恭喜枘熠集成電路(上海)有限公司請求不公布姓名獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜枘熠集成電路(上海)有限公司申請的專利一種二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較方法及裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN109060860B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201811071009.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01N23/2258;該發(fā)明授權(quán)一種二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較方法及裝置是由請求不公布姓名設(shè)計研發(fā)完成,并于2018-09-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較方法及裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較方法及裝置,用于診斷離子注入是否存在異常,包括以下步驟:S1,微調(diào)機臺;S2,第一決策階段,機臺進行離子注入劑量偏差自校驗,若離子注入劑量偏差小于1%,則轉(zhuǎn)到步驟S3,若離子注入劑量差大于等于1%,則轉(zhuǎn)到步驟S1;S3,進行異常點檢測與剔除;S4,進行曲線平滑處理并進行模型診斷;S5,計算相關(guān)的非參數(shù)量化指標并按照該指標進行二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較;S6,若所述指標滿足閾值,則該次離子注入正常;若不滿足閾值,則該次離子注入異常,轉(zhuǎn)到步驟S1。解決現(xiàn)有技術(shù)中二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較參數(shù)過于主觀,離子注入結(jié)果分析不全面的問題,有效的實現(xiàn)早期檢測和指導從業(yè)人員及時制定解決方案,減少偏差的影響。
本發(fā)明授權(quán)一種二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較方法及裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較方法,用于診斷離子注入是否存在異常,其特征在于,包括以下步驟: S1,微調(diào)機臺; S2,第一決策階段,機臺進行離子注入劑量偏差自校驗,若離子注入劑量偏差小于1%,則轉(zhuǎn)到步驟S3,若離子注入劑量差大于等于1%,則轉(zhuǎn)到步驟S1; S3,進行異常點檢測與剔除; S4,進行曲線平滑處理并進行模型診斷; S5,計算相關(guān)的非參數(shù)量化指標并按照該指標進行二次離子質(zhì)譜分析曲線的比較; S6,若所述指標滿足閾值,則該離子注入正常;若不滿足閾值,則該離子注入異常,轉(zhuǎn)到步驟S1; 所述非參數(shù)量化指標為“差異百分比D”,其計算公式為, 其中,GAx和GBx為給定的兩個SDP曲線平滑函數(shù),a代表淺區(qū)深度值,b 代表深區(qū)深度值; 或, 所述非參數(shù)量化指標為柯爾莫可洛夫-斯米洛夫K-S統(tǒng)計量DKS,其公式為DKS=max|Fx-Gx|,其中,F(xiàn)x和Gx代表兩個SDP曲線的經(jīng)驗累積分布函數(shù)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人枘熠集成電路(上海)有限公司,其通訊地址為:200120 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)環(huán)湖西二路888號C樓;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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