm； 所述應力隔離條（300）的熱膨脹系數為1×10-6~~1×10-3[1K]。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江南大學，其通訊地址為：214122 江蘇省無錫市濱湖區蠡湖大道1800號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。