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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會社申請的專利半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111584464B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911145205.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L25/065；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法是由金毅烈;金善賢;樸喜雨設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-11-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：提供了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。半導(dǎo)體器件可以包括順序堆疊的第一子芯片和第二子芯片以及將第一子芯片和第二子芯片彼此電連接的貫通接觸部。第一子芯片和第二子芯片中的每一個子芯片包括襯底和介于襯底之間的多個互連線。第二子芯片的互連線可以包括分別具有第一開口和第二開口的第一互連線和第二互連線，第一開口和第二開口彼此水平偏移。貫通接觸部從第二子芯片的襯底朝第一子芯片延伸并可以包括輔助接觸部，輔助接觸部穿過第一開口和第二開口朝第一子芯片延伸，并具有比第一子芯片的互連線中的最上互連線的頂表面高的底表面。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 第一子芯片，包括第一襯底和所述第一襯底上的第一多個互連線； 第二子芯片，包括第二襯底和所述第二襯底上的第二多個互連線，其中所述第二子芯片堆疊在所述第一子芯片上，以及其中所述第一子芯片的所述第一多個互連線和所述第二子芯片的所述第二多個互連線位于所述第一襯底與所述第二襯底之間；以及 貫通接觸部，從所述第二襯底朝所述第一子芯片延伸，以將所述第一子芯片和所述第二子芯片彼此電連接；以及 插入層，位于所述第一子芯片與所述第二子芯片之間并將所述第一子芯片物理連接到所述第二子芯片， 其中所述第二子芯片的所述第二多個互連線包括具有第一開口的第一互連線和具有第二開口的第二互連線， 其中所述第二開口的中心相對于所述第一開口的中心在平行于所述第一襯底和所述第二襯底的方向上水平偏移， 其中所述貫通接觸部包括輔助接觸部，所述輔助接觸部在所述第一開口和所述第二開口中朝所述第一子芯片延伸， 其中相對于所述第一襯底，所述輔助接觸部的底表面的高度高于所述第一子芯片的所述第一多個互連線中的最上互連線的頂表面的高度，并且 其中相對于所述第一襯底，所述輔助接觸部的底表面的高度高于所述插入層的底表面的高度并低于所述插入層的頂表面的高度。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。