恭喜浙江大學張春利獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜浙江大學申請的專利一種基于局部磁場調控壓磁-壓電半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111477688B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010377537.5，技術領域涉及：H10D48/40；該發明授權一種基于局部磁場調控壓磁-壓電半導體器件是由張春利;梁超;楊嘉實設計研發完成，并于2020-05-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于局部磁場調控壓磁-壓電半導體器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于局部磁場調控的壓磁?壓電半導體器件，涉及半導體設計技術領域，該壓磁?壓電半導體器件由第一壓磁層、第二壓磁層、壓電半導體層、電極、線圈、直流電流源、電源構成；所述壓電半導體層的兩端分別與電極固定連接，電極與電源串聯；所述第一壓磁層、壓電半導體層和第二壓磁層依次連接，且所述第一壓磁層、第二壓磁層與壓電半導體層設置于線圈中，所述線圈的兩端與直流電流源串聯。不同于傳統PN結局限于正向電路導通和反向電路截止，該器件可實現正向電路導通、電路截止和反向電路導通，即電路的三種狀態。
本發明授權一種基于局部磁場調控壓磁-壓電半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種基于局部磁場調控的壓磁-壓電半導體器件，其特征在于，所述壓磁-壓電半導體器件由第一壓磁層2、第二壓磁層3、壓電半導體層1、電極4、線圈6、直流電流源7、電源5構成；所述壓電半導體層1的兩端分別與電極4固定連接，電極4與電源5串聯；所述第一壓磁層2、壓電半導體層1和第二壓磁層3依次連接，且所述第一壓磁層2、第二壓磁層3與壓電半導體層1設置于線圈6中，所述線圈6的兩端與直流電流源7串聯； 所述第一壓磁層2、第二壓磁層3的長度相等，且均為壓電半導體層1長度的0.01～0.5倍；所述壓電半導體層1的長度為0.1～10μm； 所述第一壓磁層2、第二壓磁層3的厚度相等，且均為壓電半導體層1中央厚度的16～2倍。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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