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龍圖騰網(wǎng)恭喜金陽(yáng)(泉州)新能源科技有限公司申請(qǐng)的專利抗光致衰減的背接觸電池及其制作方法和光伏組件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119866067B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510345103.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F10/166；該發(fā)明授權(quán)抗光致衰減的背接觸電池及其制作方法和光伏組件是由林楷睿設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本抗光致衰減的背接觸電池及其制作方法和光伏組件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N抗光致衰減的背接觸電池及其制作方法和光伏組件，涉及背接觸電池技術(shù)領(lǐng)域，電池包括硅片、第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層；硅片具有正面和背面；第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層交替排列設(shè)置于硅片背面上；硅片正面依次層鋪設(shè)有第二隧穿氧化層、氫化非晶硅層、第三隧穿氧化層和氮化硅層；第二隧穿氧化層的厚度為1?3nm，第三隧穿氧化層的厚度為1.5?3nm，氫化非晶硅層的氫含量為1e19?1e21cm?3。本申請(qǐng)使用氧化層+氫化非晶硅層+氧化層+氮化硅層的結(jié)構(gòu)，引入雙氧化層結(jié)構(gòu)作為氫逸散的阻擋層，能夠有效隔絕氫在光熱條件下向體硅擴(kuò)散和向外溢出，同時(shí)隧穿氧化層優(yōu)異的鈍化效果使得鈍化水平不會(huì)受到影響，實(shí)現(xiàn)高效且可以抗光致衰減的背接觸太陽(yáng)電池。

本發(fā)明授權(quán)抗光致衰減的背接觸電池及其制作方法和光伏組件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種抗光致衰減的背接觸電池，包括： 硅片，所述硅片具有正面和背面； 第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層交替排列設(shè)置于所述硅片背面上； 其特征在于，還包括： 依次層鋪設(shè)于所述硅片正面的第二隧穿氧化層、氫化非晶硅層、第三隧穿氧化層和氮化硅層； 其中，所述第二隧穿氧化層的厚度為1-3nm，所述第三隧穿氧化層的厚度為1.5-3nm，所述氫化非晶硅層的氫含量為1e19-1e21cm-3； 所述氫化非晶硅層的厚度為7-12nm； 所述第二隧穿氧化層和所述第三隧穿氧化層用于隔絕所述氫化非晶硅層的氫在光熱條件下向體硅擴(kuò)散和向外溢出。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人金陽(yáng)(泉州)新能源科技有限公司，其通訊地址為：362000 福建省泉州市鯉城區(qū)海濱街道筍浯社區(qū)浯江路3號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。