恭喜瓦里安半導體設備公司法蘭克·辛克萊獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜瓦里安半導體設備公司申請的專利離子植入系統及其方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114758940B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210419772.3，技術領域涉及：H01J37/317；該發明授權離子植入系統及其方法是由法蘭克·辛克萊;丹尼爾·泰格爾;可勞斯·貝克設計研發完成，并于2018-03-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本離子植入系統及其方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種離子植入系統及其方法。離子植入系統可包括：離子源，產生離子束；襯底平臺，設置在離子源的下游；減速級，包括使離子束偏轉的組件，減速級設置在離子源與襯底平臺之間；以及氣體來源，氣體來源直接耦合到所述減速級以向所述減速級提供氫氣或氦氣，其中從離子束產生的高能中性物質不散射到襯底平臺。本公開的離子植入系統能提供方便且安全地減少由高能中性物質引起的能量污染的優點。
本發明授權離子植入系統及其方法在權利要求書中公布了：1.一種離子植入系統，其特征在于，包括： 離子源，產生離子束； 襯底平臺，設置在所述離子源的下游； 減速級，包括使所述離子束偏轉的組件，所述減速級設置在所述離子源與所述襯底平臺之間；以及 氣體來源，所述氣體來源直接耦合到所述減速級以向所述減速級提供氦氣， 其中從所述離子束產生的高能中性物質不散射到所述襯底平臺。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人瓦里安半導體設備公司，其通訊地址為：美國麻薩諸塞州格洛斯特郡都利路35號(郵遞區號:01930)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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