買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111200422B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911133967.6，技術領域涉及：H03K3/3562；該發明授權半導體裝置是由徐在禹;樸基萬;金夏永;辛政桓;李根昊;趙成偉設計研發完成，并于2019-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：公開了一種半導體裝置，包括：襯底，其具有在第一方向上彼此相鄰的第一區和第二區；以及從第一區朝向第二區延伸的第一柵電極至第三柵電極。第一區和第二區中的每一個包括PMOSFET區和NMOSFET區。第一柵電極至第三柵電極在第一方向上延伸，并在與第一方向不同的第二方向上順序地布置。第一柵電極和第三柵電極施加有第一信號。第二柵電極施加有作為第一信號的反相信號的第二信號。第一柵電極包括第一區的第一柵極和第二區的第一柵極。第一柵極在第一方向上對準并且彼此連接。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括： 襯底，其包括第一區和在第一方向上與所述第一區相鄰的第二區；以及 從所述第一區朝向所述第二區延伸的第一柵電極、第二柵電極和第三柵電極， 其中，所述第一區和所述第二區中的每一個包括P型金屬氧化物場效應晶體管區和在所述第一方向上與所述P型金屬氧化物場效應晶體管區相鄰的N型金屬氧化物場效應晶體管區， 其中，所述第一柵電極、所述第二柵電極和所述第三柵電極中的每一個在所述第一方向上延伸，使得所述第一柵電極、所述第二柵電極和所述第三柵電極中的每一個在所述第一方向上縱向延伸， 其中，所述P型金屬氧化物場效應晶體管區和所述N型金屬氧化物場效應晶體管區中的每一個在與所述第一方向不同的第二方向上縱向延伸， 其中，所述第二柵電極在所述第二方向上插設于所述第一柵電極與所述第三柵電極之間， 其中，所述第一柵電極和所述第三柵電極被構造為接收第一信號，并且所述第二柵電極被構造為接收作為所述第一信號的反相信號的第二信號， 其中，所述第一柵電極包括所述第一區的第一柵極和所述第二區的第一柵極，所述第一區的第一柵極和所述第二區的第一柵極在所述第一方向上對準并且彼此連接， 其中，所述第三柵電極包括所述第一區的第三柵極和所述第二區的第三柵極， 其中，所述第一區的第三柵極和所述第二區的第三柵極在所述第一方向上彼此間隔開，并且 所述第一信號共同施加到所述第一區的第三柵極和所述第二區的第三柵極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。