恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司曹志軍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121614B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010890228.8，技術領域涉及：H01L21/027；該發明授權半導體結構及其形成方法是由曹志軍設計研發完成，并于2020-08-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成目標圖形的目標層；在所述目標層上形成分立的核心層；在所述核心層的側壁上形成偽側墻；在所述核心層和偽側墻露出的目標層上形成填充層；去除部分高度的所述偽側墻，剩余所述偽側墻與所述填充層以及核心層圍成溝槽；在所述溝槽中填充掩膜側墻；形成所述掩膜側墻后，去除所述核心層和填充層；以所述掩膜側墻為掩膜，圖形化目標層，形成目標圖形。本發明實施例有利于提高圖形傳遞的精度，進而提高目標圖形的圖形精度例如：關鍵尺寸精度和形貌質量。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成目標圖形的目標層； 在所述目標層上形成分立的核心層； 在所述核心層的側壁上形成偽側墻； 在所述核心層和偽側墻露出的目標層上形成填充層； 去除部分高度的所述偽側墻，剩余所述偽側墻與所述填充層以及核心層圍成溝槽； 在所述溝槽中填充掩膜側墻； 形成所述掩膜側墻后，去除所述核心層和填充層； 以所述掩膜側墻為掩膜，圖形化所述目標層，形成目標圖形。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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